在高速無(wú)線(xiàn)鏈路中，天線(xiàn)接口的性能直接決定發(fā)射功率的有效輻射和接收靈敏度的上限。若接口參數(shù)未經(jīng)過(guò)系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化，即使射頻前端指標(biāo)出色，整機(jī)鏈路預(yù)算仍會(huì)被明顯壓縮。因此，把天線(xiàn)端口與射頻前端之間的阻抗關(guān)系調(diào)整到最佳區(qū)間，是無(wú)線(xiàn)設(shè)備開(kāi)發(fā)流程中必須重復(fù)驗(yàn)證的環(huán)節(jié)。

阻抗對(duì)齊的必要性

當(dāng)發(fā)射鏈路工作時(shí)，天線(xiàn)端口的實(shí)際阻抗如果與功率放大器的輸出阻抗偏離，能量會(huì)在接口處反射，帶來(lái)兩方面后果：

有效輸出功率降低，覆蓋范圍縮小;

反射功率回流到功率放大器，長(zhǎng)期運(yùn)行可能觸發(fā)過(guò)熱保護(hù)或縮短器件壽命。

在接收鏈路上，阻抗失配會(huì)降低噪聲系數(shù)，導(dǎo)致靈敏度衰減，同時(shí)外界的雜散信號(hào)更容易混入，惡化信噪比。

常見(jiàn)接口優(yōu)化方法

傳輸線(xiàn)段補(bǔ)償

在微波頻段，利用一段特定長(zhǎng)度和阻抗的微帶線(xiàn)或同軸線(xiàn)，可把天線(xiàn)端口的復(fù)阻抗變換到系統(tǒng)所需值。該方法無(wú)需集總元件，插入損耗小，但設(shè)計(jì)完成后物理尺寸固定，只能在單一頻段或窄帶內(nèi)保持最佳效果。

串聯(lián)電容修正

在低頻或?qū)拵?chǎng)景，可在天線(xiàn)饋點(diǎn)串聯(lián)一只高精度電容，通過(guò)抵消端口電感分量實(shí)現(xiàn)阻抗實(shí)部對(duì)齊。優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)緊湊，缺點(diǎn)是電容的 Q 值隨頻率升高而下降，可能引入額外損耗。

末端短路枝節(jié)

在特定頻率下，將天線(xiàn)末端通過(guò)金屬化通孔直接接地，可產(chǎn)生可控的反射相位，進(jìn)而調(diào)整輸入阻抗。該方法實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，但頻響曲線(xiàn)陡峭，適合單頻應(yīng)用，對(duì)加工誤差敏感。

變壓器耦合

在低頻系統(tǒng)(如 13.56 MHz RFID)中，常用繞線(xiàn)式或平面變壓器實(shí)現(xiàn) 1:N 或 N:1 的阻抗變換，同時(shí)兼顧隔離直流和增強(qiáng)功率傳輸。變壓器匝比決定變換比例，但磁芯損耗會(huì)抬高系統(tǒng)噪聲。

貼片電感補(bǔ)償

在 900 MHz 以上的頻段，可用高 Q 值多層貼片電感與天線(xiàn)并聯(lián)，抵消端口容性分量，使阻抗軌跡貼近 50 Ω 中心點(diǎn)。該方法在標(biāo)簽、可穿戴設(shè)備中廣泛使用，但電感值隨溫度漂移，需要留足設(shè)計(jì)裕量。

驗(yàn)證流程

網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量：先獲取天線(xiàn)在目標(biāo)頻段的 S11 曲線(xiàn)，提取阻抗實(shí)部與虛部;

仿真迭代：將測(cè)得數(shù)據(jù)代入射頻仿真軟件，通過(guò)調(diào)諧上述元件參數(shù)，使 S11 ≤ ?10 dB 覆蓋所需帶寬;

溫漂與失配容限測(cè)試：在 ?40 °C 至 +85 °C 范圍內(nèi)，以及天線(xiàn)靠近人體或金屬環(huán)境時(shí)，再次確認(rèn)性能是否仍滿(mǎn)足規(guī)格;

整機(jī) OTA 驗(yàn)證：在微波暗室中測(cè)試 TRP(總輻射功率)和 TIS(總?cè)蜢`敏度)，確保接口優(yōu)化結(jié)果在整機(jī)層級(jí)同樣有效。

通過(guò)以上步驟，天線(xiàn)與射頻前端之間的接口即可在目標(biāo)頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)低反射、高效率和低噪聲的綜合性能，為后續(xù)通信協(xié)議棧優(yōu)化奠定硬件基礎(chǔ)。