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LM185-1.2QML 微功率基準電壓源二極管技術手冊

科技綠洲 ? 2025-08-18 10:34 ? 次閱讀
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LM185-1.2 是一款微功率 2 端子帶隙穩(wěn)壓二極管。經(jīng)營 在 10μA 至 20mA 電流范圍內(nèi),它具有極低的動態(tài)阻抗和良好的 溫度穩(wěn)定性。片上微調(diào)用于提供嚴格的電壓容差。由于 LM185-1.2 帶隙基準電壓源僅使用晶體管電阻器,噪聲低,長期使用良好 穩(wěn)定性結果。
*附件:lm185-1.2qml.pdf

LM185-1.2 的精心設計使該器件對電容性具有極強的耐受性 加載,使其易于在幾乎任何參考應用程序中使用。寬動態(tài)作 范圍允許它與各種電源一起使用,并具有出色的調(diào)節(jié)能力。

LM185-1.2 的功耗極低,可用于微功率電路。 該基準電壓源可用于制造便攜式儀表、穩(wěn)壓器或通用模擬 電池壽命接近保質(zhì)期的電路。

此外,寬工作電流使其能夠用更緊密的基準電壓源替換舊基準電壓源 公差部分。

特性

  • 工作電流為10μA至20mA
  • 1Ω最大動態(tài)阻抗(典型值)
  • 低溫系數(shù)
  • 輻射合格選項
    • 100 克拉德
    • 低劑量率測試為 10 mrad/s

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

?1. 產(chǎn)品概述?
LM185-1.2QML 是一款微功耗2端帶隙電壓基準二極管,由德州儀器TI)設計,具有以下核心特性:

  • ?工作電流范圍?:10μA至20mA
  • ?動態(tài)阻抗?:典型值1Ω(最大值)
  • ?低溫漂系數(shù)?,輻射耐受選項(100 krad,低劑量率測試10 mrad/s)
  • 適用于便攜設備、精密模擬電路及電池供電場景,延長電池壽命接近儲存壽命。

?2. 關鍵參數(shù)?

  • ?反向擊穿電壓?(VRef):
    • 10μA時1.223V1.247V,20mA時1.205V1.26V
    • 電流變化下的電壓穩(wěn)定性(ΔVRef/ΔIR):±1mV(10μA~1mA范圍)
  • ?正向偏置電壓?(VF):-1.0V~-0.4V(IF=2mA)
  • ?溫度系數(shù)?:≤50 ppm/°C(-55°C至125°C范圍內(nèi))

?3. 輻射耐受性能?(RLQV后綴型號)

  • 通過100 krad(Si)輻射測試,150 krad(Si)過測,參數(shù)變化:
    • 反向擊穿電壓漂移:±3%(10μA/1mA)
    • 動態(tài)阻抗變化:±15mV(10μA~1mA電流范圍)

?4. 封裝與可靠性?

  • ?封裝類型?:TO-CAN(2引腳)、CFP(10引腳陶瓷扁平封裝)
  • ?工作溫度?:-55°C至+125°C
  • ?ESD防護?:需短路引腳或使用導電泡沫存儲以防靜電損壞。

?5. 典型應用電路?

  • ?微功耗基準源?:9V電池供電(IQ≈30μA)
  • ?精密電流源?:1μA~1mA可調(diào)輸出
  • ?溫度傳感器?:0°C~100°C線性輸出(1μA/°K)
  • ?冷端補償器?:支持J/T/K/S型熱電偶,低至50μA工作電流。

?6. 修訂歷史?

  • 2014年1月更新:新增輻射測試數(shù)據(jù)及典型漂移曲線。

?7. 訂購信息?

  • 提供多種軍規(guī)(QML)及航天級(RLQV)型號,如5962R8759461VXA(TO封裝,輻射耐受)。

?附件說明?
文檔包含完整電氣特性表、連接圖、典型性能曲線及封裝尺寸圖(如TO-CAN的NDU0002A、CFP的NAC0010A)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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