國產(chǎn)IGBT單管新品,采用飛虹半導(dǎo)體第七代場截止(Trench Field Stop VII )技術(shù)工藝設(shè)計,能達(dá)到顯著降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。使產(chǎn)品具有極低的VCE(sat)和極短的拖尾電流,為終端設(shè)計師在優(yōu)化系統(tǒng)效率時提供有力的幫助。
它就是FHA75T65V1DL型號IGBT單管,它不僅更廣泛適用于太陽能逆變器、UPS、變頻器、電焊機以及所有硬開關(guān)。
而且產(chǎn)品擁有良好的短路性能,為電機驅(qū)動領(lǐng)域處理突發(fā)事件提供充足的裕量。

因此如果要考慮選擇能代換NCE75ED65VT 、IKW75N65ET7、JT075N065WED、CRG75T65AK3HD、SGT75T65SDM1P7這五款型號參數(shù)的國產(chǎn)IGBT單管。建議可以了解這一款第七代IGBT單管新品:FHA75T65V1DL型號。

FHA75T65V1DL作為飛虹半導(dǎo)體第七代場截止(Trench Field Stop VII )技術(shù)IGBT,可提供TO-247-3L封裝外形。其參數(shù)不僅能達(dá)650V電壓、75A電流,具有參數(shù)一致性高的特點,而且無鉛,滿足ROHS環(huán)保要求。
下述將圍繞FHA75T65V1DLIGBT的產(chǎn)品特點、友商參數(shù)對比、推薦應(yīng)用范圍、部分典型特性曲線來介紹:

產(chǎn)品特點
1、第七代場截止技術(shù)產(chǎn)品
2、參數(shù)一致性高
3、高速開關(guān),低開關(guān)損耗
4、最高結(jié)溫Tjmax = 175°C
5、低飽和壓降VCEsat = 1.55V(typ.) @ IC = 75 A
6、擁有正溫度系數(shù)
7、合封了快恢復(fù)二極管
8、無鉛,滿足ROHS環(huán)保要求

友商參數(shù)對比
FHA75T65V1DLIGBT與NCE75ED65VT、IKW75N65ET7、JT075N065WED、CRG75T65AK3HD、SGT75T65SDM1P7五款競品相比,其產(chǎn)品具有極低的VCE(sat)和極短的拖尾電流,為終端設(shè)計師在優(yōu)化系統(tǒng)效率時提供有力的幫助。值得作為國產(chǎn)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的新產(chǎn)品使用。

推薦應(yīng)用范圍
(1)逆變器
(2)變頻器
(3)電焊機
(4)UPS不間斷電源
(5)戶外儲能電源
部分典型特性曲線


半導(dǎo)體領(lǐng)域在不斷更新迭代,我們可以做好的事情就是不斷強化自身供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。讓中國產(chǎn)品更具備競爭力,對于不知道如何選擇IGBT單管的問題。建議工程師們可以看看飛虹半導(dǎo)體的這一款FHA75T65V1DL型號參數(shù)。
試樣才能驗證是否如文章所說的數(shù)據(jù)效果,國產(chǎn)IGBT單管給您驚喜。
飛虹半導(dǎo)體致力于大功率分立器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,給廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有35年半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗。除可提供免費試樣外,更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制IGBT單管產(chǎn)品。
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原文標(biāo)題:【國產(chǎn)新品】650V、75A參數(shù)IGBT單管:FHA75T65V1DL!
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