在存儲器的競爭格局中，除了FRAM，不得不提的另外兩個產(chǎn)品是ReRAM和NRAM。簡略地講，F(xiàn)RAM 用于數(shù)據(jù)記錄；ReRAM可替代大容量EEPROM；NRAM 用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲存，還可替代NOR Flash。

今天，小編就為大家講講身懷絕技的 ReRAM 和 NRAM。

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小型化是趨勢，論ReRAM的進化路線

ReRAM：可變電阻式隨機存取存儲器，是一種非易失性存儲器，通過向金屬氧化物薄膜施加脈沖電壓，產(chǎn)生大的電阻差值來存儲“0”和“1”。

其結(jié)構(gòu)非常簡單，兩側(cè)電極將金屬氧化物包夾于中間，這簡化了制造工藝，同時可實現(xiàn)低功耗和高速重寫等卓越性能。此存儲器具備行業(yè)最低讀取電流,非常適用于可穿戴設(shè)備和助聽器。

富士通的 ReRAM產(chǎn)品易于寫入操作，在寫入操作之前，不需要擦除操作，并且擁有豐富的中密度存儲線，涵蓋4Mbit、8Mbit、32Mbit。同時，5MHz 的讀出操作最大電流僅為0.5mA，遠遠低于同樣條件的 EEPROM (3mA@5MHz)。

可穿戴設(shè)備和小型醫(yī)療設(shè)備一直是 ReRAM 的主要市場，為了使用可穿戴和醫(yī)療設(shè)備小型化和低功耗的要求，富士通的 ReRAM 的產(chǎn)品也將向小型化方向發(fā)展。

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速度比普通內(nèi)存快1000倍，富士通押寶NRAM

BCC Research預(yù)計，全球NRAM市場將從2018年到2023年實現(xiàn)62.5%的復(fù)合年成長率(CAGR)，其中嵌入式系統(tǒng)市場預(yù)計將在2018年達到470萬美元，到了2023年將成長至2.176億美元，CAGR高達115.3% 。

作為一個比較“新”的產(chǎn)品，NRAM之所以能很快引起市場的注意，與NRAM獨有的優(yōu)勢分不開——NRAM讀寫的速度比較快，讀寫耐久性比NOR Flash高于1000倍。具有高可靠性，一般80度可以存儲數(shù)據(jù)達到1000年，300度時可達10年。同時還具有低功耗的特點。

目前，富士通與 Nantero達成協(xié)議，使用三重富士通的 300mm 晶圓，共同開發(fā) 55nm CMOS 技術(shù)的 NRAM。

高性能的 NRAM 在眾多應(yīng)用領(lǐng)域擁有明顯的競爭優(yōu)勢：

可應(yīng)用于任何系統(tǒng)：NRAM 不但是非易失性存儲器，又具有與 DRAM 同等的高速操作。

可實現(xiàn) instant on（即開即用）功能，降低功耗的同時提高了系統(tǒng)的性能。

適應(yīng)于高溫環(huán)境動作的逐漸增長的市場需求。

最后一張圖了解富士通 NRAM的目標應(yīng)用~