適配器的 EMC測(cè)試要求 是確保其在工作中不會(huì)產(chǎn)生超標(biāo)電磁干擾（EMI），同時(shí)具備一定的抗干擾能力（EMS）。適配器出口歐美、東南亞、日韓等主流市場(chǎng)時(shí)，EMC測(cè)試是強(qiáng)制性，并需通過(guò)相應(yīng)的認(rèn)證（如 CE、FCC、CCC、PSE 等）。

一、適配器EMC測(cè)試的主要項(xiàng)目及技術(shù)要求

1. 傳導(dǎo)騷擾（Conducted Emission）

測(cè)試內(nèi)容：測(cè)量適配器在 150kHz ~ 30MHz 頻段內(nèi)，通過(guò)電源線(xiàn)傳導(dǎo)的電磁干擾。

測(cè)試工具：LISN（線(xiàn)路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)）、EMI接收機(jī)

限值標(biāo)準(zhǔn)：

Class B（家用設(shè)備）適配器適用的騷擾限值最嚴(yán)格；

典型標(biāo)準(zhǔn)如：EN 55032、FCC Part 15B（Class B）

2. 輻射騷擾（Radiated Emission）

測(cè)試內(nèi)容：測(cè)量適配器在 30MHz ~ 1GHz（或更高頻段）通過(guò)空間輻射的電磁干擾。

測(cè)試環(huán)境：3米或10米暗室（電波暗室或開(kāi)闊場(chǎng)地）

限值標(biāo)準(zhǔn)：

同樣適用 Class B 限值；

對(duì)應(yīng)的法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)：EN 55032、FCC Part 15B。

3. 電快速瞬變脈沖群（EFT/Burst）

測(cè)試內(nèi)容：模擬電源線(xiàn)上瞬時(shí)高頻尖峰干擾。

測(cè)試要求：

典型測(cè)試等級(jí)：±1kV（電源線(xiàn)）

標(biāo)準(zhǔn)：IEC/EN 61000-4-4

4. 浪涌抗擾度（Surge）

測(cè)試內(nèi)容：模擬雷擊或大型設(shè)備啟動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的浪涌干擾。

測(cè)試要求：

測(cè)試等級(jí)：±1kV（差模）或±2kV（共模）

標(biāo)準(zhǔn)：IEC/EN 61000-4-5

5. 靜電放電抗擾度（ESD）

測(cè)試內(nèi)容：模擬人體或物體靜電放電對(duì)適配器的影響。

測(cè)試要求：

接觸放電：±4kV，空氣放電：±8kV

標(biāo)準(zhǔn)：IEC/EN 61000-4-2

6. 射頻電磁場(chǎng)抗擾度（RS）

測(cè)試內(nèi)容：評(píng)估設(shè)備對(duì)外部無(wú)線(xiàn)信號(hào)（如手機(jī)、Wi-Fi）的抗干擾能力。

測(cè)試要求：

頻率范圍：80MHz ~ 1GHz，電場(chǎng)強(qiáng)度：3V/m

標(biāo)準(zhǔn)：IEC/EN 61000-4-3

二、各國(guó)/地區(qū)的EMC標(biāo)準(zhǔn)適配（適配器）

三、適配器EMC測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)

四、EMC測(cè)試基本流程（適配器）

技術(shù)資料準(zhǔn)備

電路圖、規(guī)格書(shū)、標(biāo)簽、說(shuō)明書(shū)

測(cè)試準(zhǔn)備

按照適配器最大功率配置負(fù)載設(shè)備

確認(rèn)測(cè)試場(chǎng)地與環(huán)境（暗室/LISN）

執(zhí)行EMC測(cè)試

完成所有發(fā)射與抗擾度項(xiàng)目

出具報(bào)告與整改（如不合格需整改重測(cè)）

認(rèn)證發(fā)證

EMC報(bào)告是CE、FCC、CCC等認(rèn)證的必要文件

總結(jié)：

適配器的EMC測(cè)試要求全面，涵蓋騷擾發(fā)射與抗干擾能力，是CE、FCC等認(rèn)證核心內(nèi)容之一。家用適配器需滿(mǎn)足Class B限值，測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與報(bào)告需出自具備資質(zhì)的實(shí)驗(yàn)室（如CNAS、ILAC認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室）。