TPS6612x 包含集成的 4V 至 22V 灌電源路徑。電源路徑支持過(guò)熱和反向電流保護(hù)。VBUS具有過(guò)壓保護(hù)，其電平由可選的外部電阻分壓器設(shè)置。如果不需要過(guò)壓保護(hù)，可以通過(guò)將 OVP 端子接地來(lái)禁用它。TPS6612x 支持指示過(guò)熱事件的故障引腳。

TPS6612x 系列還支持高壓 VBUS LDO 穩(wěn)壓器（每種器件類型 3.3V 或 5V），可用于在電池沒電條件下運(yùn)行時(shí)為器件和其他系統(tǒng)組件供電。TPS66120調(diào)節(jié)至 3.3 V，TPS66121調(diào)節(jié)至 5 V。
*附件：tps66120.pdf

特性

• 集成 22 mΩ（典型值）、32V 容差 NFET 4V 至 22V 灌電流路徑，高達(dá) 5 A
• 內(nèi)置軟啟動(dòng)以限制浪涌電流
• 集成高壓VBUS LDO穩(wěn)壓器（每種器件類型3.3V或5.0V）
• 通過(guò)引腳配置可選的 VBUS 過(guò)壓保護(hù)。
• 系統(tǒng)電源和 VBUS 欠壓保護(hù)
• 過(guò)溫保護(hù)
• 反向電流保護(hù)
• 具有去毛刺故障報(bào)告功能的故障引腳
• 占地面積小的 WCSP 封裝，無(wú)需 HDI。

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?

• ?型號(hào)差異?：TPS66120輸出3.3V，TPS66121輸出5V，均采用28引腳WCSP封裝（尺寸1.606mm x 2.806mm）。
• ?核心功能?：集成22mΩ（典型值）、32V耐壓NFET的Sink路徑（支持4V-22V/5A），內(nèi)置軟啟動(dòng)、反向電流保護(hù)（RCP）、VBUS過(guò)壓保護(hù)（OVP）及溫度保護(hù)。
• ?VBUS LDO?：高壓LDO穩(wěn)壓器，支持死電池條件下為系統(tǒng)供電（TPS66120:3.3V，TPS66121:5V，最大30mA）。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?電源管理?：
  • 支持VIN或VBUS雙電源輸入，自動(dòng)切換電源路徑。
  • VIN欠壓鎖定（UVLO）：TPS66120（2.45V-2.75V），TPS66121（3.89V-4.40V）。
• ?保護(hù)機(jī)制?：
  • OVP可通過(guò)外部電阻分壓配置（如R1=432kΩ/R2=20kΩ時(shí)閾值22.6V），或禁用（OVP引腳接地）。
  • 熱關(guān)斷：PPHV路徑獨(dú)立保護(hù)（128°C-172°C觸發(fā)），全局保護(hù)（140°C-178°C觸發(fā)）。

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

• 臺(tái)式機(jī)/筆記本主板、Chromebook、擴(kuò)展塢、Type-C適配器等USB PD設(shè)備。
• ?典型設(shè)計(jì)?：
  • 單端口Type-C方案（如圖17），支持5V/3A至20V/3A供電協(xié)議。
  • 死電池模式下，VBUS LDO為PD控制器供電，充電后切換至VIN電源。

?4. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

• ?布局建議?：
  • PPHV/VBUS走線需短而寬，VLDO需就近放置4.7μF陶瓷電容。
  • 可選TVS2200保護(hù)VBUS端口（鉗位電壓28.3V）。
• ?電容選擇?：
  • VBUS總電容≤10μF（PD規(guī)范），PPHV系統(tǒng)側(cè)負(fù)載電容建議47-100μF。

?5. 狀態(tài)與故障管理?

• ?工作模式?：通過(guò)EN0引腳控制（DISABLED/SNK/SNK FAULT狀態(tài)）。
• ?故障指示?：FLT引腳低電平報(bào)告OVP或過(guò)熱事件，持續(xù)至少4ms。

?6. 機(jī)械與訂購(gòu)信息?

• 封裝：DSBGA（YBG），卷帶包裝（3000顆/卷）。
• 工作溫度：-10°C至85°C。