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一起來了解半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)

黃輝 ? 來源:jf_81801083 ? 作者:jf_81801083 ? 2025-07-04 11:39 ? 次閱讀
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一、核心技術(shù)特性

?高精度測(cè)試能力?

電壓測(cè)試范圍覆蓋0-3300V(可擴(kuò)展),分辨率達(dá)1mV;電流測(cè)試范圍0-2500A,分辨率最低至0.1nA,測(cè)試精度控制在0.2%+2LSB

采用脈沖測(cè)試法(脈寬300μs-5ms)抑制溫升,結(jié)合Kelvin四線消除接觸電阻誤差,確保大功率器件極限參數(shù)準(zhǔn)確性

?高效智能化操作?

單參數(shù)測(cè)試速度達(dá)0.5ms/參數(shù),百點(diǎn)I-V曲線生成僅需數(shù)秒

支持自動(dòng)分檔編程與16Bin分選機(jī)對(duì)接,量產(chǎn)測(cè)試效率達(dá)10,000件/小時(shí)

?全兼容測(cè)試范圍?

覆蓋硅基器件至第三代半導(dǎo)體(SiC/GaN),支持IGBT、MOSFET、晶閘管等12類器件40+靜態(tài)/動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

模塊化夾具適配TO/SOT/QFN等封裝,無(wú)需額外設(shè)備

二、關(guān)鍵測(cè)試功能

測(cè)試類型 核心參數(shù)示例 應(yīng)用場(chǎng)景
?靜態(tài)特性? VGE(th)、BVDSS、RDS(on)、漏電流(低至1.5pA) 來料檢驗(yàn)/失效分析
?動(dòng)態(tài)特性? 開關(guān)時(shí)間(10ns-10s)、Qg柵極電荷、反向恢復(fù)時(shí)間 器件選型/可靠性驗(yàn)證
?極限參數(shù)? SOA安全工作區(qū)、雪崩耐量、熱阻特性 研發(fā)驗(yàn)證/車規(guī)認(rèn)證(AEC-Q101)

三、系統(tǒng)應(yīng)用場(chǎng)景

?工業(yè)制造?:電力設(shè)備產(chǎn)線IGBT模塊分選、新能源汽車電控系統(tǒng)器件檢驗(yàn)

?科研教育?:高校半導(dǎo)體特性教學(xué)演示、研究所SiC器件熱穩(wěn)定性評(píng)估

?國(guó)防軍工?:航天元器件可靠性篩選(累計(jì)超500萬(wàn)只器件驗(yàn)證)

四、典型系統(tǒng)配置

以西安中昊芯測(cè)SC2010/SC2020為代表的新一代國(guó)產(chǎn)設(shè)備具備:

主機(jī)單元 + 溫控夾具套件(-55℃~+150℃模擬

專業(yè)測(cè)試軟件(LabVIEW平臺(tái)開發(fā),支持CSV/Excel導(dǎo)出)

門極過電保護(hù)適配器與自診斷代碼系統(tǒng)

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審核編輯 黃宇

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