晶須是一種在金屬材料中形成的細長絲狀晶體，這種微小結(jié)構(gòu)可能在電子或電氣產(chǎn)品中出現(xiàn)。晶須的形成通常與金屬晶體的非均勻擴張有關(guān)，可能由應力或其他外部因素引起。錫、鎘、鋅等金屬是容易產(chǎn)生晶須的典型材料，其中錫晶須尤為常見。晶須的存在可能對電子產(chǎn)品的性能和可靠性產(chǎn)生負面影響，因此在電子制造過程中，控制和預防晶須的形成顯得尤為重要。

晶須的成因與影響

晶須的形成過程通常涉及金屬晶體的物理位移，這種現(xiàn)象可能由焊接后的內(nèi)應力引起。晶須的形態(tài)多樣，可能呈現(xiàn)直線、彎曲、扭結(jié)或環(huán)形等形狀，其截面形狀也各異，包括星形、帶形、不規(guī)則多邊形和花形等。晶須的長度可以從幾微米到數(shù)毫米不等，表面可能帶有縱向條紋或凹槽。

晶須的存在可能導致以下危害：

1. 永久性短路：晶須生長到一定長度后，可能使兩個不同的導體短路，尤其在低電壓、高阻抗電路中，可能產(chǎn)生穩(wěn)定持久的短路。

2. 短暫性短路：在高電壓下，電流可能超過晶須所能承受的電流，導致錫須熔斷，從而產(chǎn)生瞬時短路。

3. 殘屑污染：在振動環(huán)境中，錫須可能從鍍層表面脫落或折斷，形成殘屑，引發(fā)電路短路或精密機械的故障。

4. 真空中的金屬蒸汽電?。?/strong>在航天器真空環(huán)境中，錫須短路可能導致金屬蒸發(fā)放電，誘發(fā)穩(wěn)定的等離子電弧，迅速毀壞電子設備。

錫須試驗的重要性

錫須試驗是一種重要的材料可靠性驗證方法，尤其是在精密元件的生產(chǎn)工藝中。

通過模擬不同環(huán)境條件下的腐蝕行為，可以預測金屬材料在實際使用過程中的耐腐蝕性能和失效風險，從而降低生產(chǎn)過程中的安全隱患和成本損失。

錫須試驗的主要目的包括：

1. 評估材料穩(wěn)定性和耐腐蝕性：篩選出具有優(yōu)異耐腐蝕性能的金屬材料，為工業(yè)制造過程中的材料選擇提供重要依據(jù)。

2. 研究金屬材料的微觀結(jié)構(gòu)和性能：揭示金屬材料在高溫環(huán)境下的腐蝕機制和演化規(guī)律，深入了解材料的物理化學性質(zhì)及其與腐蝕行為之間的關(guān)系。

錫須的試驗方法

常見的錫須試驗方法是通過環(huán)境試驗進行加速模擬，金鑒實驗室在進行試驗時，嚴格遵循相關(guān)標準操作，確保每一個測試環(huán)節(jié)都精準無誤地符合標準要求。目前做得最多的方法是以下幾種：

1.高溫高濕時錫須生長曲線

2.冷熱沖擊時錫須生長曲線

3.室溫時錫須生長曲線

4.施加縱向壓力時錫須生長曲線

錫須建議解決方法：

1、鍍層工藝的改進，在Cu上鍍鎳，鎳上鍍鈀，鈀上鍍金，主要在形成Cu擴散的障礙層，避免Cu直接和Sn經(jīng)化學反應生成Cu5Sn6介面金屬合金IMC，產(chǎn)生應力。

2、鍍較厚的Sn層，厚度約8-12um，如此于表面的Sn面收到下方因Sn、Cu翻譯傳送而來的應力相對會變小。應力一邊小，相對的Sn表面就比較不容易長錫須。

3、于電鍍前后進行退火熱處理，一般退火處理條件可以是150度/1~2小時，退火之目的及效果有消除加工應力，IMC厚度變均勻，防止再結(jié)晶或晶粒長大。

4、鍍霧面錫，霧面錫表面有較大之晶粒（~5um）（亮錫晶粒~0.2um），又錫須一般直徑與表面晶粒相近，故雖然鍍霧面錫可能無法阻止錫須成長，但錫須不會很長，比較不容易造成產(chǎn)品的短路失效。