GeneSiC MOSFET技術(shù)為燃料電池和重型運(yùn)輸領(lǐng)域的高壓大功率‘多變換器’賦予無與倫比的功率密度

日前；納微半導(dǎo)體宣布與法國知名電力電子制造商——Brightloop達(dá)成合作：納微的車規(guī)級第三代“快速”碳化硅MOSFET將助力Brightloop打造重型農(nóng)業(yè)運(yùn)輸設(shè)備專用的氫燃料電池充電器。

BrightLoop所提供的領(lǐng)先高性能解決方案，功率轉(zhuǎn)換效率超過98%，功率密度高達(dá)35kW/kg和6kW/L。BrightLoop高壓大功率多變流器與其功率流處理器技術(shù)相結(jié)合，旨在為交流和直流應(yīng)用（如燃料電池的能源管理場景、重型應(yīng)用以及高壓網(wǎng)絡(luò)適配）提供卓越性能。

納微半導(dǎo)體的車規(guī)級第三代快速碳化硅 MOSFET應(yīng)用于BrightLoop 250kW高壓DC-DC變換器中，其最大輸出電壓可達(dá)950VDC, 最大輸出電流為480A，可并聯(lián)以實(shí)現(xiàn)兆瓦級功率能力。

憑借著在碳化硅領(lǐng)域的20年技術(shù)創(chuàng)新積累，納微GeneSiC獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”技術(shù)可提供業(yè)界領(lǐng)先的溫度特性，為功率需求高、可靠性要求高的應(yīng)用提供高速、低溫升運(yùn)行的功率轉(zhuǎn)換方案。第三代快速碳化硅MOSFET相較同類產(chǎn)品不僅效率顯著提升，外殼溫度也低25°C，同時使用壽命長3倍。

“溝槽輔助平面柵”技術(shù)使得碳化硅MOSFET的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）幾乎不隨溫升影響，從而在整個工作范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)最低的功率損耗。與競爭對手相比，該技術(shù)在高溫的實(shí)際工況下的導(dǎo)通電阻低接近20%。所有GeneSiC碳化硅MOSFET均具備已公布的最高100%測試雪崩能力、出色的短路耐受能力及緊湊的閾值電壓分布，便于并聯(lián)應(yīng)用。

納微半導(dǎo)體

首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人

Gene Sheridan

“納微非常榮幸與領(lǐng)先的高功率密度和高效率變換器領(lǐng)域的佼佼者——BrightLoop達(dá)成合作。

雙方將共同提供技術(shù)支持和系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)力，積極推動下一代高功率密度、高可靠性變換器解決方案的發(fā)展?！?/p>

BrightLoop

首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人

Florent Liffran

“納微半導(dǎo)體所提供的領(lǐng)先碳化硅技術(shù)對于效率、耐用性和可靠性方面的提升至關(guān)重要。

我們的高功率密度、智能、高效且可擴(kuò)展的多變流器將提升客戶的能源輸送容量與品質(zhì)，持續(xù)引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展?！?/p>

關(guān)于BrightLoop

BrightLoop Converters 是高性能應(yīng)用電力電子領(lǐng)域的領(lǐng)先制造商。針對重型車輛、采礦設(shè)備、海事、賽車運(yùn)動、國防、航空航天和鐵路等最惡劣環(huán)境的需求，BrightLoop Converters開發(fā)和制造具有市場最佳功率重量比的高效率、高可靠性功率變換器。公司已為一級方程式（Formula 1）、電動方程式（Formula E）或 ETCR 等要求最嚴(yán)苛的混合動力和電動系列賽事的頂尖參與者提供產(chǎn)品，其目標(biāo)始終是不斷創(chuàng)新并革新電力電子領(lǐng)域。

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點(diǎn)市場包括移動設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導(dǎo)體擁有超過300項(xiàng)已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。

納微半導(dǎo)體、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及納微標(biāo)識是Navitas Semiconductor 及其子公司的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。所有其他品牌、產(chǎn)品名稱和標(biāo)志都是或可能是各自所有者用于標(biāo)識產(chǎn)品或服務(wù)的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。