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Flash閃存-RSUN2M:高性能微型 SPI 閃存,開啟智能存儲新體驗

深圳市亞爾訊科技有限公司 ? 2025-08-19 15:23 ? 次閱讀
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在萬物互聯與智能終端飛速發(fā)展的時代,存儲器件的性能、可靠性與小型化成為設備創(chuàng)新的關鍵支撐。RSUN TECH 重磅推出的 RSUN2M 串行閃存存儲器,以卓越性能、極致設計與全面保障,為各類智能設備注入高效存儲動力。

極致微型封裝,釋放設計潛能

RSUN2M 采用先進的 USON6 封裝,尺寸僅為 1×0.72×0.45mm,在極小的空間內實現強大存儲功能。精準的尺寸控制(A 值 0.400-0.500mm、D 值 0.960-1.040mm)適配高密度 PCB 布局,輕松滿足可穿戴設備、微型傳感器、智能硬件等對小型化設計的嚴苛需求,讓產品設計更自由、更緊湊。

高性能傳輸,靈活存儲隨心控

作為高性能串行閃存標桿,RSUN2M 搭載雙 I/O 數據傳輸技術,速率高達 208Mbits/s,配合 104MHz 快速讀取能力,數據交互高效流暢,大幅提升設備響應速度。2Mbit 存儲密度下,支持多級靈活擦除粒度:256 字節(jié)頁擦除、4K 字節(jié)扇區(qū)擦除、32/64K 字節(jié)塊擦除,每扇區(qū)更支持 1-256 字節(jié)編程,適配多樣化數據讀寫場景,無論是頻繁小數據更新還是批量數據處理,都能輕松應對。

兼容標準 SPI(SCLK、/CS、SI、SO)與雙 SPI(SCLK、/CS、IO0、IO1)接口,無需復雜適配即可融入現有系統,降低開發(fā)成本,加速產品落地。

長效可靠,數據安全無憂

RSUN2M 以硬核品質保障數據長效可靠:編程 / 擦除循環(huán)次數高達 10 萬次以上,遠超行業(yè)常規(guī)標準,耐受高頻數據更新;數據保留時間超過 20 年,即使在長期存儲場景下也能確保信息不丟失,為工業(yè)控制、醫(yī)療設備等長生命周期產品提供堅實存儲保障。

內置 128 位唯一 ID 與 256 字節(jié)安全寄存器,支持一次性編程(OTP)鎖定功能,從硬件層面筑牢數據安全防線,有效防止未授權訪問與數據篡改。

低耗節(jié)能,續(xù)航能力再升級

針對移動設備與電池供電場景,RSUN2M 展現卓越低功耗特性:1.65V-3.6V 寬電壓單電源供電適配多類設備;待機電流僅 0.4μA,深度掉電電流低至 0.2μA,33MHz 主動讀取電流 1.5mA,主動編程 / 擦除電流 3.0mA,大幅降低設備能耗,延長續(xù)航時間,讓智能終端更持久、更高效。

量產無憂,供應鏈穩(wěn)定可控

RSUN2M 采用標準化編帶包裝,載帶定位精準(定位孔間距 4mm、pocket 間距 2mm),卷盤數量 10K / 盤、內箱 140K、外箱 560K 的規(guī)?;b規(guī)格,適配自動化貼片生產流程,確保批量生產效率與穩(wěn)定性,為大規(guī)模應用提供堅實供應鏈支持。

從微型智能終端到工業(yè)級控制系統,RSUN2M 以 “高性能、小體積、長壽命、低功耗、高安全” 的核心優(yōu)勢,重新定義串行閃存應用標準。RSUN TECH 始終以技術創(chuàng)新為核心,RSUN2M 不僅是一款存儲器件,更是助力設備升級的可靠伙伴。選擇 RSUN2M,讓每一次數據存儲都高效、安全、持久!

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