全球存儲解決方案領(lǐng)軍企業(yè)Kioxia Corporation今日宣布，已開始提供面向汽車應(yīng)用的全新通用閃存存儲(2) (UFS) 4.1版本嵌入式存儲設(shè)備樣品(1)。這些新設(shè)備專為滿足下一代車載系統(tǒng)的嚴(yán)苛需求而設(shè)計，憑借Kioxia第8代BiCS FLASH? 3D閃存及自研控制器技術(shù)，在性能、靈活性和診斷功能方面實現(xiàn)顯著提升。

新款UFS 4.1設(shè)備提供128GB、256GB、512GB和1TB多種容量選擇，旨在滿足信息娛樂系統(tǒng)、高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、車載遠(yuǎn)程信息處理、域控制器及車載計算機等場景的需求。產(chǎn)品符合AEC-Q100/104(3) Grade 2標(biāo)準(zhǔn)，支持最高115°C的外殼溫度。

相較于Kioxia的UFS 3.1代產(chǎn)品(4)，新款UFS 4.1 (512GB)設(shè)備的性能提升如下：

連續(xù)讀取性能約提升2.1倍

連續(xù)寫入性能約提升2.5倍

隨機讀取性能約提升2.1倍

隨機寫入性能約提升3.7倍

這些改進將為數(shù)據(jù)密集型車載環(huán)境帶來更流暢的用戶體驗。

核心特性包括：

符合UFS 4.1規(guī)范，包括與WriteBooster相關(guān)的擴展功能（如WriteBooster緩沖區(qū)調(diào)整和固定部分刷新模式），為優(yōu)化性能提供更高靈活性。UFS 4.1向后兼容UFS 4.0和UFS 3.1。

增強的診斷能力，新增廠商特定的設(shè)備健康描述符，簡化設(shè)備狀態(tài)監(jiān)控和預(yù)測性維護。

采用第8代BiCS FLASH? 3D閃存。

Kioxia的UFS 4.1設(shè)備在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)封裝中集成了公司創(chuàng)新的BiCS FLASH? 3D閃存和控制器。這些全新UFS設(shè)備采用Kioxia第8代BiCS FLASH? 3D閃存打造。該代產(chǎn)品引入了CBA（CMOS直接鍵合至陣列）技術(shù)——這一架構(gòu)創(chuàng)新標(biāo)志著閃存設(shè)計的重大飛躍。通過將CMOS電路直接鍵合至存儲陣列，CBA技術(shù)大幅提升了能效、性能和存儲密度。

*在每次提及Kioxia產(chǎn)品時：產(chǎn)品密度是根據(jù)產(chǎn)品內(nèi)部存儲芯片的密度確定的，而非最終用戶可用于數(shù)據(jù)存儲的內(nèi)存容量。由于存在冗余數(shù)據(jù)區(qū)、格式化、壞塊及其他限制，消費者可使用的容量會更少，且可能因主機設(shè)備和應(yīng)用程序的不同而有所差異。詳情請參考相關(guān)產(chǎn)品規(guī)格。1 KB定義為2^10字節(jié)=1,024字節(jié)。1 Gb定義為2^30比特=1,073,741,824比特。1 GB定義為2^30字節(jié)=1,073,741,824字節(jié)。1 Tb=2^40比特=1,099,511,627,776比特。1 TB=2^40字節(jié)=1,099,511,627,776字節(jié)。
*MB/s的計算標(biāo)準(zhǔn)為1,000,000字節(jié)/秒。
*讀寫速度為Kioxia Corporation在特定測試環(huán)境下獲得的最佳值，Kioxia Corporation不對單個設(shè)備的讀寫速度作出保證。實際讀寫速度可能因所用設(shè)備及讀寫文件大小而異。

*公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能第三方公司的商標(biāo)。

審核編輯 黃宇