01、驅(qū)動(dòng)電壓的選擇

IGBT模塊GE 間驅(qū)動(dòng)電壓可由不同地驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。

典型的IGBT驅(qū)動(dòng)電路如圖5.1 所示。

圖5.1 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路示意圖

Q1，Q2為驅(qū)動(dòng)功率推挽放大，通過光耦隔離后的信號(hào)需通過Q1，Q2推挽放大。選擇Q1，Q2其耐壓需大于50V。選擇驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，需考慮幾個(gè)因素。由于IGBT輸入電容較MOSFET大，因此IGBT關(guān)斷時(shí)，最好加一個(gè)負(fù)偏電壓，且負(fù)偏電壓比MOSFET大，IGBT負(fù)偏壓值最好在－5V~―10V之內(nèi)；開通時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓最佳值為15V，15V的驅(qū)動(dòng)電壓足夠使IGBT 處于充分飽和，這時(shí)通態(tài)壓降也比較低，同時(shí)又能有效地限制短路電流值和因此產(chǎn)生的應(yīng)力。若驅(qū)動(dòng)電壓低于12V，則IGBT通態(tài)損耗較大， IGBT處于欠壓驅(qū)動(dòng)狀態(tài)；若VGE>20V，則難以實(shí)現(xiàn)電流的過流、短路保護(hù)，影響IGBT可靠工作。

02、柵極驅(qū)動(dòng)功率的計(jì)算

由于IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，需要的驅(qū)動(dòng)功率值比較小，一般情況下可以不考慮驅(qū)動(dòng)功率問題。但對(duì)于大功率IGBT，或要求并聯(lián)運(yùn)行的IGBT則需考慮驅(qū)動(dòng)功率。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率受到驅(qū)動(dòng)電壓即開通VGE(on)和關(guān)斷VGE(off)電壓，柵極總電荷QG和開關(guān)頻率f的影響。

柵極驅(qū)動(dòng)電源的平均功率PAV 計(jì)算公式為：

PAV＝（VGE(on)＋VGE(off)）·QG·f

對(duì)一般情況：

VGE(on)＝15V，VGE(off)＝10V

則PAV 簡化為：PAV=25×QG×f。

QG為柵極總電荷與CGE有關(guān)，從EUPEC的數(shù)據(jù)資料上可查到。若IGBT并聯(lián)，則QG是各個(gè)IGBT QG之和。f為IGBT開關(guān)頻率。