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世界先進(jìn)目前掌握足夠硅晶圓,不會有缺貨問題

中國半導(dǎo)體論壇 ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-06-19 16:37 ? 次閱讀
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晶圓代工大廠世界先進(jìn)14日召開股東會,面對硅晶圓供貨吃緊與漲價問題,競爭對手聯(lián)電已首度表示會將硅晶圓漲價所造成的成本增加部分轉(zhuǎn)嫁給客戶,采取一次漲足策略,董事長方略則說,世界先進(jìn)與供應(yīng)商、客戶多年來合作關(guān)系良好,目前掌握足夠硅晶圓,不會有缺貨問題,硅晶圓漲價問題則會持續(xù)與客戶溝通,會采取機動因應(yīng)策略,適時反應(yīng)成本。

方略表示,2018年全球GDP成長較2017年為佳,估達(dá)3.7%的水準(zhǔn),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)值成長約可成長4%,達(dá)4,270億美元規(guī)模,而晶圓代工領(lǐng)域在先進(jìn)制程需求的帶動下,約有3%的成長,達(dá)590億美元,其中有162億美元來自8英寸晶圓代工的貢獻(xiàn),約有2%的年成長率,整體而言,整體經(jīng)濟情勢穩(wěn)定,加上世界先進(jìn)接單暢旺,8英寸產(chǎn)能滿載,樂觀看待下半年運營表現(xiàn)。

此外,世界先進(jìn)在顯示器相關(guān)驅(qū)動IC,電源管理IC 和分離式功率元件的運營已見績效,為了分散產(chǎn)品及市場集中度,進(jìn)一步降低運營風(fēng)險,目前積極往高毛利市場耕耘,除既有的高壓模擬、BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)、超高壓制程外,也持續(xù)加速感測元件、指紋辨識IC、高功率電源管理IC和嵌入式存儲器平臺等計劃的執(zhí)行,以因應(yīng)節(jié)能減碳時代的來臨且滿足車用電子和物聯(lián)網(wǎng)市場需求。

同時也全力引進(jìn)更多IDM客戶群,提高國外客戶比重的計劃也將持續(xù)進(jìn)行,希望借由深化客戶長期伙伴關(guān)系,進(jìn)而確保特殊晶圓代工的領(lǐng)先地位,并成為全球晶圓代工領(lǐng)域中高壓及功率半導(dǎo)體制程的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一。

而對于近期挖礦需求降溫,方略則說,世界先進(jìn)專注特殊晶圓代工領(lǐng)域,主要提供各類制程與客戶設(shè)計生產(chǎn)電源管理IC與LCD面板驅(qū)動IC等各項運用,并持續(xù)與客戶合作開發(fā)BCD以及高壓/超高壓的制程,而挖礦用的特殊應(yīng)用芯片(ASIC)主要是采用先進(jìn)制程,為高速運算芯片,世界先進(jìn)并未著墨太多,因此需求升跌并未帶來影響。

只有8英寸晶圓廠的世界先進(jìn),目前產(chǎn)能持續(xù)滿載,基于客戶需求和未來成長性,方略表示已積極評估各種成長方向,除現(xiàn)有3座8英寸晶圓廠會采取提升效率等方式持續(xù)擴充產(chǎn)能外,新建或購買12英寸廠也是評估選項之一,但目前仍未確定。

2017年運營狀況方面,由于受到新臺幣匯率變動的影響,世界先進(jìn)合并營收為新臺幣249.1億元,較2016年258.3億元減少3.6%。此外,全年平均毛利率約32%,稅后凈利約45億元,每股稅后(EPS) 2.73元,不及2016年3.35元。

2017年全年資本支出約為新臺幣18億元,全年生產(chǎn)產(chǎn)能約為234.2萬片,年增4%,產(chǎn)能利用率89%,晶圓出貨量達(dá)到209萬片。為持續(xù)提升制程技術(shù)及進(jìn)行產(chǎn)能擴充,2018年資本支出預(yù)估略增至新臺幣21億元,預(yù)估2018年產(chǎn)能為239.2萬片,年增2%。

受到電源管理IC客戶庫存調(diào)整及新臺幣升值等影響,世界先進(jìn)2018年第1季合并營收約為64.25億元,較2017年第4季略增0.8%,與2017年同期相比小幅成長2.6%,毛利率32.2%,較2017年第4季33.9%減少1.7個百分點,稅后凈利11.48億元,季減5.7%,年減0.2%,EPS 0.7元,略低于2017年第4季0.74%,與2017年同期持平。

展望第2季,隨著電源IC客戶庫存調(diào)整結(jié)束,需求逐步回升,以及IT面板受惠電競需求成長,驅(qū)動IC相對穩(wěn)定,世界先進(jìn)預(yù)估合并營收約介于67億~71億元之間,毛利率約31.5~33.5%,營業(yè)利益率介于21~23%之間,第2季產(chǎn)能將較首季增加6%,單月約19.8萬片。

整體技術(shù)發(fā)展方面,顯示器驅(qū)動芯片的技術(shù)開發(fā)部分,0.2微米、0.18微米、0.15微米、0.11微米高壓制程,以及專供于觸控面板的0.16微米及0.18微米附加嵌入式非揮發(fā)性存儲器的高壓制程均已導(dǎo)入量產(chǎn);電源管理IC的BCD制程部分,0.5微米、0.4微米、0.35微米、0.25微米、0.15微米及0.11微米BCD制程均已導(dǎo)入量產(chǎn)。更新第二代的0.5微米超低導(dǎo)通阻值、制程精簡的超高壓和0.25微米SOI制程也已完成開發(fā),并與特定客戶完成產(chǎn)品設(shè)計及進(jìn)行量產(chǎn)。此外,0.5/0.4微米SOI制程也已通過車用電子相關(guān)驗證,累積出貨量已達(dá)一定規(guī)模,深耕車用電子市場效益漸顯;另應(yīng)用于電容式指紋辨識的0.18um/0.15um IC制程已導(dǎo)入量產(chǎn),而應(yīng)用于光學(xué)式指紋辨識的0.18um IC制程,已有客戶開發(fā)完成,并順利整合在智能手機上,成功展現(xiàn)最新的光學(xué)式指紋辨識功能。

另受關(guān)注的是,5G高頻率特性讓氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體制程成為功率放大器(PA)市場主流技術(shù), GaN功率元件也開始應(yīng)用在車聯(lián)網(wǎng)及電動車領(lǐng)域。據(jù)了解,世界先進(jìn)于2015年開始投入開發(fā)GaN技術(shù),與設(shè)備材料廠Kyma、轉(zhuǎn)投資GaN矽基板廠QROMIS合作,2017年底已成功試產(chǎn)8英寸GaN晶圓,但目前仍有新材料與成本等問題待克服,預(yù)計2019年才會明顯放量。

在全球晶圓代工營收及排名方面,據(jù)調(diào)研機構(gòu)Gartner統(tǒng)計,2017年全球晶圓代工(含Pure Play和IDM)市占龍頭為臺積電,營收成長9%,市占率小幅衰退至53.8%,GlobalFoundries以8.9%市占位居第二,緊追在后的聯(lián)電是8.2%,三星電子(Samsung Electronics)與中芯國際分居四、五名,而TowerJazz透過購并產(chǎn)能及產(chǎn)品組合優(yōu)化,年營收成長14%為第六名,力晶科技則以1.9%市占位居第七名,世界先進(jìn)位居第九名,市占率約1.4%。

世界先進(jìn)股東會14日股東會通過2017年財報及盈余分派案,EPS為2.75元,每股配發(fā)3元現(xiàn)金股利。

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原文標(biāo)題:硅晶圓供貨吃緊,世界先進(jìn):貨源充足

文章出處:【微信號:CSF211ic,微信公眾號:中國半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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