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數(shù)明半導(dǎo)體推出用于開關(guān)穩(wěn)壓器的低邊MOSFET控制器

數(shù)明半導(dǎo)體 ? 來源:數(shù)明半導(dǎo)體 ? 2025-07-30 17:56 ? 次閱讀
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新 品 發(fā) 布

工業(yè)自動化加速推進(jìn)、汽車產(chǎn)業(yè)電動化與智能化浪潮洶涌的當(dāng)下,電源管理作為電子設(shè)備穩(wěn)定運行的基石,其重要性愈發(fā)凸顯。

工業(yè)與汽車電源管理面臨的挑戰(zhàn)

在工業(yè)領(lǐng)域中,分布式電力系統(tǒng)、電池充電器、離線電源以及電信電源等應(yīng)用對輸入電壓需求差異巨大,從低電壓便攜設(shè)備到高電壓工業(yè)電機驅(qū)動,單一輸入電壓范圍已難以滿足實際需求。同時,工業(yè)環(huán)境電磁干擾嚴(yán)重,傳統(tǒng)電源管理芯片固定開關(guān)頻率易致能量集中,加劇電磁干擾,影響設(shè)備的穩(wěn)定運行。而且,工業(yè)設(shè)備對電源穩(wěn)定性和可靠性要求極高,電源故障會直接中斷生產(chǎn),造成重大經(jīng)濟(jì)損失。

在汽車領(lǐng)域中,汽車動力系統(tǒng)作為核心,對電源穩(wěn)定性和安全性要求近乎嚴(yán)苛,行駛過程中,動力系統(tǒng)會經(jīng)歷急加速、急剎車、長時間爬坡等復(fù)雜工況,導(dǎo)致電源負(fù)載頻繁變化。傳統(tǒng)電源管理芯片難以在動態(tài)負(fù)載條件下實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換,降低能源利用效率,影響汽車的動力性能。此外,汽車內(nèi)部空間有限,對電源管理芯片封裝尺寸限制嚴(yán)格,如何在有限空間內(nèi)實現(xiàn)高性能電源管理成為一大難題。

數(shù)明半導(dǎo)體SiLM6478/6481:高性能解決方案

數(shù)明半導(dǎo)體憑借深厚技術(shù)積累與敏銳市場洞察,推出用于開關(guān)穩(wěn)壓器的多功能低壓側(cè) N 溝道 MOSFET 控制器SiLM6478/6481,為工業(yè)和汽車市場提供高性能、低成本的電源管理方案。

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圖1. SiLM6478典型應(yīng)用圖

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圖2. SiLM6481典型應(yīng)用圖

產(chǎn) 品 優(yōu) 勢

01寬輸入電壓范圍,滿足多元需求

SiLM6478/6481 具備 3V ~ 60V 的寬輸入電壓范圍,可輕松適配工業(yè)與汽車領(lǐng)域的多元電壓需求。無論是低電壓便攜設(shè)備、高電壓工業(yè)電機驅(qū)動,還是汽車動力系統(tǒng)的復(fù)雜電壓環(huán)境,都能穩(wěn)定供電,大幅提升產(chǎn)品的通用性與適應(yīng)性。

02可調(diào)節(jié)開關(guān)頻率,優(yōu)化性能與干擾

該系列芯片支持通過 FA/SD 引腳調(diào)節(jié)工作頻率,范圍達(dá) 100kHz ~ 2.2MHz。用戶可根據(jù)系統(tǒng)負(fù)載條件靈活調(diào)整開關(guān)頻率,實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。低負(fù)載時降低頻率,減少開關(guān)損耗,提高能源利用效率;高負(fù)載時提高頻率,增強系統(tǒng)響應(yīng)速度,確保設(shè)備穩(wěn)定運行。同時,調(diào)整頻率可避免特定頻段能量集中,有效降低電磁干擾,保障工業(yè)和汽車設(shè)備正常運行。

03內(nèi)置強大驅(qū)動,簡化電路設(shè)計

SiLM6478/6481 內(nèi)置最大 1.5A 低邊 N 溝道MOSFET 門極驅(qū)動器,無需額外添加驅(qū)動電路即可驅(qū)動市面上絕大部分 N 溝道 MOSFET。這一設(shè)計簡化了電路設(shè)計,減少了元件用量,降低了成本。而且,內(nèi)置驅(qū)動響應(yīng)快、驅(qū)動高效,可確保 MOSFET 快速開關(guān),提升電源轉(zhuǎn)換效率。

04寬輸入電壓范圍,滿足多元需求

通過片外環(huán)路補償 RC 調(diào)節(jié)環(huán)路帶寬與相位,用戶可按需選擇合適的 RC 參數(shù),滿足不同應(yīng)用對環(huán)路響應(yīng)速度和穩(wěn)定性的要求,靈活適配復(fù)雜電源管理場景,賦予用戶更大設(shè)計自由度。

05超低關(guān)斷電流,節(jié)能又高效

允許通過 FA/SD 引腳配置芯片進(jìn)入關(guān)斷模式,關(guān)斷模式下靜態(tài)電流僅為 3μA(Typ.)。超低關(guān)斷電流特性使芯片在待機狀態(tài)下能最大程度降低功耗,延長設(shè)備使用壽命,高度適配對功耗要求嚴(yán)苛的工業(yè)和汽車場景。

06支持多種拓?fù)鋺?yīng)用,拓展應(yīng)用邊界

支持 Boost、Flyback、Sepic 等多種拓?fù)?,適配工業(yè)和汽車領(lǐng)域不同電源架構(gòu)。無論是升壓、降壓還是反激式電源設(shè)計,SiLM6478/6481 都能提供出色的性能和穩(wěn)定性,為用戶提供更多設(shè)計選擇。

07集成多重保護(hù),保障安全可靠

SiLM6478/6481 集成多重保護(hù)功能:軟啟動限制啟動沖擊電流,峰值電流保護(hù)防止電源變換器過流受損,過溫關(guān)斷在超溫時自動關(guān)斷,過載保護(hù)集成打嗝模式,還集成過電壓保護(hù)。這些保護(hù)功能相互配合,筑牢安全防線,有效防止芯片在異常情況下受損,提升設(shè)備可靠性與壽命。

08符合車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn),品質(zhì)有保障

SiLM6478/6481 符合車規(guī)級 AEC - Q100 標(biāo)準(zhǔn),可確保系統(tǒng)長期穩(wěn)定運行,減少故障發(fā)生概率,為汽車安全行駛提供有力保障。

09緊湊封裝設(shè)計,節(jié)省空間

該系列芯片采用緊湊的封裝形式:SiLM6478(MSOP8),SiLM6481(MSOP10),體積小巧,完美適配汽車內(nèi)部狹小緊湊的空間布局,輕松滿足有限空間的設(shè)計需求。同時,緊湊封裝設(shè)計優(yōu)化了散熱路徑,有效提升芯片散熱性,確保芯片在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。

產(chǎn) 品 特 性

寬輸入電壓范圍:3V ~ 60V

可調(diào)節(jié)頻率范圍:100kHz ~ 2.2MHz

峰值電流控制模式

1.26V 基準(zhǔn)電壓,溫度范圍內(nèi)精度為 ±1.0%

超低關(guān)斷電流:3μA (Typ.)

最大驅(qū)動電流:1.5A

集成軟啟動以限制沖擊電流

過載保護(hù)集成打嗝模式

集成過電壓保護(hù)和熱關(guān)斷保護(hù)

支持應(yīng)用: Boost、Flyback、Sepic 等

符合汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn):AEC-Q100

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原文標(biāo)題:新品發(fā)布丨數(shù)明半導(dǎo)體SiLM6478/6481:用于開關(guān)穩(wěn)壓器的低邊MOSFET控制器,賦能工業(yè)與汽車

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