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光刻膠圖案化方法及光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

jf_14507239 ? 來源:jf_14507239 ? 作者:jf_14507239 ? 2025-06-20 09:50 ? 次閱讀
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引言

半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠的圖案化和剝離是形成精確圖形結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟,而光刻圖形的準(zhǔn)確測量則是確保工藝質(zhì)量的重要環(huán)節(jié)。本文將詳細(xì)介紹光刻膠圖案化與剝離方法,并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用。

光刻膠圖案化方法

傳統(tǒng)光刻法

傳統(tǒng)光刻法基于光化學(xué)反應(yīng)原理。首先,在基板表面均勻旋涂光刻膠,通過控制旋涂轉(zhuǎn)速與時間,獲得所需厚度的光刻膠薄膜。隨后,利用掩模版將設(shè)計好的圖案通過曝光系統(tǒng)投影到光刻膠上,受光照區(qū)域的光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),改變?nèi)芙庑?。對于正性光刻膠,曝光區(qū)域在顯影液中溶解,留下未曝光的圖案;負(fù)性光刻膠則相反,未曝光區(qū)域溶解,保留曝光圖案,從而實(shí)現(xiàn)光刻膠的圖案化。

電子束光刻法

電子束光刻法利用聚焦電子束直接照射光刻膠,引發(fā)光刻膠的化學(xué)變化。相比傳統(tǒng)光刻,電子束光刻無需掩模版,可實(shí)現(xiàn)更高分辨率的圖案化。通過計算機(jī)控制電子束的掃描路徑,精確地在光刻膠上繪制圖案。由于電子束的波長極短,能夠突破光學(xué)光刻的衍射極限,適用于納米級圖形的制作,但該方法存在加工速度慢、成本高等缺點(diǎn) 。

光刻膠剝離方法

濕法剝離

濕法剝離是常用的光刻膠去除方式。將涂覆光刻膠的基板浸入含有特定化學(xué)成分的剝離液中,剝離液與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng),使其溶解或溶脹,進(jìn)而從基板表面脫離。根據(jù)光刻膠類型和基板材料,選擇合適的剝離液配方,如含有有機(jī)溶劑、堿性物質(zhì)等成分的溶液。剝離過程中需控制好溫度、時間和剝離液濃度,以確保高效去除光刻膠的同時,不損傷基板和已形成的圖形結(jié)構(gòu)。

干法剝離

干法剝離主要通過等離子體技術(shù)實(shí)現(xiàn)。在真空反應(yīng)腔室中,通入特定氣體(如氧氣、氟氣等),在射頻電場作用下產(chǎn)生等離子體。等離子體中的活性粒子與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng),將其分解為揮發(fā)性氣體,從而達(dá)到去除光刻膠的目的。干法剝離具有刻蝕方向性好、對基板損傷小等優(yōu)點(diǎn),適用于對精度要求較高的光刻膠剝離工藝。

白光干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用

測量原理

白光干涉儀基于白光干涉原理,通過將參考光束與樣品表面反射光束進(jìn)行干涉,根據(jù)干涉條紋的光強(qiáng)分布,計算出光程差,進(jìn)而轉(zhuǎn)化為樣品表面的高度信息。由于白光包含多種波長,只有在光程差為零的位置才能形成清晰干涉條紋,因此可實(shí)現(xiàn)對光刻圖形表面形貌的高精度測量,精度可達(dá)納米級別。

測量過程

將待測光刻樣品放置于白光干涉儀載物臺上,利用顯微鏡初步定位測量區(qū)域。調(diào)整干涉儀的光路參數(shù),獲取清晰的干涉條紋圖像。通過專業(yè)軟件對干涉圖像進(jìn)行處理,運(yùn)用相位解包裹等算法,精確計算出光刻圖形的深度、寬度、側(cè)壁角度等關(guān)鍵參數(shù),為光刻工藝優(yōu)化和質(zhì)量控制提供數(shù)據(jù)支持。

優(yōu)勢

白光干涉儀采用非接觸式測量,避免了對光刻圖形的物理損傷;具備快速測量能力,可實(shí)現(xiàn)對光刻圖形的批量檢測,滿足生產(chǎn)線高效檢測需求;其三維表面形貌可視化功能,能直觀呈現(xiàn)光刻圖形的質(zhì)量狀況,便于工程師及時發(fā)現(xiàn)問題并優(yōu)化工藝參數(shù)。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實(shí)時”動態(tài)/靜態(tài) 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統(tǒng)白光干涉操作復(fù)雜的問題,實(shí)現(xiàn)一鍵智能聚焦掃描,亞納米精度下實(shí)現(xiàn)卓越的重復(fù)性表現(xiàn)。

2)系統(tǒng)集成CST連續(xù)掃描技術(shù),Z向測量范圍高達(dá)100mm,不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率,為復(fù)雜形貌測量提供全面解決方案。

3)可搭載多普勒激光測振系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)“動態(tài)”3D輪廓測量。

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實(shí)際案例

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1,優(yōu)于1nm分辨率,輕松測量硅片表面粗糙度測量,Ra=0.7nm

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2,毫米級視野,實(shí)現(xiàn)5nm-有機(jī)油膜厚度掃描

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3,卓越的“高深寬比”測量能力,實(shí)現(xiàn)光刻圖形凹槽深度和開口寬度測量。

審核編輯 黃宇

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