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優(yōu)化濕法腐蝕后晶圓 TTV 管控

新啟航半導(dǎo)體有限公司 ? 2025-05-22 10:05 ? 次閱讀
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摘要:本文針對(duì)濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差(TTV)的管控問(wèn)題,探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測(cè)反饋機(jī)制完善等方面入手,提出一系列優(yōu)化方法,以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV,提升晶圓制造質(zhì)量。

關(guān)鍵詞:濕法腐蝕;晶圓;TTV 管控;工藝優(yōu)化

一、引言

濕法腐蝕是晶圓制造中的關(guān)鍵工藝,其過(guò)程中腐蝕液對(duì)晶圓的不均勻作用,易導(dǎo)致晶圓出現(xiàn)厚度偏差,影響 TTV 指標(biāo)。TTV 過(guò)高會(huì)降低芯片性能與良品率,因此優(yōu)化濕法腐蝕后晶圓 TTV 管控至關(guān)重要,是提升晶圓制造水平的重要研究方向 。

二、優(yōu)化管控方法

2.1 工藝參數(shù)優(yōu)化

合理調(diào)整濕法腐蝕的工藝參數(shù)是管控 TTV 的基礎(chǔ)。腐蝕液濃度直接影響腐蝕速率和均勻性,需根據(jù)晶圓材質(zhì)精確調(diào)配。例如,對(duì)于硅晶圓,過(guò)高濃度的氫氟酸可能造成局部過(guò)度腐蝕,應(yīng)將其濃度控制在合適區(qū)間。腐蝕時(shí)間同樣關(guān)鍵,延長(zhǎng)腐蝕時(shí)間雖能達(dá)到預(yù)期腐蝕深度,但可能加劇不均勻性,需通過(guò)試驗(yàn)確定最佳時(shí)長(zhǎng)。同時(shí),攪拌速度對(duì)腐蝕液的均勻分布有重要影響,適當(dāng)提高攪拌速度可減少因濃度差異導(dǎo)致的 TTV 波動(dòng) 。

2.2 設(shè)備改進(jìn)

對(duì)濕法腐蝕設(shè)備進(jìn)行改進(jìn)有助于提升 TTV 管控效果。優(yōu)化腐蝕槽的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),采用更合理的進(jìn)液和出液方式,確保腐蝕液在槽內(nèi)均勻流動(dòng),減少因液體流動(dòng)不均引起的晶圓局部腐蝕差異。此外,引入高精度的晶圓固定裝置,保證晶圓在腐蝕過(guò)程中位置穩(wěn)定,避免因晃動(dòng)造成腐蝕不均勻,進(jìn)而影響 TTV 。

2.3 檢測(cè)與反饋機(jī)制完善

建立高效的檢測(cè)與反饋機(jī)制是優(yōu)化 TTV 管控的重要保障。利用高精度的光學(xué)測(cè)量設(shè)備,如激光干涉儀,對(duì)濕法腐蝕后的晶圓 TTV 進(jìn)行實(shí)時(shí)在線檢測(cè)。一旦檢測(cè)到 TTV 超出設(shè)定范圍,立即反饋給工藝控制系統(tǒng),系統(tǒng)自動(dòng)調(diào)整工藝參數(shù),如腐蝕液濃度或腐蝕時(shí)間,實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制,及時(shí)糾正 TTV 偏差 。

高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)

高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)以光學(xué)相干層析成像原理,可解決晶圓/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,總厚度偏差)、BOW(彎曲度)、WARP(翹曲度),TIR(Total Indicated Reading 總指示讀數(shù),STIR(Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)),LTV(Local Thickness Variation 局部厚度偏差)等這類(lèi)技術(shù)指標(biāo)。

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高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng),全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù),相比傳統(tǒng)上下雙探頭對(duì)射掃描方式;可一次性測(cè)量所有平面度及厚度參數(shù)。

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1,靈活適用更復(fù)雜的材料,從輕摻到重?fù)?P 型硅 (P++),碳化硅,藍(lán)寶石,玻璃,鈮酸鋰等晶圓材料。

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重?fù)叫凸瑁◤?qiáng)吸收晶圓的前后表面探測(cè))

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粗糙的晶圓表面,(點(diǎn)掃描的第三代掃頻激光,相比靠光譜探測(cè)方案,不易受到光譜中相鄰單位的串?dāng)_噪聲影響,因而對(duì)測(cè)量粗糙表面晶圓)

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低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3);(通過(guò)對(duì)偏振效應(yīng)的補(bǔ)償,加強(qiáng)對(duì)低反射晶圓表面測(cè)量的信噪比)

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絕緣體上硅(SOI)和MEMS,可同時(shí)測(cè)量多 層 結(jié) 構(gòu),厚 度 可 從μm級(jí)到數(shù)百μm 級(jí)不等。

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可用于測(cè)量各類(lèi)薄膜厚度,厚度最薄可低至 4 μm ,精度可達(dá)1nm。

可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力,體現(xiàn)在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強(qiáng),充分提高重復(fù)性測(cè)量能力。

4,采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器,一改過(guò)去傳統(tǒng)SLD寬頻低相干光源的干涉模式,解決了由于相干長(zhǎng)度短,而重度依賴“主動(dòng)式減震平臺(tái)”的情況。卓越的抗干擾,實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì),同時(shí)也可兼容匹配EFEM系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線自動(dòng)化集成測(cè)量。

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5,靈活的運(yùn)動(dòng)控制方式,可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測(cè)量。

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