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基于機器視覺的碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)設(shè)計與厚度均勻性控制

新啟航半導體有限公司 ? 2025-06-30 09:59 ? 次閱讀
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一、引言

碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的代表,以其卓越的物理化學性能,在新能源汽車、軌道交通、5G 通信等關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出不可替代的作用。然而,SiC 材料硬度高、脆性大的特性,給其襯底切割加工帶來了極大挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)切割方法存在切割精度低、效率慢、厚度均勻性差等問題,嚴重制約了 SiC 器件的性能與生產(chǎn)規(guī)模。在此背景下,開發(fā)基于機器視覺的碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng),并實現(xiàn)厚度均勻性控制,對推動 SiC 產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。

二、系統(tǒng)總體設(shè)計

自動對刀系統(tǒng)主要由機器視覺模塊、運動控制模塊、切割執(zhí)行模塊和控制系統(tǒng)組成。機器視覺模塊采用高分辨率工業(yè)相機與定制光學鏡頭,實時采集切割區(qū)域圖像。運動控制模塊通過精密電機與絲杠導軌,精準控制切割刀具的位置與進給速度。切割執(zhí)行模塊根據(jù)不同切割工藝(如金剛線切割、激光切割等)選擇相應刀具??刂葡到y(tǒng)整合各模塊信息,實現(xiàn)自動化運行。

三、機器視覺對刀原理與實現(xiàn)

3.1 圖像采集與預處理

工業(yè)相機以固定幀率采集切割區(qū)域圖像,圖像經(jīng)灰度化、濾波、增強等預處理操作,提升圖像質(zhì)量,凸顯襯底與刀具邊緣特征,為后續(xù)特征提取做準備。例如,采用高斯濾波去除圖像噪聲,直方圖均衡化增強圖像對比度。

3.2 特征提取與匹配

利用邊緣檢測算法(如 Canny 算法)提取襯底邊緣輪廓與刀具特征點。通過模板匹配技術(shù),將實時采集圖像中的刀具特征與預先存儲的標準刀具模板進行匹配,確定刀具實際位置與姿態(tài)。當檢測到刀具位置偏差時,控制系統(tǒng)計算補償量并發(fā)送指令給運動控制模塊,實現(xiàn)刀具自動調(diào)整。

四、厚度均勻性控制策略

4.1 進給量動態(tài)調(diào)節(jié)

碳化硅襯底切割過程中,依據(jù)切割深度、刀具磨損狀態(tài)等因素動態(tài)調(diào)整進給量。切割起始階段,材料表面完整,刀具與材料接觸狀態(tài)穩(wěn)定,可采用較大進給量提高加工效率。隨著切割深入,刀具磨損加劇,材料內(nèi)部應力分布改變,此時逐步減小進給量,能有效控制切割力在合理范圍,維持材料均勻去除,保證厚度均勻性。構(gòu)建以切割深度為自變量,進給量為因變量的梯度調(diào)節(jié)函數(shù),通過傳感器實時監(jiān)測切割深度、刀具振動、切割力等參數(shù),將數(shù)據(jù)反饋至控制系統(tǒng),由控制系統(tǒng)依據(jù)預設(shè)的梯度調(diào)節(jié)模型,動態(tài)調(diào)整進給量。

4.2 切割參數(shù)優(yōu)化

通過實驗與仿真相結(jié)合的方式,建立切割參數(shù)(如切割速度、進給量、切割功率等)與厚度均勻性的映射關(guān)系模型。利用該模型,針對不同規(guī)格的碳化硅襯底,優(yōu)化切割參數(shù)組合,使切割過程中材料去除均勻,降低厚度偏差。例如,對于較薄的襯底,適當減小切割速度與進給量;對于硬度更高的碳化硅材料,調(diào)整切割功率與冷卻條件,確保切割過程穩(wěn)定,提升厚度均勻性。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)運用第三代掃頻OCT技術(shù),精準攻克晶圓/晶片厚度TTV重復精度不穩(wěn)定難題,重復精度達3nm以下。針對行業(yè)厚度測量結(jié)果不一致的痛點,經(jīng)不同時段測量驗證,保障再現(xiàn)精度可靠。?

wKgZPGdOp6mAKTtWAAMZ0sugoBA420.png

我們的數(shù)據(jù)和WAFERSIGHT2的數(shù)據(jù)測量對比,進一步驗證了真值的再現(xiàn)性:

wKgZO2g-jKKAXAVPAATGQ_NTlYo059.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

該系統(tǒng)基于第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù),相較傳統(tǒng)雙探頭對射掃描,可一次完成所有平面度及厚度參數(shù)測量。其創(chuàng)新掃描原理極大提升材料兼容性,從輕摻到重摻P型硅,到碳化硅、藍寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用:?

對重摻型硅,可精準探測強吸收晶圓前后表面;?

點掃描第三代掃頻激光技術(shù),有效抵御光譜串擾,勝任粗糙晶圓表面測量;?

通過偏振效應補償,增強低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比;

wKgZO2g-jKeAYh0xAAUBS068td0375.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

支持絕緣體上硅和MEMS多層結(jié)構(gòu)測量,覆蓋μm級到數(shù)百μm級厚度范圍,還可測量薄至4μm、精度達1nm的薄膜。

wKgZPGg-jKqAYFs2AAGw6Lti-7Y319.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

此外,可調(diào)諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力,在極端環(huán)境中抗干擾性強,顯著提升重復測量穩(wěn)定性。

wKgZO2d_kAqAZxzNAAcUmXvDHLM306.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

系統(tǒng)采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器,擺脫傳統(tǒng)SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴,憑借卓越抗干擾性實現(xiàn)小型化設(shè)計,還能與EFEM系統(tǒng)集成,滿足產(chǎn)線自動化測量需求。運動控制靈活,適配2-12英寸方片和圓片測量。

wKgZO2g-jLKAeN9uAAT_9vEy4Nk849.png

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