chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

一文詳解晶圓加工的基本流程

中科院半導(dǎo)體所 ? 來(lái)源:學(xué)習(xí)那些事 ? 作者:學(xué)習(xí)那些事 ? 2025-08-12 10:43 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

文章來(lái)源:學(xué)習(xí)那些事

原文作者:前路漫漫

本文介紹了從晶棒到晶圓的加工全流程。

晶棒需要經(jīng)過(guò)一系列加工,才能形成符合半導(dǎo)體制造要求的硅襯底,即晶圓。加工的基本流程為:滾磨、切斷、切片、硅片退火、倒角、研磨、拋光,以及清洗與包裝等。

滾磨

滾磨工藝是利用金剛石磨輪對(duì)硅單晶棒的外徑進(jìn)行磨削,使其達(dá)到目標(biāo)直徑,并加工出平邊參考面或定位槽的加工過(guò)程。單晶爐制備的單晶棒外徑表面粗糙不平,且直徑大于最終應(yīng)用的硅片直徑,通過(guò)外徑滾磨可獲得符合要求的棒料直徑。

滾磨機(jī)具備磨削硅單晶棒平邊參考面或定位槽的功能,即對(duì)磨削至目標(biāo)直徑的單晶棒進(jìn)行定向測(cè)試后,在同一設(shè)備上加工出平邊參考面或定位槽。通常,直徑 200mm 以下的單晶棒采用平邊參考面,直徑 200mm 及以上的則采用定位槽,不過(guò)直徑 200mm 的單晶棒也可根據(jù)需求制作平邊參考面。單晶棒定向參考面的作用包括:滿足集成電路制造中工藝設(shè)備自動(dòng)化定位操作需求;標(biāo)識(shí)硅片的晶向和導(dǎo)電類型等信息,便于生產(chǎn)管理;主定位邊或定位槽垂直于 <110> 方向,在芯片封裝的劃片工藝中可使晶片自然解理,同時(shí)定位功能可防止碎片產(chǎn)生。

97110372-743f-11f0-a18e-92fbcf53809c.png

滾磨機(jī)的工作原理為:將單晶棒夾持在工作臺(tái)兩端的頂尖之間,頂尖旋轉(zhuǎn)帶動(dòng)單晶棒轉(zhuǎn)動(dòng),磨頭上的金剛石磨輪(一般為杯形砂輪或圓柱砂輪)高速旋轉(zhuǎn)并相對(duì)單晶棒外徑橫向進(jìn)給,單晶棒或磨輪做縱向往返運(yùn)動(dòng)完成磨削。

滾磨機(jī)的晶向定向裝置多為集成的 X 射線定向裝置,其工作方式如下:定向裝置對(duì)單晶棒外圓柱面進(jìn)行測(cè)試,單晶棒分度旋轉(zhuǎn),找到所需晶向參考面后停止旋轉(zhuǎn);磨輪橫向進(jìn)給一定磨削量,隨后單晶棒或磨輪做縱向往返運(yùn)動(dòng),沿單晶棒晶軸方向在圓柱面上加工出所需參考面。對(duì)于直徑 150mm 以下的單晶棒,磨削平邊參考面可使用滾磨外圓的砂輪;對(duì)于直徑 200mm 以上的單晶棒,磨削定位槽則需使用設(shè)備上的另一種成型砂輪(通常為 “V” 形砂輪),沿晶軸方向在外圓圓柱面上磨削出定位槽。

9720fe94-743f-11f0-a18e-92fbcf53809c.png

滾磨機(jī)分為砂輪縱向移動(dòng)型和工作臺(tái)縱向移動(dòng)型兩種。隨著硅單晶棒直徑增大、長(zhǎng)度加長(zhǎng),以及晶向定向裝置和定位槽磨削輔助砂輪的集成需求,目前主流滾磨機(jī)采用工作臺(tái)縱向移動(dòng)方式。

切斷

晶錠切斷是指根據(jù)不同目的和需求,按特定角度或方向?qū)鑶尉уV進(jìn)行切割或截?cái)嗟倪^(guò)程。其主要目的包括:切除整根單晶硅棒的頭部(含籽晶和放肩部分)、尾部及直徑不符合規(guī)格的部分;將單晶硅切成特定長(zhǎng)度的晶棒,以便切片機(jī)進(jìn)行切片;切取樣片用于檢測(cè)電阻率、氧和碳含量、晶體缺陷等質(zhì)量參數(shù)。

早期加工直徑 150mm 及以下的單晶硅時(shí),晶錠切斷多采用外圓切割與內(nèi)圓切割技術(shù)。隨著 IC 工藝技術(shù)發(fā)展,單晶硅直徑不斷增大,受刀片直徑和機(jī)械強(qiáng)度限制,外圓切割與內(nèi)圓切割逐漸被帶鋸切割技術(shù)替代。在直徑 200mm 和 300mm 的單晶硅及拋光片生產(chǎn)中,先進(jìn)的帶鋸切割技術(shù)及相應(yīng)設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于晶錠切斷。

97319be6-743f-11f0-a18e-92fbcf53809c.png

切片

硅片切片是將硅單晶棒切成具有精確幾何尺寸和目標(biāo)厚度的薄硅片的加工工藝。20 世紀(jì) 90 年代前的切片機(jī)采用內(nèi)圓刀具對(duì)硅單晶棒進(jìn)行單片切割,稱為內(nèi)圓切片機(jī)。其工作原理為:內(nèi)圓切割刀片是厚度僅 0.12~0.15mm 的不銹鋼圓環(huán),內(nèi)環(huán)涂覆鍍金剛石的磨料,以固結(jié)磨料形式形成內(nèi)圓刃口;刀片外端通過(guò)切片機(jī)上下刀盤夾持張緊,形成具有一定剛度的刀片,隨刀盤高速旋轉(zhuǎn)。單晶棒料黏結(jié)在裝夾頭上并安裝于送料裝置,送料裝置按預(yù)定厚度相對(duì)刀片分度運(yùn)動(dòng)一個(gè)切割距離(z 向進(jìn)給)后,內(nèi)圓切割刀片相對(duì)單晶棒料向下端方向(y 向)運(yùn)動(dòng)完成切割,切割后刀片退回初始位置。

內(nèi)圓切割刀具的刃口采用金剛石磨料涂鍍層,厚度為 0.29~0.35mm,在切割硅片時(shí),切口處的材料損耗量較高。同時(shí),隨著硅片直徑增大,內(nèi)圓切割后的硅片在厚度偏差、彎曲度、翹曲度及表面損傷層等方面的變化更為顯著,這無(wú)疑增加了硅片后續(xù)加工的難度與成本。20 世紀(jì) 90 年代后問(wèn)世的多線切割機(jī),現(xiàn)已成為硅片切割的主流設(shè)備。

974941b0-743f-11f0-a18e-92fbcf53809c.png

多線切割機(jī)中,最早投入應(yīng)用的是基于游離磨料加工原理的游離磨料多線切割機(jī),其工作原理如下:所用切割鋼線(直徑約 0.12mm)按固定間距均勻纏繞在軸輥(主軸輥數(shù)量為 2~4 個(gè))上,形成切割線網(wǎng)框。網(wǎng)框的切割邊呈水平狀態(tài),隨軸輥高速旋轉(zhuǎn)做纏繞運(yùn)動(dòng);單晶棒沿長(zhǎng)度方向水平黏結(jié)在進(jìn)給裝置上,相對(duì)網(wǎng)框切割邊做低速進(jìn)給運(yùn)動(dòng)。高速運(yùn)動(dòng)的鋼線與單晶棒料產(chǎn)生摩擦,同時(shí) SiC 等磨料砂漿被澆注到摩擦區(qū)域,鋼線裹挾著 SiC 磨料對(duì)材料進(jìn)行細(xì)微切割,直至形成一組預(yù)設(shè)厚度的硅片。

9756c3c6-743f-11f0-a18e-92fbcf53809c.png

由于游離磨料多線切割機(jī)使用 SiC 磨料砂漿,工作環(huán)境較為惡劣,因此鋼線切割區(qū)需封閉處理。21 世紀(jì)初,出現(xiàn)了鍍覆金剛石磨料的鋼線,用其替代普通鋼線進(jìn)行切割的設(shè)備稱為固結(jié)磨料多線切割機(jī)(或金剛石多線切割機(jī)),使技術(shù)回歸到固結(jié)磨料應(yīng)用時(shí)代。在金剛石多線切割工藝中,以去離子水為主要成分的冷卻液對(duì)切割區(qū)域進(jìn)行冷卻,大幅改善了工作環(huán)境。此類設(shè)備具有工作環(huán)境好、污染小、加工效率高等優(yōu)勢(shì),成為硅片切割設(shè)備的主要發(fā)展方向。

976850f0-743f-11f0-a18e-92fbcf53809c.png

硅片退火

在多晶硅和直拉單晶硅的制造過(guò)程中,單晶硅中會(huì)含有氧元素。在特定溫度下,單晶硅中的氧會(huì)釋放電子,轉(zhuǎn)化為氧施主,這些電子會(huì)與硅片中的雜質(zhì)結(jié)合,進(jìn)而影響硅片的電阻率。退火爐是在氫氣或氬氣氛圍中,將爐內(nèi)溫度升至 1000~1200℃,經(jīng)保溫、降溫過(guò)程,使拋光硅片表層的氧揮發(fā)脫除,促使氧沉淀分層,溶解表層微缺陷,減少表層附近雜質(zhì)與缺陷,最終在硅片表層形成相對(duì)潔凈區(qū)域的工藝設(shè)備。因爐管工作溫度較高,退火爐也被稱為高溫爐;行業(yè)內(nèi)通常將硅片退火工藝稱為吸雜。

977704ce-743f-11f0-a18e-92fbcf53809c.png

水平式退火爐的工作原理為:反應(yīng)室是由熔融石英管、石英舟及溫度 / 氣壓控制系統(tǒng)構(gòu)成的密封區(qū)域,可通入氫氣或氬氣,通過(guò)加熱器(一般為高頻感應(yīng)加熱或鹵素?zé)艄芗訜幔┦狗磻?yīng)室內(nèi)達(dá)到所需溫度與壓力。硅片在反應(yīng)室內(nèi)經(jīng)過(guò)一定時(shí)間的保溫,完成退火處理。

硅片退火爐主要分為水平式、立式及快速退火爐三種類型。水平式與立式退火爐的核心區(qū)別在于反應(yīng)室的布局方向:水平式退火爐的反應(yīng)室呈水平結(jié)構(gòu),可同時(shí)裝入一批硅片進(jìn)行退火,通常退火時(shí)間為 20~30 分鐘,但反應(yīng)室需較長(zhǎng)加熱時(shí)間才能達(dá)到工藝所需溫度。其中,水平式退火爐反應(yīng)室中熔融石英管長(zhǎng)度方向的溫度控制是設(shè)備研發(fā)的關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)之一。

立式退火爐同樣采用批量處理方式,將多片硅片同時(shí)放入反應(yīng)室進(jìn)行退火。其反應(yīng)室呈垂直排布,硅片以水平狀態(tài)放置在石英舟內(nèi),且石英舟可在反應(yīng)室內(nèi)整體旋轉(zhuǎn),這一設(shè)計(jì)使反應(yīng)室溫度分布更為均勻,硅片受熱一致性更佳,具備優(yōu)異的退火均勻性,但立式退火爐的工藝成本高于水平式退火爐??焖偻嘶馉t則利用鹵鎢燈直接加熱硅片,可實(shí)現(xiàn) 1~250℃/s 的大范圍快速升降溫,速率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)退火爐,僅需數(shù)秒就能將反應(yīng)室溫度升至 1100℃以上。

倒角

倒角加工是指磨削掉晶圓邊緣的銳利棱角,其主要目的包括:防止晶圓邊緣碎裂、避免熱應(yīng)力導(dǎo)致的損傷、提升外延層及光刻膠在晶圓邊緣的平坦度。倒角機(jī)是采用成型磨輪,將切割后的薄硅片邊緣加工成特定 R 形或 T 形輪廓,以防止硅片在后續(xù)加工中邊緣破損的工藝設(shè)備。

倒角機(jī)的工作原理如下:硅片通過(guò)真空吸附固定在主軸吸盤上,與主軸旋轉(zhuǎn)中心對(duì)準(zhǔn)并高速轉(zhuǎn)動(dòng);磨輪主軸端部安裝成型倒角輪,硅片在 z 向電機(jī)驅(qū)動(dòng)下與磨輪設(shè)定槽中心對(duì)準(zhǔn);磨輪隨主軸高速旋轉(zhuǎn)并橫向接觸硅片邊緣,x、y 向電機(jī)做插補(bǔ)驅(qū)動(dòng),使磨輪按硅片邊緣及參考面輪廓橫向進(jìn)給至設(shè)定距離后停止,再反向退出,完成硅片邊緣的成型倒角。倒角磨削過(guò)程分為粗磨和精磨兩個(gè)階段。

978cd290-743f-11f0-a18e-92fbcf53809c.png

研磨

研磨是通過(guò)機(jī)械研磨手段,去除硅片表面因切割產(chǎn)生的鋸痕,減小表面損傷層深度,從而有效改善硅片平坦度與表面粗糙度的加工工藝。在硅片制造領(lǐng)域,普遍采用雙面研磨的加工方式。以直徑 200mm 及以下的硅片為例,其雙面研磨機(jī)結(jié)構(gòu)具有特定設(shè)計(jì)。

雙面研磨時(shí),待加工硅片被置于行星片的定位孔中,行星片位于上下磨盤之間,在中心齒輪驅(qū)動(dòng)下同時(shí)圍繞磨盤中心公轉(zhuǎn)和自身自轉(zhuǎn),帶動(dòng)硅片隨磨盤做行星式運(yùn)動(dòng)。同時(shí),向加工區(qū)域通入研磨漿料并對(duì)硅片施加壓力,借助上下磨盤的壓力與研磨漿料的摩擦作用,實(shí)現(xiàn)硅片雙面的研磨加工。

9796199a-743f-11f0-a18e-92fbcf53809c.png

研磨盤通常采用鑄鐵材質(zhì),盤面設(shè)有垂直交錯(cuò)的溝槽,槽寬 1~2mm、深約 10mm,便于研磨漿料均勻分布及碎屑排出。研磨漿料主要由磨砂(粒徑 5~10μm 的氧化鋁、氧化鋯微粉等)和液體(水、表面活性劑)組成。磨砂的硬度、粒徑及均勻性,液體對(duì)磨砂的懸浮性、分散性,以及液體的潤(rùn)滑性和對(duì)設(shè)備的防銹能力,是衡量研磨漿料性能的重要指標(biāo)。硅片雙面研磨的總?cè)コ穸葹?60~80μm,表面損傷層深度約為磨砂粒徑的 1.5 倍。

硅片研磨質(zhì)量對(duì)后續(xù)拋光工藝的質(zhì)量與整體效率有著直接影響,因此雙面研磨工藝通常采用粗研與精研相結(jié)合的方式提升研磨質(zhì)量。粗研階段可選用顆粒尺寸較大的研磨漿料(磨料粒度約 15μm),配合較大的研磨壓力和較高的研磨轉(zhuǎn)速(通過(guò)調(diào)節(jié)上研磨盤、下研磨盤、內(nèi)齒圈及中心輪的轉(zhuǎn)速實(shí)現(xiàn)),此時(shí)研磨去除率較高,加工后硅片表面粗糙度 Ra 可控制在 0.63μm 以下。精研階段則采用顆粒尺寸較小的研磨漿料(磨料粒度 3~5μm),搭配較低的研磨壓力和較慢的研磨轉(zhuǎn)速,研磨去除率較低,最終硅片表面粗糙度 Ra 能達(dá)到 0.16μm 以下。

拋光

拋光是通過(guò)化學(xué)與機(jī)械協(xié)同作用對(duì)硅片表面進(jìn)行加工的工藝,旨在去除表面殘留的微缺陷與損傷層,獲得具有極高幾何精度和極低表面粗糙度的 “鏡面” 硅片,這類硅片被稱為硅拋光片。硅片拋光包含表面拋光與邊緣拋光:邊緣拋光的目的是降低加工過(guò)程中因碰撞導(dǎo)致碎片的概率,并減少顆粒附著。

97ac8298-743f-11f0-a18e-92fbcf53809c.png

硅片拋光是一個(gè)化學(xué)與機(jī)械共同作用的過(guò)程。表面拋光前,需先通過(guò)液體黏附(有蠟貼片)或襯板與軟性襯墊真空吸附(無(wú)蠟貼片)的方式,將硅片固定在載體盤(陶瓷盤)上。拋光時(shí),硅片被加壓于旋轉(zhuǎn)的拋光布上,同時(shí)通入拋光液。過(guò)程中,拋光液中的堿性成分與硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成可溶性硅酸鹽;這些反應(yīng)產(chǎn)物通過(guò)拋光液中 SiO?膠粒(粒徑 50~70nm)的負(fù)電荷吸附作用,以及與拋光布的機(jī)械摩擦作用被去除?;瘜W(xué)腐蝕與機(jī)械摩擦交替循環(huán),實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片表面的連續(xù)化學(xué)機(jī)械拋光。

實(shí)際應(yīng)用中,硅片拋光機(jī)分為多片單面拋光機(jī)和多片雙面拋光機(jī)兩類。硅片制造商根據(jù)下游需求,將直徑小于 200mm 的硅片分為單面拋光片和雙面拋光片:由于化學(xué)機(jī)械拋光效率較低且成本較高,直徑小于 200mm 的單面拋光片通常在研磨片基礎(chǔ)上僅對(duì)一個(gè)表面進(jìn)行拋光,加工時(shí)采用多片單面拋光機(jī),通過(guò)一個(gè)拋光臺(tái)上的多個(gè)拋光頭(承載器)同時(shí)作業(yè),以提升效率、降低成本。

97b7e8f4-743f-11f0-a18e-92fbcf53809c.png

直徑 200mm 的雙面拋光片是市場(chǎng)需求較大的品類,一般采用多片雙面拋光機(jī)加工。這類設(shè)備在雙面研磨機(jī)基礎(chǔ)上,于上下拋光盤加裝拋光墊,并增加拋光液供給與回收裝置,可同時(shí)對(duì)多片硅片進(jìn)行拋光;通過(guò)更換行星載具規(guī)格,還能適配 100~200mm 硅片的拋光需求。

為達(dá)到所需的拋光精度,硅片需經(jīng)過(guò)兩步(粗拋光 - 精拋光)、三步(粗拋光 - 中拋光 - 精拋光)或四步(粗拋光 - 中拋光 - 精拋光 - 最終拋光)的分步拋光工藝,每步工藝的條件各不相同,其作用與去除厚度可參考相關(guān)參數(shù)表。影響拋光效果的工藝參數(shù)包括拋光壓力、拋光液的組分、粒度濃度及 pH 值、拋光布的材質(zhì)、結(jié)構(gòu)與硬度,以及拋光溫度和去除厚度等。

清洗與包裝

器件制造工藝對(duì)硅片表面潔凈度有嚴(yán)格要求,而硅片在加工過(guò)程中,表面會(huì)殘留有機(jī)物、金屬離子、微粒等污染物,硅片清洗的目的就是去除這些污染物,以獲得符合要求的潔凈表面。硅片表面的污染物主要分為三類:一是有機(jī)類污染物,主要來(lái)源于承載硅片的支架、環(huán)境中的有機(jī)蒸氣及加工過(guò)程中使用的化學(xué)試劑;二是金屬離子污染物,這類污染物要么吸附在硅片表面的氧化層上,要么通過(guò)與硅片表面的電荷交換(類似 “電鍍” 作用)直接鍵合在硅表面;三是顆粒污染物,主要產(chǎn)生于硅片加工環(huán)節(jié)及所用化學(xué)試劑中。

硅片加工過(guò)程包含多個(gè)清洗步驟,其中拋光后的清洗最為關(guān)鍵,直接決定硅片表面的最終潔凈度。硅拋光片的最終清洗通常采用多槽浸泡式化學(xué)清洗,即 RCA 清洗法,典型工藝參數(shù)可參考相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。

1.SC-1 溶液(1 號(hào)液)主要用于去除顆粒和有機(jī)污染物,同時(shí)可清除部分金屬雜質(zhì)。其作用原理是:硅片表面先經(jīng) H?O?氧化形成氧化膜,隨即被 NH?OH 腐蝕,氧化與腐蝕過(guò)程循環(huán)進(jìn)行,附著在硅片表面的顆粒會(huì)隨氧化膜的持續(xù)腐蝕而脫離,進(jìn)入清洗液中;有機(jī)污染物在 H?O?的強(qiáng)氧化作用和 NH?OH 的溶解作用下,轉(zhuǎn)化為水溶性化合物進(jìn)入清洗液,經(jīng)去離子水沖洗后被去除。此外,SC-1 溶液的強(qiáng)氧化性可將 Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Fe、Ca、Mg 等金屬氧化為高價(jià)離子,這些離子再與堿反應(yīng)生成可溶性絡(luò)合物,經(jīng)去離子水沖洗去除。清洗時(shí)配合使用超聲波(可去除粒徑不小于 0.4μm 的顆粒)或兆聲波(可去除粒徑不大于 0.2μm 的顆粒),能進(jìn)一步提升顆粒去除效果。

2.SC-2 溶液(2 號(hào)液)是由 H?O?和 HCl 組成的酸性溶液,具有強(qiáng)氧化性和絡(luò)合性,可去除堿金屬離子、Cu、Au 等殘留金屬,以及 Al (OH)?、Fe (OH)?、Mg (OH)?、Zn (OH)?等氫氧化物中的金屬離子。經(jīng) SC-2 溶液清洗后,硅片表面的 Si 原子多以 Si-O 鍵結(jié)合,形成自然氧化層,使表面呈現(xiàn)親水性。

早期硅片的脫水干燥多采用離心甩干技術(shù),近年來(lái)在異丙醇(IPA)脫水干燥技術(shù)的基礎(chǔ)上,開(kāi)發(fā)出多種基于馬蘭戈尼效應(yīng)的脫水干燥技術(shù),已廣泛應(yīng)用于大直徑硅片的最終清洗。

為保證硅片表面質(zhì)量、防止二次污染、便于儲(chǔ)存和運(yùn)輸,清洗后的硅片需進(jìn)行包裝。硅拋光片的包裝操作通常在 10 級(jí)乃至 1 級(jí)潔凈室中進(jìn)行,具體步驟如下:首先將硅拋光片放入匹配尺寸的包裝盒內(nèi);接著將包裝盒裝入對(duì)應(yīng)規(guī)格的塑料薄膜內(nèi)層包裝袋,采用真空或充高純氮?dú)獾姆绞矫芊獯?;最后將?nèi)層包裝袋放入具備防潮、防靜電功能的金屬 - 塑料復(fù)合膜外層包裝袋,真空密封后即可送入成品倉(cāng)庫(kù)保存。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29570

    瀏覽量

    252017
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5294

    瀏覽量

    131139
  • 工藝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    702

    瀏覽量

    29945

原文標(biāo)題:晶圓加工概述

文章出處:【微信號(hào):bdtdsj,微信公眾號(hào):中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    級(jí)封裝的基本流程

    介紹了級(jí)封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同級(jí)封裝方法所涉及的各項(xiàng)工藝。
    的頭像 發(fā)表于 11-08 09:20 ?1.1w次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>級(jí)封裝的基本<b class='flag-5'>流程</b>

    級(jí)封裝的工藝流程詳解

    承載系統(tǒng)是指針對(duì)背面減薄進(jìn)行進(jìn)加工的系統(tǒng),該工藝
    的頭像 發(fā)表于 11-13 14:02 ?6217次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>級(jí)封裝的工藝<b class='flag-5'>流程</b><b class='flag-5'>詳解</b>

    詳解的劃片工藝流程

    在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中,歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后,劃片工藝成為將芯片從上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié),為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的
    的頭像 發(fā)表于 02-07 09:41 ?2278次閱讀
    <b class='flag-5'>詳解</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的劃片工藝<b class='flag-5'>流程</b>

    制造工藝詳解

    本內(nèi)容詳解制造工藝流程,包括表面清洗,初次氧化,熱處理,光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)等
    發(fā)表于 11-24 09:32 ?7365次閱讀

    PCB加工流程詳解大全

    PCB加工流程詳解大全PCB的功能為提供完成第層級(jí)構(gòu)裝的元件與其它必須的電子電路零件接合的基地,以組成個(gè)具特定功能的模組或成品。所以PC
    發(fā)表于 11-30 17:29

    是什么?硅有區(qū)別嗎?

    `什么是硅呢,硅就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。是制造IC的基本原料。硅
    發(fā)表于 12-02 14:30

    做硅片晶加工十三年

    本人做硅片,加工十三年,想做半導(dǎo)體行業(yè)的加工,不知道有沒(méi)有合適的工作?
    發(fā)表于 04-03 16:09

    劃片或分撿裝盒合作加工

    劃片或分撿裝盒合作加工廠聯(lián)系方式:QQ:2691003439
    發(fā)表于 03-13 22:23

    PCB加工流程詳解大全

    PCB加工流程詳解大全
    發(fā)表于 02-14 16:07 ?0次下載

    制造流程

    本文首先介紹了什么是,其次詳細(xì)的闡述了制造的14個(gè)步驟流程。
    的頭像 發(fā)表于 08-21 17:12 ?5.1w次閱讀

    晶片是用來(lái)干嘛的?圖解代工流程!

    代工(Foundry)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的種商業(yè)模式,指接受其他無(wú)廠半導(dǎo)體公司(Fabless)委托、專門從事圓成品的加工而制造集成電路,
    發(fā)表于 09-21 09:56 ?4726次閱讀
    晶片是用來(lái)干嘛的?圖解<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>代工<b class='flag-5'>流程</b>!

    詳解不同級(jí)封裝的工藝流程

    在本系列第七篇文章中,介紹了級(jí)封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同級(jí)封裝方法所涉及的各項(xiàng)工藝。
    的頭像 發(fā)表于 08-21 15:10 ?3637次閱讀
    <b class='flag-5'>詳解</b>不同<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>級(jí)封裝的工藝<b class='flag-5'>流程</b>

    的制備流程

    本文從硅片制備流程為切入點(diǎn),以方便了解和選擇合適的硅,硅的制備工藝流程比較復(fù)雜,
    的頭像 發(fā)表于 10-21 15:22 ?1552次閱讀

    詳解清洗技術(shù)

    本文介紹了清洗的污染源來(lái)源、清洗技術(shù)和優(yōu)化。
    的頭像 發(fā)表于 03-18 16:43 ?1225次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b><b class='flag-5'>文</b><b class='flag-5'>詳解</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>清洗技術(shù)

    降低 TTV 的磨片加工方法

    摘要:本文聚焦于降低 TTV(總厚度偏差)的磨片加工方法,通過(guò)對(duì)磨片設(shè)備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進(jìn),有效控制
    的頭像 發(fā)表于 05-20 17:51 ?598次閱讀
    降低<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 的磨片<b class='flag-5'>加工</b>方法