引言

硅基 OLED 微型顯示器憑借高分辨率、高對(duì)比度等優(yōu)勢(shì)，在虛擬現(xiàn)實(shí)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。納米壓印技術(shù)為其制備提供了新方向，而精確測(cè)量光刻圖形是保證制備質(zhì)量的關(guān)鍵，白光干涉儀在其中發(fā)揮著重要作用。

納米壓印制備硅基 OLED 微型顯示器的方法

工藝原理

納米壓印技術(shù)基于模板復(fù)制原理，通過(guò)將帶有微納圖案的模板與涂覆在基板上的軟質(zhì)材料緊密接觸，在一定壓力和溫度下，使軟質(zhì)材料填充模板圖案的凹陷區(qū)域，隨后脫模，將模板圖案轉(zhuǎn)移至軟質(zhì)材料上，從而實(shí)現(xiàn)高精度圖形的復(fù)制。相較于傳統(tǒng)光刻技術(shù)，納米壓印技術(shù)成本低、效率高，能突破光學(xué)光刻的分辨率限制，適用于硅基 OLED 微型顯示器的微納結(jié)構(gòu)制備。

制備流程

首先，準(zhǔn)備硅基板，對(duì)其進(jìn)行清洗、干燥等預(yù)處理，確?；灞砻鏉崈羝秸?。接著，在基板上旋涂一層光刻膠或其他軟質(zhì)材料作為壓印介質(zhì)，控制旋涂速度和時(shí)間，保證介質(zhì)厚度均勻。然后，將帶有目標(biāo)圖案的模板與涂覆好介質(zhì)的基板對(duì)準(zhǔn)貼合，施加壓力和溫度，使介質(zhì)充分填充模板圖案。待介質(zhì)固化后，小心脫模，將模板圖案完整轉(zhuǎn)移至基板上。之后，以壓印形成的圖案為掩模，通過(guò)刻蝕等工藝對(duì)基板進(jìn)行處理，形成所需的微納結(jié)構(gòu)，如陽(yáng)極像素陣列、陰極結(jié)構(gòu)等。最后，完成有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層等功能層的沉積與制備，組裝成硅基 OLED 微型顯示器。

白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用

測(cè)量原理

白光干涉儀利用白光的干涉特性，將光源發(fā)出的白光經(jīng)分光鏡分為兩束，一束照射待測(cè)光刻圖形表面反射回來(lái)，另一束作為參考光，兩束光相遇產(chǎn)生干涉條紋。根據(jù)干涉條紋的形狀、間距等信息，結(jié)合光程差與表面高度的關(guān)系，可精確計(jì)算出光刻圖形的高度、輪廓等參數(shù)。

測(cè)量?jī)?yōu)勢(shì)

白光干涉儀具備高精度、非接觸測(cè)量特性，測(cè)量精度可達(dá)納米級(jí)，能夠滿(mǎn)足硅基 OLED 微型顯示器微納結(jié)構(gòu)的測(cè)量需求，且不會(huì)損傷脆弱的光刻圖形。其測(cè)量速度快，可實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)在線(xiàn)檢測(cè)，配合專(zhuān)業(yè)軟件能對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行可視化處理，直觀(guān)呈現(xiàn)光刻圖形質(zhì)量，便于及時(shí)調(diào)整制備工藝。

實(shí)際應(yīng)用

在納米壓印制備硅基 OLED 微型顯示器過(guò)程中，白光干涉儀可用于測(cè)量壓印后光刻膠圖案的高度、線(xiàn)寬，評(píng)估圖案轉(zhuǎn)移的精度和完整性；還能檢測(cè)刻蝕后微納結(jié)構(gòu)的深度、表面粗糙度等參數(shù)，確保陽(yáng)極像素陣列、陰極結(jié)構(gòu)等符合設(shè)計(jì)要求，為提升硅基 OLED 微型顯示器的性能提供保障。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實(shí)時(shí)”動(dòng)態(tài)/靜態(tài) 微納級(jí)3D輪廓測(cè)量的白光干涉儀

1)一改傳統(tǒng)白光干涉操作復(fù)雜的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實(shí)現(xiàn)卓越的重復(fù)性表現(xiàn)。

2)系統(tǒng)集成CST連續(xù)掃描技術(shù)，Z向測(cè)量范圍高達(dá)100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復(fù)雜形貌測(cè)量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測(cè)振系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)“動(dòng)態(tài)”3D輪廓測(cè)量。

實(shí)際案例

1，優(yōu)于1nm分辨率，輕松測(cè)量硅片表面粗糙度測(cè)量，Ra=0.7nm

2，毫米級(jí)視野，實(shí)現(xiàn)5nm-有機(jī)油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測(cè)量能力，實(shí)現(xiàn)光刻圖形凹槽深度和開(kāi)口寬度測(cè)量。

審核編輯 黃宇