出色的功率密度和熱性能，更加緊湊和可靠的設(shè)計(jì)

采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設(shè)計(jì)元素共同實(shí)現(xiàn)了出色的開(kāi)關(guān)性能、可靠性和熱管理功能，而附加的Kelvin源引線(xiàn)則可幫助設(shè)計(jì)人員進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)損耗。

為什么要選擇采用TO-LL封裝的SiC MOSFET?

緊湊型無(wú)引線(xiàn)封裝

大型外露式漏極焊盤(pán)

減少厚度：2.3mm

額外的Kelvin源引腳

在全溫度范圍內(nèi)具有較低的RDS(on)

高速開(kāi)關(guān)性能

穩(wěn)定的快速本體二極管

SCT040TO65G3 碳化硅功率MOSFET 650V、40mOhm典型值、35A，采用TO-LL封裝

SCT055TO65G3 碳化硅功率MOSFET 650V、58mOhm典型值、30A，采用TO-LL封裝

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