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德州儀器技術(shù)干貨 GaN 如何改進光伏充電控制器

A面面觀 ? 來源:廠商供稿 ? 2025-07-28 15:38 ? 次閱讀
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本應(yīng)用簡報介紹 TI GaN 器件如何改進光伏充電控制器。與 MOSFET 相比,使用 TI GaN 器件可提高效率并減小 PCB 尺寸,而且不會增加 BOM 成本。

電子電氣設(shè)備快速發(fā)展,需要提供的功率比以往任何時候都大得多。對于許多家庭來說,要縮減電費支出或助力實現(xiàn)綠色可持續(xù)的未來,太陽能都是不錯的選擇,而半導(dǎo)體在其中發(fā)揮著重要作用。

適用于光伏應(yīng)用的緊湊型高效電源轉(zhuǎn)換器既能幫助用戶減少室內(nèi)占用面積,又能節(jié)省成本。氮化鎵 (GaN) 使得這一趨勢成為可能。TI 的新款中壓 GaN 設(shè)計通過集成驅(qū)動器并優(yōu)化電源環(huán)路,使設(shè)計得以大幅簡化。

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圖 1:TI LMG2100

光伏充電控制器可與光伏 (PV) 陣列配合使用,采用最大功率點跟蹤 (MPPT) 算法為離網(wǎng)和混合離網(wǎng)應(yīng)用中的電池和電氣負載發(fā)電。輸出電壓和輸出電流是經(jīng)過調(diào)節(jié)的結(jié)果。控制器可以安全地調(diào)節(jié)電池,防止過度充電或過度放電,從而延長電池壽命。光伏充電控制器內(nèi)部的高效電源轉(zhuǎn)換器可以更大限度地提高太陽能發(fā)電量。

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圖 2:光伏充電控制器圖

TIDA-010042參考設(shè)計是一款光伏充電控制器,支持 15V 至 60V 輸入電壓以及 12V/24V 電池,可提供 400W 以上的功率。在包含兩相交錯降壓轉(zhuǎn)換器的舊設(shè)計中,選擇了 CSD19531Q5A 作為主電源開關(guān) MOSFET,每相開關(guān)頻率為 180kHz。

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圖 3:舊 TIDA-010042 板

在 12V 和 24V 負載條件下以 0.6 的固定占空比對電路板進行測試。在12V 負載下,峰值效率為 96.7%歐洲加權(quán)效率約為 96.4%。在24V 負載下,峰值效率為 97.3%,歐洲加權(quán)效率約為 96.4%。

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圖 4:舊 TIDA-010042 效率曲線

GaN 器件可在相同或更低損耗下實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率,只需將 MOSFET 更改為TI 全新的中壓 GaN 器件 LMG2100即可,這款器件具有更低的 Rds(on)和低得多的寄生電容。具有更高開關(guān)頻率的轉(zhuǎn)換器可以使無源器件更小,從而減小 PCB 尺寸并降低成本。此外,更高的效率可降低熱耗散,在使用同一光伏電池板的情況下可輸出更多功率,從而節(jié)省散熱材料和電費。

新的TIDA-010042使用LMG2100作為單相降壓轉(zhuǎn)換器功率級,簡化了設(shè)計要求。通過引入LMG2100,PCB 面積節(jié)省了約 37%,BOM 成本也下降了 37%

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圖 5:新 TIDA-010042 板

與采用 MOSFET 的TIDA-010042相同的條件下進行測試,但改用 GaN 和 2 層 PCB 且開關(guān)頻率為 250kHz;在 12V 負載和 24V 負載下的峰值效率分別為 98.4% 和 98.5%。歐洲加權(quán)效率分別為 97.5% 和 98.2%。與 MOSFET 版本相比,峰值效率提高了至少 1.2%,歐洲加權(quán)效率提高了至少 1.1%,同時 BOM 成本進一步降低。

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圖 6:新 TIDA-010042 效率

為了充分利用 GaN 器件的功能,TI 建議使用至少4 層 PCB,由于導(dǎo)通和關(guān)斷速度很快,因此其所需的降壓轉(zhuǎn)換器輸入環(huán)路電感極低。4 層 PCB 板非常小,因此可以通過優(yōu)化布局來幫助盡可能降低輸入環(huán)路電感,而且不會增加很多成本。通過增加 2 層,PCB 損耗和開關(guān)損耗大幅降低,同時效率進一步提高。在 12V 和 24V 負載下,歐洲加權(quán)效率分別為 97.9% 和 98.5%,與 2 層版本相比提升了 0.3% 左右。圖 7 所示為使用 TI GaN 和 MOSFET 的光伏充電控制器之間的效率比較情況,顯示出有很大的性能提升。

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圖 7:使用 12V 負載系統(tǒng)進行測試

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圖 8:使用 24V 負載系統(tǒng)進行測試

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圖 9:BOM 成本比較

圖 9 顯示了 BOM 成本比較情況。舊版本采用交錯降壓轉(zhuǎn)換器和 MOSFET,需要更多無源器件來降低成本并會增大尺寸。主要的節(jié)省來自電感器和無源器件。此外,在使用 4 層電路板的情況下,GaN 器件可以在 400W 的條件下將所有熱量散發(fā)到 PCB 中,無需添加風(fēng)扇或散熱器,結(jié)溫遠低于安全工作區(qū)。圖 9 中未考慮散熱材料的節(jié)省情況。

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德州儀器(TI)(納斯達克股票代碼:TXN)是一家全球性的半導(dǎo)體公司,從事設(shè)計、制造和銷售模擬嵌入式處理芯片,用于工業(yè)、汽車、個人電子產(chǎn)品、企業(yè)系統(tǒng)和通信設(shè)備等市場。我們致力于通過半導(dǎo)體技術(shù)讓電子產(chǎn)品更經(jīng)濟實用,讓世界更美好。如今,每一代創(chuàng)新都建立在上一代創(chuàng)新的基礎(chǔ)上,使我們的技術(shù)變得更可靠、更經(jīng)濟、更節(jié)能,從而實現(xiàn)半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
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原文標(biāo)題:技術(shù)干貨 | GaN 如何改進光伏充電控制器

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