中囯三大存儲器廠，長江存儲、晉華及合肥長鑫都已進入試產(chǎn)階段，并計劃2019年實現(xiàn)量產(chǎn)。這是中囯半導體業(yè)的一場存儲器突圍戰(zhàn)，是零的突破。

中囯半導體業(yè)發(fā)展由于其獨特的地位決定了它必須實現(xiàn)“自主可控”。然而半導體業(yè)有它的規(guī)律，包括有兩個主要方面，一個是摩爾定律推動，其精髓是技術必須迅速的進步，每18個月同樣的產(chǎn)品其成本可能下降50%；以及另一個是實現(xiàn)量產(chǎn)，半導體是個高度規(guī)模經(jīng)濟的產(chǎn)業(yè)。因而在一定程度上這個產(chǎn)業(yè)需要大量的投資，搜羅頂級的人材，以及生產(chǎn)線的嚴格管理。而這兩個方面都與國家的工業(yè)基礎緊密相關連，顯然在現(xiàn)階段中國半導體業(yè)是不足的，因此產(chǎn)業(yè)的突圍，可能需要時間上的積累。

盡管面臨的困難重重，也不可能阻擋突圍的決心，因為中國存儲器業(yè)突圍存在不少的有利條件：

國家意志主導，加上政府，地方等齊動手，有充裕的資金支持。

中國消耗全球20%的DRAM及25%的NAND，2017年中國進口存儲器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。

根據(jù)美光、三星、海力士的財報統(tǒng)計，2017年，三家公司的半導體業(yè)務在中國營收分別為103.88億美元、253.86億美元、89.08億美元，總計446.8億美元，同比2016財年的321億美元增長39.16%。

三家廠，屬于三個不同類別，分別是長江存儲的32層3D NAND閃存；晉華的32納米、利基型DRAM，以及長鑫的19納米先進型DRAM。

中國的IoT應用市場發(fā)展迅速，有著名的騰訊、百度與阿里巴巴等，它們推動5G、數(shù)據(jù)中心、互聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等應用。

存儲器、控制器等配套產(chǎn)業(yè)鏈正在形成。

如何突圍

按照存儲器業(yè)的特點，中國把存儲器芯片生產(chǎn)線打通是有把握的，然而困難的是產(chǎn)能爬坡的速率，也即產(chǎn)能由試產(chǎn)的5，000片至20，000，或者30，000片時，產(chǎn)品的良率，及成本，它直接決定了產(chǎn)能繼續(xù)擴充的可能性，因為通常產(chǎn)能必須擴充到50，000，或者100，000片時，芯片生產(chǎn)線才有可能實現(xiàn)盈利，但是此段過程可能相對用較長的時間。

在產(chǎn)能擴充的過程中，對手們不會輕易放過我們，一定會利用專利及價格戰(zhàn)阻礙我們的突圍。

對手們十分清楚，專利戰(zhàn)的目的在于阻礙中國存儲器業(yè)的進步，如之前臺積電打擊中芯國際時，讓您領軍人物下臺，以及賠款。

因此為了迎接專利戰(zhàn)，必須學習上海中微半導體，從公司成立起就聘用美國律師，準備好一切材料準備好打?qū)＠麘?zhàn)，并且不要抱有幻想，這一仗是不可避免的。

另一個是三星、美光慣用的產(chǎn)品價格戰(zhàn)，它們占有先手的優(yōu)勢、產(chǎn)品的成熟、以及資金充裕，因此在短時間內(nèi)甚至虧本銷售是常用的策略，讓我們的產(chǎn)品銷售有困難。

因此中國存儲器業(yè)面臨的最大問題可能有兩個方面，一個是不要輕敵，認為用不了幾年就能突圍成功，要把困難想得更多些，例如中國存儲器的消耗量很大，依靠國家意志與支持就能生存下來，恐怕不能太依賴，因為只有產(chǎn)品的性價比相近，才有生存的可能性，因為國家的財力有限；另一個是堅持下去，這個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展經(jīng)驗告訴我們，只有堅持到底，才有可能立足，生存下來。今天無論19納米DRAM的良率提升與成本下降，以及32層3D NAND閃存向64層3D NAND閃存的技術過渡都需要時間上的積累，不可能一蹴而成。另外，由于沒有經(jīng)過真正的實踐與體會，對于“板凳要坐十年冷”，可能僅停留在概念上。當那個時刻真的來臨時，可能意想不到的各種困難會呈現(xiàn)，能堅持下來就一定十分不易。

較為樂觀的估計，能用5年左右的時間，達到全球市場（2018年存儲器業(yè)產(chǎn)值預測可達1，500億美元）占比的3% - 5%，也即DRAM與NAND的累加產(chǎn)值能達到近50億美元，表明中國存儲器業(yè)的突圍取得了初步的成功。