設計大電流，高開關頻率同步降壓電路時，要想設計一個穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，PCB布局顯得尤為重要。同步整流ic U7110W設計同步整流電路時建議參考下圖的內容。圖為PCB布局設計參考，包含U7110W、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。

1. 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。

2. VDD電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。

3. HV到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測點位置對CCM應力有影響，HV檢測點離Drain引腳越遠，CCM應力越小。如圖所示的High Side配置中，建議HV通過R2電阻連接到輸出電容的正端。

4. R1和C1構成同步整流開關的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。

5. Drain引腳的PCB散熱面積盡可能大。

6. 如圖所示，ASOP-6的封裝框架與Drain引腳電位相同，芯片切筋后，框架金屬有少量暴露，考慮到絕緣要求，外圍元器件應與IC本體保持0.2mm以上的絕緣距離。

同步整流ic U7110W搭配氮化鎵快充芯片U8765，可以做65W快充方案。U8765主要特性如下：

1. 集成高壓 E-GaN

2. 集成高壓啟動功能

3. 超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW

4. 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)

5. 集成 EMI 優(yōu)化技術

6. 驅動電流分檔配置

7. 集成 Boost 供電電路

8. 集成完備的保護功能：VDD過壓/欠壓保護(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(OVP)、輸入欠壓保護(BOP)、片內過熱保護(OTP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、短路保護(SCP)、過載保護(OLP)、過流保護(SOCP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護

9. 封裝類型 ESOP-10W

氮化鎵快充芯片U8765采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負載功率范圍內的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關損耗。芯片根據FB電壓值調節(jié)谷底個數(shù)，同時為了避免系統(tǒng)在臨界負載處的FB電壓波動導致谷底數(shù)跳變，產生噪音，U8765采用了谷底鎖定工作模式在負載一定的情況下，導通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。

高效快充方案的核心是要選對同步整流ic與快充芯片。深圳銀聯(lián)寶科技推出的多套氮化鎵快充芯片+同步整流ic+協(xié)議ic電源方案，通過內置同步整流功能或外部組合，實現(xiàn)電源應用的高轉換效率、低功耗和小型化！??