chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英偉達預(yù)計向中國客戶交付 “第三代” 閹割芯片

Felix分析 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:綜合報道 ? 2025-06-21 00:03 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,消息人士稱,英偉達計劃于 7 月推出第三代 “閹割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片將替代 H20 芯片,試圖重新奪回市場份額。


B20 芯片基于 GB202 GPU,采用 GDDR7 內(nèi)存,最大帶寬可達 800Gbps,適合小規(guī)模集群推理和小模型后訓(xùn)練;B40/B30 芯片則保留了與 H20 相同的 NVLink 互聯(lián)功能,最大帶寬可達 900GB/s,但性能有所下滑。單卡售價預(yù)計在 6500 至 8000 美元之間,服務(wù)器價格預(yù)計在 8 萬至 10 萬美元之間。

英偉達此次產(chǎn)品的變動源自美國出口管制的升級。2024 年,美國將 HBM 內(nèi)存(帶寬密度≥2GB/s?mm2)列為特殊管控對象,英偉達被迫采用 GDDR7 規(guī)避限制。此外,芯片的雙精度浮點計算(FP64)單元、張量核等關(guān)鍵模塊可能通過后道點斷工藝屏蔽,導(dǎo)致計算能力進一步受限。北京時間 4 月 16 日凌晨,英偉達向美國證券交易委員會(SEC)提交 8-k 文件,稱已接到美國政府通知(原文 “特朗普政府” 表述有誤,2024 年特朗普未執(zhí)政 ),H20 芯片及達到 H20 內(nèi)存帶寬、互連帶寬等的芯片向中國等國家和地區(qū)出口需要獲得許可證。

這一調(diào)整直接導(dǎo)致芯片支持的模型并發(fā)數(shù)減少,難以支撐大規(guī)模訓(xùn)練任務(wù)。例如,B20 使用英偉達的 ConnectX-8 實現(xiàn)互連功能,通過以太網(wǎng)實現(xiàn)連接,最大互連帶寬為 800Gbps。每塊 B20 芯片通過 NVlink 總線連接到 ConnectX-8 芯片,形成一個相當于 PCIe 卡的離散模塊,支持 PCIe 卡格式的互連。而這種連接性能僅適合 8 - 16 卡小規(guī)模集群的推理和小模型后訓(xùn)練,不過對于一些偏重網(wǎng)絡(luò)傳輸,且推理任務(wù)繁重但體量小的客戶而言,B20 還是有一定性價比的。

盡管芯片性能受限,英偉達仍憑借 CUDA 生態(tài)壟斷(統(tǒng)一編程模型、豐富代碼庫)維持市場地位。此前,英偉達 H20 芯片就在 2024 年被中國互聯(lián)網(wǎng)公司大批量采購。類似邏輯下,B40/B30 因保留 NVLink 互聯(lián)能力,可能被科技巨頭用于構(gòu)建高密度集群(如 NVL72 機柜),滿足模型微調(diào)、推理等場景需求。

不過,美國的政策正在引發(fā)反向替代效應(yīng)。在國內(nèi),已經(jīng)有不少芯片能夠用于替代英偉達的芯片。比如,昇騰 910B 的 FP16 算力達 376TFLOPS,超越英偉達 A100 的 312TFLOPS;顯存帶寬 1600GB/s,支持全自研 HCCS 高速互聯(lián)。根據(jù)此前的報道,在全球 AI 算力競賽進入關(guān)鍵階段的背景下,硅基風(fēng)暴(Siliconstorm)與華為昇騰云正式達成深度技術(shù)合作。本次合作基于昇騰 910B 芯片的算力底座,在大型模型推理加速領(lǐng)域取得突破性進展 —— 聯(lián)合研發(fā)的 DeepSeek-R1 架構(gòu)實現(xiàn)推理效率提升 10 倍,推理成本較傳統(tǒng)方案降低 97%。這是國產(chǎn)算力體系首次在 AI 推理性能與性價比雙重指標上超越國際主流方案。

因此,美國的技術(shù)封鎖如同「鲇魚效應(yīng)」,迫使中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跳出「跟隨式創(chuàng)新」的路徑依賴,在技術(shù)路線、產(chǎn)業(yè)鏈布局、生態(tài)規(guī)則三大維度實現(xiàn)范式變革。短期內(nèi),國產(chǎn)芯片將在中低端推理、邊緣計算等場景全面替代英偉達閹割版產(chǎn)品,并通過算法優(yōu)化(如模型壓縮、稀疏計算)部分彌補高端訓(xùn)練場景的性能差距。中長期來看,隨著存算一體、光子芯片、量子計算等顛覆性技術(shù)突破,以及 RISC-V、開源框架等自主生態(tài)成熟,中國有望在特定領(lǐng)域建立全球標準,推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從「單極壟斷」向「多元競合」轉(zhuǎn)型。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 英偉達
    +關(guān)注

    關(guān)注

    23

    文章

    4038

    瀏覽量

    97605
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    開啟連接新紀元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?4.1w次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?387次閱讀
    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    外媒:英偉正開發(fā)新款中國特供芯片B30A 或為旗艦AI芯品B300的閹割

    ;或為旗艦AI芯品B300的閹割版 ;估計性能只有B300的50%--70%。 據(jù)外媒路透社報道,為了中國市場;英偉正在加速研發(fā)基于最新Blackwell架構(gòu)的AI
    的頭像 發(fā)表于 08-20 15:19 ?3069次閱讀
    外媒:<b class='flag-5'>英偉</b><b class='flag-5'>達</b>正開發(fā)新款<b class='flag-5'>中國</b>特供<b class='flag-5'>芯片</b>B30A 或為旗艦AI芯品B300的<b class='flag-5'>閹割</b>版

    上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準電壓源

    BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:48 ?824次閱讀
    上海貝嶺發(fā)布<b class='flag-5'>第三代</b>高精度基準電壓源

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?480次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?1634次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?576次閱讀
    瑞能半導(dǎo)體<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    能量密度提升15%!TDK第三代電池量產(chǎn)在即

    ,這一革新使電池儲電能力顯著增強,能量密度提升 15%。在相同體積下,它能儲存更多電能,為手機制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出,蘋果和星是 TDK 的主要客戶,各自貢獻了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽極
    的頭像 發(fā)表于 05-19 03:02 ?2817次閱讀

    拆了星鏈終端第三代,明白這相控陣天線的請留言!

    一談起低軌衛(wèi)星,大家勢必會說起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線,大家還是繞不開馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個樣,一眾企業(yè)在模仿,試圖實現(xiàn)超越和跟隨。最近,拆了一臺第三代星鏈終端。但是,看不懂,完全
    的頭像 發(fā)表于 03-05 17:34 ?5441次閱讀
    拆了星鏈終端<b class='flag-5'>第三代</b>,明白這相控陣天線的請留言!

    第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機遇并存

    一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:15 ?1467次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機遇并存

    EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 01-08 14:43 ?0次下載
    EE-230:<b class='flag-5'>第三代</b>SHARC系列處理器上的代碼疊加

    第三代半導(dǎo)體廠商加速出海

    近年來,在消費電子需求帶動下,加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
    的頭像 發(fā)表于 01-04 09:43 ?1153次閱讀

    第三代半導(dǎo)體對防震基座需求前景?

    隨著科技的發(fā)展,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對第三代半導(dǎo)體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關(guān)大型項目規(guī)劃與建設(shè),像蘇州的國家第三代
    的頭像 發(fā)表于 12-27 16:15 ?958次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體對防震基座需求前景?

    第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

    當前,第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進的重要動力之一,新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?1267次閱讀

    第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?2555次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹