全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場"功率革命"：800V高壓平臺滲透率提高，車規(guī)級SiC模塊的市場需求增速爆發(fā)。

在這片被英飛凌、意法半導體等國際巨頭長期壟斷的賽道上，一家成立僅5年左右的中國新銳企業(yè)——利普思，正通過技術(shù)創(chuàng)新和規(guī)?；a(chǎn)，逐步提升國產(chǎn)競爭力。

總投資10億元! 年產(chǎn)車規(guī)級SiC模塊300萬只

2025年3月1日，總投資10億元的利普思車規(guī)級SiC模塊項目在江蘇江都開發(fā)區(qū)正式動工。

SiC作為第三代半導體材料的代表，因其高擊穿電場、高熱導率、低導通損耗等優(yōu)異特性，在新能源汽車、光伏、儲能等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。

據(jù)了解，該SiC項目占地32畝，項目建成后可實現(xiàn)年產(chǎn)車規(guī)級SiC模塊300萬只，年銷售收入10億元，年稅收5000萬元，經(jīng)濟效益顯著。

值得關(guān)注的是，此次新建SiC產(chǎn)能將與現(xiàn)有生產(chǎn)基地形成協(xié)同發(fā)展格局。

利普思在無錫和日本已建成成熟產(chǎn)線。待新項目投產(chǎn)后，將形成SiC模塊年產(chǎn)能超360萬只的“質(zhì)”的突破。

通過中國長三角與日本地區(qū)的產(chǎn)能聯(lián)動，利普思將構(gòu)建起輻射整個東亞汽車市場的戰(zhàn)略支點體系。

同時，這一產(chǎn)能擴張戰(zhàn)略深度契合新能源汽車產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展需求。

隨著汽車電氣化進程加速，48V電氣架構(gòu)、800V電壓平臺正成為行業(yè)主流配置方案，而作為電驅(qū)系統(tǒng)"心臟"的車規(guī)級SiC功率模塊，其市場需求呈現(xiàn)爆增態(tài)勢。

QYResearch數(shù)據(jù)顯示，2023年全球車規(guī)級SiC功率模組市場銷售額達到了125億元，預計2030年將達到657.1億元，年復合增長率(CAGR)為24.1%(2024-2030)。

面對百億級市場機遇，利普思通過規(guī)?；a(chǎn)實現(xiàn)降本增效的良性循環(huán)。同時，依托長三角地區(qū)完善的半導體產(chǎn)業(yè)鏈和新能源汽車產(chǎn)業(yè)集群，企業(yè)得以實現(xiàn)供應鏈深度協(xié)同，將優(yōu)勢轉(zhuǎn)化為強勁的市場競爭力。

盡管車規(guī)級SiC模塊市場的主要競爭者包括意法半導體、比亞迪半導體、英飛凌等知名企業(yè)，利普思正通過技術(shù)創(chuàng)新和規(guī)?；a(chǎn)，正在逐步提升其市場競爭力。

不過，在全球半導體巨頭紛紛布局SiC賽道的背景下，利普思大幅擴充產(chǎn)能，究竟有何制勝法寶?

ArcbondingTM技術(shù) 獲北美Tier1項目定點

利普思成立于2019年，專注于第三代功率半導體SiC模塊的封裝設計、制造與銷售。

公司于2021年先后完成Pre-A輪4000萬元融資及近億元人民幣A輪融資;2022年獲數(shù)千萬元A+輪融資;2023年獲逾億元Pre-B輪融資。

公司核心產(chǎn)品HPD SiC模塊在800V電壓平臺下峰值功率達250kW，并采用自主專利ArcbondingTM技術(shù)。

圖/利普思

相較傳統(tǒng)SiC模塊，采用ArcbondingTM技術(shù)的HPD SiC模塊，具有顯著優(yōu)勢：更大的電流、更低的導通電阻、更小的寄生電感和熱阻，以及更優(yōu)的開關(guān)損耗表現(xiàn)。

在技術(shù)性能方面，該模塊支持6-10個SiC芯片并聯(lián)，在保持低寄生電阻和電感的同時，兼具優(yōu)異的動態(tài)開關(guān)性能。

據(jù)悉，HPD SiC模塊于2024年獲得北美知名新能源汽車Tier1項目定點。

此外，利普思開發(fā)的新一代塑封半橋SiC模塊——LPS-Pack系列，采用Pressfit Pin技術(shù)實現(xiàn)信號和電流傳輸，實現(xiàn)SiC on PCB架構(gòu)，使電流直接通過PCB，顯著降低模塊和系統(tǒng)的寄生電感，同時減小控制器體積，降低銅排和電容成本。

圖/利普思

該系列采用新型塑封工藝，Tjmax達200℃。單模塊在小于26cm2的面積內(nèi)可實現(xiàn)300Arms以上的最大電流輸出。

盡管技術(shù)優(yōu)勢顯著，利普思仍需直面行業(yè)共性難題：

技術(shù)卡脖子：英飛凌、意法半導體等國際巨頭持有全球多數(shù)SiC核心專利，國內(nèi)企業(yè)需在芯片設計、封裝工藝等環(huán)節(jié)加速突破;

成本困局：SiC襯底良率不足導致模塊成本居高不下，規(guī)模化降本依賴上下游協(xié)同;

供應鏈風險：全球SiC襯底產(chǎn)能大部分集中于海外企業(yè)，地緣政治波動可能加劇原材料供應不確定性。

小結(jié)

利普思江都項目的投產(chǎn)，是企業(yè)發(fā)展征程中的關(guān)鍵一步，更是我國半導體產(chǎn)業(yè)在車規(guī)級 SiC 領(lǐng)域奮進的生動縮影。這個從無錫起步的企業(yè)，用自主專利技術(shù)勾勒出國產(chǎn)替代的現(xiàn)實路徑。

然而，從行業(yè)整體來看，利普思所面臨的 “技術(shù)卡脖子”“成本困局”“供應鏈風險” 等難題，絕非個別企業(yè)的困境，而是整個中國車規(guī)級 SiC 產(chǎn)業(yè)發(fā)展路上的 “攔路虎”。

破解這些難題，更需要企業(yè)、科研機構(gòu)、行業(yè)協(xié)會乃至政府部門協(xié)同發(fā)力。

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審核編輯 黃宇