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N-TOPCon半片電池正面切割工藝:PL/EL揭示磷擴(kuò)散機(jī)制提升切割良率

美能光伏 ? 2025-07-25 09:03 ? 次閱讀
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太陽(yáng)能電池作為光伏組件的核心部件,其加工工藝直接影響組件功率與可靠性。為滿足組件電壓/電流靈活設(shè)計(jì)及適應(yīng)晶硅電池大尺寸化趨勢(shì),需將電池分割為小片。因此半片技術(shù)成為行業(yè)主流,而熱激光分離 TLS因其低熱損傷、高切割良率被廣泛采用,但傳統(tǒng)的背面切割可能導(dǎo)致漏點(diǎn)增加,影響電池效率。因此,本文通過(guò)對(duì)比實(shí)驗(yàn)探究正面切割與背面切割的差異,美能PL/EL一體機(jī)測(cè)試儀PL/EL 成像可以揭示正面切割的優(yōu)勢(shì)及機(jī)理,為N-TOPCon 電池切割工藝優(yōu)化提供參考。

實(shí)驗(yàn)方法

Millennial Solar



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激光切割方向:(a) 正面切割;(b) 背面切割

采用210 mm×182 mm N-TOPCon電池,開槽激光波長(zhǎng)1064nm,加熱激光直徑2.0mm。通過(guò)SEM觀察表面形貌、EDS分析元素?cái)U(kuò)散、I–V測(cè)試電學(xué)性能、光致發(fā)光PL評(píng)估邊緣復(fù)合效應(yīng)、EL驗(yàn)證組件質(zhì)量。

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光伏組件封裝結(jié)構(gòu)示意圖

電池和組件I-V性能

Millennial Solar



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正/背面切割后太陽(yáng)能電池的I-V性能對(duì)比

電池 I-V 性能:正面切割和背面切割后的電池效率Eta、短路電流Isc等參數(shù)均有輕微下降,但背面切割的 Eta 衰減率比正面切割高約 0.26%,這主要源于背面切割的填充因子FF損失更顯著(與電流泄漏相關(guān))。

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組件電致發(fā)光EL圖:(a) 背面切割;(b) 正面切割

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正/背面切割組件的電性能參數(shù)對(duì)比

組件 I-V 性能:組件測(cè)試顯示正面切割平均功率比背面切割高0.3W,EL圖像無(wú)顯著差異。結(jié)果顯示,正切工藝優(yōu)于背切工藝。

漏電機(jī)理分析

Millennial Solar



溝槽形貌(SEM):正面切割溝槽寬度1.9mm,熱影響區(qū)占電池厚度60%,邊緣平整無(wú)微裂。

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正面切割電池的PL測(cè)試結(jié)果(開槽寬度2mm與10mm)

邊緣復(fù)合(PL測(cè)試):正面切割邊緣亮度與未切割區(qū)一致,復(fù)合損失小。

反向偏壓漏電流:正面切割漏電流更低且數(shù)據(jù)分散性小。

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(a) 激光切割前后新漏電點(diǎn)分布;(b) 新漏電點(diǎn)形成概率統(tǒng)計(jì)

漏電點(diǎn)生成概率:

高漏流電池(0.5–1A):正面切割新漏點(diǎn)概率30%vs. 背面63%

低漏流電池(<0.2A):正面僅3%vs. 背面12%。

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電池SEM-EDS圖像:(a) 背面切割;(b) 正面切割

元素?cái)U(kuò)散(EDS):背面切割熱影響區(qū)檢測(cè)到P元素(源于背面磷摻雜層擴(kuò)散),正面切割僅在背面殘留P元素。

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N-TOPCon太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖

本研究揭示傳統(tǒng)背面切割在電池兩端溝槽處易形成漏電點(diǎn)的核心機(jī)制在于磷P元素?cái)U(kuò)散,并創(chuàng)新性提出正面TLS切割方案。通過(guò)系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)證實(shí):正面切割可顯著降低反向偏壓漏電流、提升數(shù)據(jù)收斂性與擊穿穩(wěn)定性,最終實(shí)現(xiàn)組件功率增益(約0.3W),為N-TOPCon電池的高效切割提供技術(shù)支撐。

N-TOPCon 電池的正面切割工藝可直接應(yīng)用于現(xiàn)有生產(chǎn)線,無(wú)需額外改造即可提升切割后電池的效率和切割良率。

美能PL/EL一體機(jī)測(cè)試儀

Millennial Solar




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美能PL/EL一體機(jī)測(cè)試儀模擬太陽(yáng)光照射鈣鈦礦太陽(yáng)能電池片,均勻照亮整個(gè)樣品,并用專業(yè)的鏡頭采集光致發(fā)光(PL)信號(hào),獲得PL成像;電致發(fā)光(EL)信號(hào),獲得EL成像。通過(guò)圖像算法和軟件對(duì)捕獲的PL/EL成像進(jìn)行處理和分析,并識(shí)別出PL/EL缺陷,根據(jù)其特征進(jìn)行分析、分類、歸納等。

  • EL/PL成像,500萬(wàn)像素,實(shí)現(xiàn)多種成像精度切換
  • 光譜響應(yīng)范圍:400nm~1200nm
  • PL光源:藍(lán)光(可定制光源尺寸、波長(zhǎng)等)
  • 多種缺陷識(shí)別分析(麻點(diǎn)、發(fā)暗、邊緣入侵等)可定制缺陷種類

美能PL/EL一體機(jī)測(cè)試儀的PL/EL 成像技術(shù)可以從微觀和宏觀層面驗(yàn)證N-TOPCon 電池正面和背面切割工藝的差異原因,為光伏組件功率提升提供了可行的技術(shù)路徑。

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