技術(shù)

一

48V電源布局

一般由上圖所示構(gòu)成。主要的零件有電源接口、保險管、MOS、光藕、電容、電源磚、以及緩啟電路

技術(shù)

二

器件布局要求

01

保險管必須緊鄰48V電源輸入接口放置，確保輸入保護的有效性

02

相同功能的電路模塊集中布置，形成清晰的功能分區(qū)。不同類型電路避免交叉布局，減少相互干擾。

03

采用模塊化布局思路，便于后期維護和問題定位。

04

48V功率區(qū)域與其他電路區(qū)域保持最小70mil的物理隔離，建議使用ANTI ETCH ALL工具預(yù)先繪制70mil隔離帶，便于設(shè)計檢查，隔離帶內(nèi)不得有其他信號線或器件。

05

電源磚（DC-DC模塊）與周邊電容器保持2mm以上間距。

06

為電源磚預(yù)留足夠的散熱空間和氣流通道。

技術(shù)

三

電氣安全間距標(biāo)準(zhǔn)

孔到孔/孔到線間距

保險管前級（高壓側(cè)）：

表面層：≥2.1mm 內(nèi)層：≥1.75mm

保險管后級（低壓側(cè)）：

表面層：≥2.1mm 內(nèi)層：≥0.75mm

線到線間距

保險管前級（高壓側(cè)）：

表面層：≥2.0mm 內(nèi)層：≥1.4mm

保險管后級（低壓側(cè)）：

表面層：≥2.0mm 內(nèi)層：≥0.4mm

技術(shù)

四

布線工藝要求

01

保險管前端的48V輸入線路與其他信號禁止在相鄰層平行走線，避免PCB層間絕緣破壞導(dǎo)致短路起火風(fēng)險。

02

功率MOS管必須打通孔（via）增強散熱，在PCB底層（BOTTOM）對應(yīng)MOS管位置做亮銅處理，提升導(dǎo)熱效果。

03

保險管在絲印層標(biāo)注規(guī)格，格式：電壓值/電流值

示例：125V/12A（125V表示耐壓，12A表示額定電流）。

04

電源磚的引腳采用花焊盤（thermal pad）連接方式。

花焊盤設(shè)計的必要性及檢查

為昕MarsPCB設(shè)計軟件-花焊盤演示

05

48V區(qū)域的參考平面僅允許使用RTN（Return），嚴(yán)禁GND、DGND等其他地平面進入48V區(qū)域，嚴(yán)禁其他電源平面進入該區(qū)域，確保48V系統(tǒng)的電氣隔離和EMI性能。