不同的變頻器對(duì)于IGBT單管使用的關(guān)注點(diǎn)會(huì)有所區(qū)別，常見(jiàn)使用的關(guān)注點(diǎn)會(huì)有開(kāi)關(guān)特性、低導(dǎo)通損耗 (VCE(sat))、良好的熱性能 、反向并聯(lián)二極管性能等。因此，在選擇可以代換JT075N065WED型號(hào)IGBT單管用于變頻器時(shí)，工程師必須重點(diǎn)評(píng)估上述關(guān)鍵需求點(diǎn)。

飛虹半導(dǎo)體始終在工程師角度來(lái)思考推薦，今天推薦的這一款I(lǐng)GBT單管是能代換JT075N065WED型號(hào)適用于各類工業(yè)及通用變頻器應(yīng)用。

它就是FHA75T65V1DL型號(hào)IGBT單管，它具有75A、650V電流、電壓參數(shù)，完全滿足變頻器功率級(jí)的設(shè)計(jì)要求，并能無(wú)縫代換JT075N065WED IGBT單管。

FHA75T65V1DL采用飛虹第七代場(chǎng)截止（Trench Field Stop VII）技術(shù)工藝設(shè)計(jì)：

實(shí)現(xiàn)極低的VCE(sat) (典型值1.55V，最大值1.8V)，顯著降低導(dǎo)通損耗。

優(yōu)化的開(kāi)關(guān)特性：提供高速開(kāi)關(guān)能力（降低開(kāi)關(guān)損耗），同時(shí)通過(guò)工藝控制開(kāi)關(guān)過(guò)程的di/dt和dv/dt，有助于改善EMI性能并降低關(guān)斷電壓尖峰。

優(yōu)異的短路耐受能力(SCWT)：確保在電機(jī)側(cè)發(fā)生短路故障時(shí)，器件能承受短時(shí)間的過(guò)流沖擊，為保護(hù)電路動(dòng)作提供關(guān)鍵時(shí)間窗口。

極短的拖尾電流：有助于降低關(guān)斷損耗。

在封裝上面，該IGBT單管屬于TO-247-3L外形封裝，合封了快恢復(fù)二極管，支持雙向能量流動(dòng)，且適配市場(chǎng)大多數(shù)電路設(shè)計(jì)。

從FHA75T65V1DL的IGBT單管參數(shù)可看：Vge（th）（±V）：30；IC-100℃（A）：75A；V(BR)CES(V)：650V。飽和壓降VCESAT(V)：1.55V（Typ）、1.8V（Max）；最高結(jié)溫Tjmax = 175°C。

正是上述參數(shù)，讓FHA75T65V1DLIGBT單管是能更好代換JT075N065WED型號(hào)參數(shù)用于變頻器的電路。

FHA75T65V1DL擁有高速開(kāi)關(guān)，低開(kāi)關(guān)損耗；參數(shù)一致性高；正溫度系數(shù)；無(wú)鉛，滿足ROHS環(huán)保要求等產(chǎn)品特點(diǎn)。讓其不僅能用于變頻器電路，也廣泛應(yīng)用于UPS、電焊機(jī)、開(kāi)關(guān)電源等硬開(kāi)關(guān)拓?fù)鋱?chǎng)合。

好產(chǎn)品才能贏得市場(chǎng)。若您在變頻器研發(fā)中遇到IGBT選型問(wèn)題，特別是需要選擇75A、650V規(guī)格的IGBT單管，我們強(qiáng)烈推薦選用FHA75T65V1DL型號(hào)。

除參數(shù)適合外，飛虹的工程師還會(huì)提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品測(cè)試服務(wù)。飛虹致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，給廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有35年半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗(yàn)。除可提供免費(fèi)試樣外，更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制IGBT單管產(chǎn)品。