不同的變頻器對于IGBT單管使用的關(guān)注點會有所區(qū)別，常見使用的關(guān)注點會有開關(guān)特性、低導(dǎo)通損耗 (VCE(sat))、良好的熱性能 、反向并聯(lián)二極管性能等。因此，在選擇可以代換JT075N065WED型號IGBT單管用于變頻器時，工程師必須重點評估上述關(guān)鍵需求點。

飛虹半導(dǎo)體始終在工程師角度來思考推薦，今天推薦的這一款I(lǐng)GBT單管是能代換JT075N065WED型號適用于各類工業(yè)及通用變頻器應(yīng)用。

它就是FHA75T65V1DL型號IGBT單管，它具有75A、650V電流、電壓參數(shù)，完全滿足變頻器功率級的設(shè)計要求，并能無縫代換JT075N065WED IGBT單管。

FHA75T65V1DL采用飛虹第七代場截止（Trench Field Stop VII）技術(shù)工藝設(shè)計：

實現(xiàn)極低的VCE(sat) (典型值1.55V，最大值1.8V)，顯著降低導(dǎo)通損耗。

優(yōu)化的開關(guān)特性：提供高速開關(guān)能力（降低開關(guān)損耗），同時通過工藝控制開關(guān)過程的di/dt和dv/dt，有助于改善EMI性能并降低關(guān)斷電壓尖峰。

優(yōu)異的短路耐受能力(SCWT)：確保在電機側(cè)發(fā)生短路故障時，器件能承受短時間的過流沖擊，為保護(hù)電路動作提供關(guān)鍵時間窗口。

極短的拖尾電流：有助于降低關(guān)斷損耗。

在封裝上面，該IGBT單管屬于TO-247-3L外形封裝，合封了快恢復(fù)二極管，支持雙向能量流動，且適配市場大多數(shù)電路設(shè)計。

從FHA75T65V1DL的IGBT單管參數(shù)可看：Vge（th）（±V）：30；IC-100℃（A）：75A；V(BR)CES(V)：650V。飽和壓降VCESAT(V)：1.55V（Typ）、1.8V（Max）；最高結(jié)溫Tjmax = 175°C。

正是上述參數(shù)，讓FHA75T65V1DLIGBT單管是能更好代換JT075N065WED型號參數(shù)用于變頻器的電路。

FHA75T65V1DL擁有高速開關(guān)，低開關(guān)損耗；參數(shù)一致性高；正溫度系數(shù)；無鉛，滿足ROHS環(huán)保要求等產(chǎn)品特點。讓其不僅能用于變頻器電路，也廣泛應(yīng)用于UPS、電焊機、開關(guān)電源等硬開關(guān)拓?fù)鋱龊稀?/p>

好產(chǎn)品才能贏得市場。若您在變頻器研發(fā)中遇到IGBT選型問題，特別是需要選擇75A、650V規(guī)格的IGBT單管，我們強烈推薦選用FHA75T65V1DL型號。

除參數(shù)適合外，飛虹的工程師還會提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品測試服務(wù)。飛虹致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，給廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有35年半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗。除可提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制IGBT單管產(chǎn)品。