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順絡新型鉭電容助力eSSD斷電數(shù)據(jù)保護

順絡電子 ? 來源:順絡電子 ? 2025-06-23 13:55 ? 次閱讀
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eSSD介紹

eSSD是企業(yè)級固態(tài)硬盤(Enterprise Solid State Drive)的縮寫,是面向企業(yè)級應用和數(shù)據(jù)中心環(huán)境設計的存儲設備,旨在滿足企業(yè)對數(shù)據(jù)存儲在性能、可靠性、可擴展性和管理性等方面的嚴格要求。相較于消費級SSD,eSSD具有更高的讀寫速度,更低的延遲,更大的存儲容量以及更高的可靠性,并且具有斷電保護功能。

為實現(xiàn)其斷電保護功能,eSSD通常會配備大容量的電容。在正常供電時,電容會充電儲能。當檢測到斷電瞬間,電容釋放儲存的電能,為控制器和閃存芯片提供短暫的電力,使控制器有足夠時間將緩存中尚未寫入閃存的數(shù)據(jù)安全寫入,避免數(shù)據(jù)丟失。

產業(yè)背景

當前用于eSSD斷電保護的電容有液態(tài)鋁電解電容、固體聚合物鉭電容以及超級電容。但隨著eSSD朝著更高密度存儲、更快讀寫速度、更小體積的方向演進,系統(tǒng)對儲能電容提出了更高的要求:

①更大的電容量,以滿足毫秒級甚至更長時間的供電要求。以20W功率的eSSD為例,要滿足10ms以上的供電時間,則需要總電容量500μF,且再留50%~100%的余量,即750μF~1000μF。若要達到1000μF,使用47μF的電容需要22pcs,但使用100μF的電容則僅需10pcs,數(shù)量減少55%。

②更高的體積利用率,適合eSSD高存儲密度需求,滿足高密度貼裝,在相同功率下進一步薄型化。例如E3.S(2U short)eSSD在同樣的功率40W下高度從16.8mm進一步降低至7.5mm,對應電容的高度則會限制到1.5mm以下;

③在較寬的溫度范圍內保持性能穩(wěn)定,大部分eSSD工作溫度范圍需達到-40℃~85℃,電容則需要在更寬的溫度范圍內保持性能穩(wěn)定(-55℃~125℃);

Sunlord針對上述痛點需求,推出高性能聚合物鉭電容TP系列,實現(xiàn)eSSD更加可靠的斷電保護。

產品優(yōu)勢

與目前eSSD使用的液態(tài)鋁電解電容相比,Sunlord新型固體聚合物鉭電容器TP系列具有如下優(yōu)點:

更大電容量

①高介電常數(shù)

鉭電容的介質是五氧化二鉭(Ta?O?),其介電常數(shù)(ε)遠高于傳統(tǒng)電容材料(如鋁電解電容的氧化鋁介電常數(shù)約8~10,而Ta?O?可達27~30)。

②超薄介質層

鉭電容的介質層通過陽極氧化工藝形成,厚度可控制在微米級(如1~5μm),遠薄于鋁電解電容的介質層(通常10~20μm)。

根據(jù)電容公式a7656e7c-4c24-11f0-b715-92fbcf53809c.svg,其中C為電容,ε為介電常數(shù),S為極板面積,d為介質厚度,上述固態(tài)聚合物鉭電容對比液態(tài)鋁電解電容分別實現(xiàn)了ε的提高和d的減小,綜合提升單位體積的電容量。

更小尺寸、更低高度

①高密度結構

固態(tài)聚合物鉭電容使用導電聚合物作為電解質,相比液態(tài)電解質,其結構更緊湊,可填充到鉭粉的細微孔隙中,減少空隙。此外,固態(tài)電解質無需預留膨脹空間,封裝體積利用率更高,間接提升單位體積的容量,使得電容尺寸得以減小。

②小型化、低背化

將同電性的Sunlord固態(tài)聚合物鉭電容與常規(guī)液態(tài)鋁電解電容對比:

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圖片來自順絡內部

更高可靠性

①電解質穩(wěn)定

固態(tài)導電聚合物電解質,不存在液態(tài)電解液干涸、泄漏或揮發(fā)的問題,長期使用不易因電解質劣化導致性能下降。

②使用溫度范圍廣

固態(tài)聚合物鉭電容可以在很寬的溫度范圍內工作,即使是惡劣環(huán)境中也能使用。

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圖片來自順絡內部

③耐壓特性優(yōu)

聚合物電解質導電均勻性好,即使在高電壓或瞬態(tài)過載情況下,也能保持穩(wěn)定的介電性能。

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圖片來自順絡內部

與傳統(tǒng)Frame結構鉭電容相比,Sunlord新型固體聚合物鉭電容器TP系列具有如下優(yōu)點:

高體積利用率

Sunlord新型鉭電容通過結構設計實現(xiàn)體積利用率提升25%。在相同封裝體積內,新結構增加了鉭芯長度,提高鉭粉裝粉量。根據(jù)公式CV=比容*粉重,當比容一定時,粉重提升相當于C值(電容值)和V值(額定電壓)提高,并且可以在相同電性下實現(xiàn)更小尺寸和更低高度。

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圖片來自順絡內部

全密封結構

傳統(tǒng)結構Frame金屬端子與塑封料的熱膨脹系數(shù)(CTE)差異大,導致之間有縫隙,水汽容易滲入導致漏電流增大而失效。新結構采用PCB代替Frame,與塑封料的熱膨脹系數(shù)接近且結合性好,防潮性更高。新型鉭電容可通過額定電壓下1000h+的雙85實驗(溫度85℃,濕度85%)考核。

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圖片來自順絡內部

型號推薦

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圖片來自順絡內部

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原文標題:存儲界新風暴!順絡新型鉭電容助力eSSD斷電數(shù)據(jù)保護

文章出處:【微信號:sunlord002138,微信公眾號:順絡電子】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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