設(shè)計(jì)大電流，高開關(guān)頻率同步降壓電路時(shí)，要想設(shè)計(jì)一個穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，PCB布局顯得尤為重要。同步整流ic U7110W設(shè)計(jì)同步整流電路時(shí)建議參考下圖的內(nèi)容。圖為PCB布局設(shè)計(jì)參考，包含U7110W、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。

1. 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。

2. VDD電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。

3. HV到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測點(diǎn)位置對CCM應(yīng)力有影響，HV檢測點(diǎn)離Drain引腳越遠(yuǎn)，CCM應(yīng)力越小。如圖所示的High Side配置中，建議HV通過R2電阻連接到輸出電容的正端。

4. R1和C1構(gòu)成同步整流開關(guān)的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。

5. Drain引腳的PCB散熱面積盡可能大。

6. 如圖所示，ASOP-6的封裝框架與Drain引腳電位相同，芯片切筋后，框架金屬有少量暴露，考慮到絕緣要求，外圍元器件應(yīng)與IC本體保持0.2mm以上的絕緣距離。

同步整流ic U7110W搭配氮化鎵快充芯片U8765，可以做65W快充方案。U8765主要特性如下：

1. 集成高壓 E-GaN

2. 集成高壓啟動功能

3. 超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW

4. 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

5. 集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

6. 驅(qū)動電流分檔配置

7. 集成 Boost 供電電路

8. 集成完備的保護(hù)功能：VDD過壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(hù)(OVP)、輸入欠壓保護(hù)(BOP)、片內(nèi)過熱保護(hù)(OTP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(hù)(AOCP)、短路保護(hù)(SCP)、過載保護(hù)(OLP)、過流保護(hù)(SOCP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護(hù)

9. 封裝類型 ESOP-10W

氮化鎵快充芯片U8765采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù)，同時(shí)為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動導(dǎo)致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8765采用了谷底鎖定工作模式在負(fù)載一定的情況下，導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。

高效快充方案的核心是要選對同步整流ic與快充芯片。深圳銀聯(lián)寶科技推出的多套氮化鎵快充芯片+同步整流ic+協(xié)議ic電源方案，通過內(nèi)置同步整流功能或外部組合，實(shí)現(xiàn)電源應(yīng)用的高轉(zhuǎn)換效率、低功耗和小型化！??