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TPSI2140-Q1評估模塊技術解析與應用指南

科技觀察員 ? 2025-08-19 15:20 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPSI2140Q1EVM評估模塊是一款雙銅層板,具有多個測試點和跳線,用于全面評估TPSI2140-Q1的功能。TPSI2140-Q1是一款隔離式固態(tài)繼電器 (SSR),設計用于高壓汽車和工業(yè)應用。TPSI2140Q1EVM的初級側設有四個差分驅動器,可為次級側的每個內部MOSFET提供電源和使能邏輯信息。次級側的每個MOSFET均具有可靠的全橋整流器,可形成本地電源。

數據手冊:*附件:Texas Instruments TPSI2140Q1EVM評估模塊數據手冊.pdf

特性

  • 每個引腳和電壓電源均設有測試點,以確保功能正確
  • 如果用戶將VDD 綁定并與提供的跳線一起啟用,則可以使用外部波形發(fā)生器運行或使用單電源進行測試
  • 符合汽車應用類AEC-Q100標準
  • 具有1200V關斷電壓的集成式額定雪崩MOSFET
  • 低初級側電源電流,5mA導通狀態(tài),1uA關斷狀態(tài)

PCB布局

1.png

TPSI2140-Q1評估模塊技術解析與應用指南

產品概述

TPSI2140-Q1 EVM是德州儀器(TI)推出的高電壓隔離固態(tài)繼電器評估模塊,基于車規(guī)級TPSI2140-Q1器件設計,具有以下核心特性:

  • ?3750Vrms高壓隔離?:滿足汽車和工業(yè)應用的高壓隔離需求
  • ?集成化設計?:內置背對背MOSFET(1200V耐壓)和完整驅動電路
  • ?車規(guī)認證?:通過AEC-Q100汽車電子標準認證
  • ?低功耗特性?:僅需9mA驅動電流(開啟狀態(tài))/1.5μA(關閉狀態(tài))
  • ?緊湊封裝?:采用10.3×7.5mm SOIC-11(DWQ)封裝

安全警示

?高壓操作警告?:

  1. 禁止用于超過1414VDC(VIOWM)的隔離測試
  2. 工作時表面可能高溫,禁止直接觸碰
  3. 必須由專業(yè)人員在受控實驗環(huán)境下操作
  4. 遵循TI高壓評估模塊安全規(guī)范:
    • 工作區(qū)需設置有效隔離屏障
    • 操作人員需穿戴絕緣防護裝備
    • 所有測試設備必須位于緊急斷電(EPO)保護電源帶

關鍵硬件配置

1. 接口定義

接口類型功能描述
J1端子次級側正極輸入(HV+)
J2端子塊電壓檢測輸出(S2)
J3端子塊次級側負極輸入(HV-)
J4香蕉頭初級側供電(2.5-5.5V)
J6插針外部使能信號輸入

2. 測試點布局

  • ?初級側監(jiān)測點?:
    • TP1:VDD電源監(jiān)測
    • TP2:EN使能信號監(jiān)測
    • TP5:初級側地參考
  • ?次級側監(jiān)測點?:
    • TP6:熱引腳(SM)測量
    • TP7:S2電壓分壓輸出
    • TP8:HV-次級側測試

典型應用場景

1. 新能源汽車系統

2. 工業(yè)自動化

評估板使用指南

1. 標準測試配置

  1. ?電源連接?:
    • J4接入2.5-5.5V初級側電源
    • J1/J3接入待測高壓信號
  2. ?使能控制?:
    • J7跳線選擇使能模式:
      • EN_EXT-EN:外部信號控制
      • VDD-EN:上電自動使能
  3. ?波形監(jiān)測?:
    • 推薦示波器通道配置:
      • CH1:HV+電壓
      • CH2:EN使能信號
      • CH3:VDD電源
      • CH4:S2分壓輸出

PCB設計要點

1. 疊層結構

  • 4層板設計(1.6mm總厚度)
  • 層間分布:
    • L1/L4:信號層
    • L2/L3:電源/地層

2. 安全間距

  • 初級/次級間:≥8mm爬電距離
  • 高壓走線:加裝TVS管保護
  • 熱設計:優(yōu)化DWQ封裝散熱焊盤
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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