戶外儲能電源中的DC-AC逆變模塊（放電）、AC-DC整流模塊（充電）都會使用到IGBT單管。而從設計的專業(yè)角度可了解到，不同戶外儲能電源對于代換SGT75T65SDM1P7型號IGBT單管使用的關(guān)注點都會有所區(qū)別。

飛虹半導體正是從高轉(zhuǎn)換效率、高可靠性/短路耐受、寬工作溫度范圍、低EMI等常見維度給大家推薦一款I(lǐng)GBT單管是能代換SGT75T65SDM1P7型號適用戶外儲能電源中。

它就是FHA75T65V1DL型號IGBT單管，它具有75A、650V電流、電壓參數(shù)，正滿足戶外儲能電源的電路設計（尤其適用于3KW級別的功率模塊），而且能無縫代換SGT75T65SDM1P7IGBT單管。

FHA75T65V1DL采用飛虹第七代場截止（Trench Field Stop VII）技術(shù)工藝設計，使產(chǎn)品具有：

01極低的VCE(sat)： 顯著降低導通損耗，提升系統(tǒng)效率，減少發(fā)熱。

02極短的拖尾電流： 有效降低關(guān)斷損耗，提升開關(guān)頻率能力，有助于提升效率并減小磁性元件體積。

03良好的短路耐受能力(SCWT)： 為戶外儲能電源提供關(guān)鍵的故障保護能力，增強系統(tǒng)魯棒性。

這些特性為終端設計師在優(yōu)化戶外儲能電源的系統(tǒng)效率、功率密度和可靠性時提供有力的幫助。

在封裝上面，該IGBT單管屬于TO-247-3L外形封裝，具有優(yōu)異的散熱性能（低熱阻），這對戶外儲能電源的熱管理至關(guān)重要。封裝內(nèi)部合封了快恢復二極管，支持雙向能量流動（充放電），且適配市場大多數(shù)電路設計。

從FHA75T65V1DL的IGBT單管參數(shù)可看：Vge（th）（±V）：30；IC-100℃（A）：75A；V(BR)CES(V)：650V。飽和壓降VCESAT(V)：1.55V（Typ）、1.8V（Max）；最高結(jié)溫Tjmax = 175°C。

正是上述參數(shù)，讓FHA75T65V1DLIGBT單管是能更好代換SGT75T65SDM1P7型號參數(shù)用于戶外儲能電源的電路。

FHA75T65V1DL擁有高速開關(guān)，低開關(guān)損耗；參數(shù)一致性高；正溫度系數(shù)；無鉛，滿足ROHS環(huán)保要求等產(chǎn)品特點。讓其不僅能用于戶外儲能電源，還廣泛應用于UPS、變頻器、電焊機以及所有硬開關(guān)等產(chǎn)品。

好產(chǎn)品才能占有更多市場，如研發(fā)中有選型的問題，歡迎溝通交流。需要選擇75A、650V的IGBT單管用于戶外儲能電源的選型問題，建議選用FHA75T65V1DL型號IGBT單管。

除參數(shù)適合外，飛虹的工程師還會提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品測試服務。飛虹致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，給廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有35年半導體行業(yè)經(jīng)驗以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗。除可提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進行量身定制IGBT單管產(chǎn)品。