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以高壓模擬開(kāi)關(guān)替代光繼電器:關(guān)鍵電壓設(shè)計(jì)與選型實(shí)踐

eeDesigner ? 2025-08-21 19:35 ? 次閱讀
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在自動(dòng)化測(cè)試、工廠控制系統(tǒng)高精度應(yīng)用場(chǎng)合,光繼電器(Photorelay)長(zhǎng)期以來(lái)是實(shí)現(xiàn)高壓信號(hào)切換的主流方案。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,高壓模擬開(kāi)關(guān)在集成度、尺寸、速度和成本方面逐漸展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。尤其在德州儀器TI)推出支持高達(dá)220V開(kāi)關(guān)電壓的模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品后,工程師們開(kāi)始重新評(píng)估傳統(tǒng)光繼電器方案的必要性。

然而,直接替換光繼電器并不是簡(jiǎn)單的參數(shù)對(duì)照,尤其是電壓相關(guān)規(guī)格的匹配,若處理不當(dāng)可能導(dǎo)致系統(tǒng)損壞甚至功能失效。本文基于實(shí)際設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),探討在選用高壓模擬開(kāi)關(guān)替代光繼電器時(shí)需重點(diǎn)考量的電壓參數(shù)及其設(shè)計(jì)實(shí)踐。

一、關(guān)鍵參數(shù)對(duì)照:從光繼電器到模擬開(kāi)關(guān)

光繼電器與模擬開(kāi)關(guān)雖然在功能上類(lèi)似,但其數(shù)據(jù)手冊(cè)中的參數(shù)命名和定義存在較大差異。若要在設(shè)計(jì)中正確替換,必須理解以下幾個(gè)關(guān)鍵電壓參數(shù):

1. 隔離電壓(Isolation Voltage, (V_))

光繼電器的 (V_{iso}) 指的是其輸入端(LED側(cè))與輸出端(MOSFET側(cè))之間介質(zhì)能承受的最大電壓。該參數(shù)保證了光電隔離的能力,常用于需要電氣隔離的場(chǎng)合。

而在模擬開(kāi)關(guān)中,并沒(méi)有直接對(duì)應(yīng)的“隔離電壓”概念。取而代之的是電源電壓范圍信號(hào)電壓范圍 ,設(shè)計(jì)中需確保模擬開(kāi)關(guān)的供電電壓能夠覆蓋待切換信號(hào)的最高電壓。

2. 開(kāi)關(guān)電壓(Switch Voltage, (V_))

光繼電器的 (V_{switch}) 表示其輸出端能夠安全切換的最大電壓。在模擬開(kāi)關(guān)中,與之對(duì)應(yīng)的是 Analog I/O Voltage ,即開(kāi)關(guān)通道所能承受的信號(hào)電壓范圍。

? 替換準(zhǔn)則:
只要模擬開(kāi)關(guān)的 Analog I/O 電壓規(guī)格 ≥ 光繼電器的 (V_{switch}),即可在大多數(shù)情況下實(shí)現(xiàn)替換。

舉例來(lái)說(shuō),若光繼電器規(guī)格為 100V,則可選用 TI 的 TMUX8212(支持±50V,即100V差分)或 TMUX9612(支持±110V,即220V差分)進(jìn)行替代。

二、地電平不一致時(shí)的解決方案

在實(shí)際系統(tǒng)中,控制信號(hào)地(Control GND)與開(kāi)關(guān)信號(hào)地(Switch GND)常常并不共地。這種情況下若直接連接,可能導(dǎo)致邏輯電平誤判甚至器件損壞。

例如,當(dāng)控制側(cè)地為 -10V,而模擬開(kāi)關(guān)的地為 -20V 時(shí),普通的 GPIO 信號(hào)可能無(wú)法正確被識(shí)別為高/低電平。

TI 提供的 TXG 系列電平轉(zhuǎn)換器 (如 TXG8041/TXG8042)可解決此類(lèi)問(wèn)題。該器件能處理高達(dá) ±80V 的地電平差,確??刂菩盘?hào)正確傳遞至模擬開(kāi)關(guān)的邏輯引腳。

控制信號(hào)(-10V)→ TXG Translator → 轉(zhuǎn)換后信號(hào)(-20V)→ 模擬開(kāi)關(guān) SELx

借此,即使在不同地電位的系統(tǒng)中,也能可靠使用高壓模擬開(kāi)關(guān),同時(shí)享受到其小尺寸、低導(dǎo)通電阻和快速切換的優(yōu)勢(shì)。

三、器件選型建議

下表列出幾款TI高壓模擬開(kāi)關(guān)的主要參數(shù),供選型參考:

器件型號(hào)通道結(jié)構(gòu)電壓范圍封裝密度導(dǎo)通電阻關(guān)斷電容
TMUX57614DZEMR1:1, 8通道4.5V 42V / ±4.5V ±25V2.5mm2/通道27pF
TMUX7612RUMR1:1, 4通道4.5V 50V / ±4.5V ±25V4.0mm2/通道1.1Ω27pF
TMUX8212RUMR1:1, 4通道10V 100V / ±10V ±50V4.0mm2/通道12pF
TMUX8612RUMR1:1, 4通道10V 100V / ±10V ±50V4.0mm2/通道14Ω5pF
TMUX9612RUMR1:1, 4通道10V 220V / ±10V ±110V4.0mm2/通道14Ω5pF

四、總結(jié)

用高壓模擬開(kāi)關(guān)替代光繼電器,不僅能顯著減小PCB面積、降低系統(tǒng)成本,還能提升切換速度和可靠性。然而,替換時(shí)必須嚴(yán)格比對(duì)電壓規(guī)格,特別是:

  • 模擬開(kāi)關(guān)的 Analog I/O 電壓需 ≥ 原光繼電器的 (V_{switch});
  • 若控制地與開(kāi)關(guān)地存在電位差,應(yīng)使用如 TXG 系列的電平轉(zhuǎn)換器;
  • 注意開(kāi)關(guān)的供電電壓需覆蓋信號(hào)電壓范圍。

TI 目前提供的模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品已覆蓋從 50V 至 220V 的應(yīng)用場(chǎng)景,結(jié)合電平轉(zhuǎn)換方案,可滿(mǎn)足絕大多數(shù)高壓信號(hào)切換需求,是新一代測(cè)試、測(cè)量與自動(dòng)化設(shè)備的優(yōu)選方案。


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