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UCC21755-Q1汽車級SiC/IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-08-27 15:17 ? 次閱讀
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Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動器設(shè)計用于高達(dá)2121Vpk 的SiC MOSFETIGBT。UCC21755-Q1具有高級保護(hù)特性、同類最佳的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊.pdf

TI UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動器具有高達(dá)±10A峰值拉電流和灌電流。輸入側(cè)與輸出側(cè)通過SiO2電容式隔離技術(shù)進(jìn)行隔離,支持高達(dá)1.5kVRMS 工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度(隔離柵壽命超過40年)、較低的零件間偏移以及±150V/ns共模噪聲抗擾度(CMTI)。

UCC21755-Q1提供先進(jìn)的保護(hù)特性,包括快速過流和短路檢測、分流檢測支持、故障報告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側(cè)電源UVLO,以優(yōu)化SiC和IGBT開關(guān)行為。

隔離式模擬轉(zhuǎn)PWM傳感器可用于更好地管理溫度或電壓檢測。這些功能進(jìn)一步提高了驅(qū)動器的多功能性,簡化了系統(tǒng)設(shè)計工作,縮小了尺寸,降低了成本。

特性

  • 5.7kVRMS單通道隔離式柵極驅(qū)動器~~
  • 符合AEC-Q100認(rèn)證,具有以下特性:
    • 器件溫度0級:-40°C to +150°C環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件人體模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級3A
    • 器件充電器件模型 (CDM) ESD分類等級C6
  • 功能安全質(zhì)量管理型
    • 可提供幫助進(jìn)行功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文檔
  • 高達(dá)2121Vpk 的SiC MOSFET和IGBT
  • 4 A內(nèi)部有源米勒鉗位
  • 發(fā)生故障時軟關(guān)斷:400mA
  • 具有PWM輸出的隔離式模擬傳感器,用于:
    • 使用NTC、PTC或熱敏二極管進(jìn)行溫度檢測
    • 高壓直流鏈路或相位電壓
  • 最大輸出驅(qū)動電壓:33V (VDD-VEE)
  • 200ns響應(yīng)時間快速DESAT保護(hù),5V閾值
  • ±10A驅(qū)動強(qiáng)度和分離輸出
  • 最低CMTI:150V/ns
  • 過流報警FLT和RST/EN復(fù)位
  • 在RST/EN上快速啟用/禁用響應(yīng)
  • 在輸入引腳上抑制<40ns噪聲瞬態(tài)和脈沖
  • 12 V VDD UVLO,RDY電源正常
  • 輸入/輸出可耐受高達(dá)5V的過沖/欠沖瞬態(tài)電壓
  • 130 ns(最大值)傳播延遲和30 ns(最大值)脈沖/零件偏移
  • SOIC-16 DW封裝,爬電距離和電氣間隙為>8mm
  • 工作結(jié)溫范圍:-40°C至+150°C

引腳配置

1.png

UCC21755-Q1汽車級SiC/IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述與核心特性

UCC21755-Q1是德州儀器(TI)推出的汽車級單通道隔離柵極驅(qū)動器,專為SiC MOSFET和IGBT設(shè)計,具有以下突出特性:

?關(guān)鍵參數(shù)?:

  • ?超強(qiáng)驅(qū)動能力?:±10A峰值源/灌電流輸出
  • ?寬電壓范圍?:支持3.5V-80V輸入電壓,輸出驅(qū)動電壓高達(dá)33V
  • ?高級保護(hù)功能?:集成200ns快速DESAT保護(hù)、4A主動米勒鉗位和400mA軟關(guān)斷
  • ?隔離特性?:5.7kVRMS強(qiáng)化隔離,CMTI>150V/ns
  • ?集成傳感功能?:隔離式模擬-PWM傳感器接口,支持溫度/電壓監(jiān)測

?汽車認(rèn)證?:

  • AEC-Q100 Grade 1認(rèn)證(-40°C至+125°C環(huán)境溫度)
  • 功能安全質(zhì)量管理,提供完整的文檔支持

二、創(chuàng)新架構(gòu)設(shè)計

1. 隔離與驅(qū)動架構(gòu)

采用SiO2電容隔離技術(shù)實現(xiàn):

  • 1.5kVRMS工作電壓
  • 12.8kVPK浪涌抗擾度
  • 40年隔離屏障壽命

  • 低至130ns傳播延遲

2. 雙級輸出結(jié)構(gòu)

  • ?混合上拉架構(gòu)?:PMOS與NMOS并聯(lián),有效上拉電阻僅0.7Ω
  • ?獨立下拉路徑?:0.3Ω低阻抗NMOS下拉
  • 分體式輸出(OUTH/OUTL)支持獨立控制開通/關(guān)斷速度

3. 保護(hù)機(jī)制

?三級保護(hù)體系?:

  1. ?DESAT保護(hù)?:5V閾值,200ns響應(yīng)
  2. ?主動米勒鉗位?:2V閾值電壓,4A鉗位能力
  3. ?軟關(guān)斷?:400mA恒流關(guān)斷,降低電壓過沖

三、典型應(yīng)用設(shè)計指南

1. 半橋驅(qū)動配置

?關(guān)鍵元件選型?:

元件參數(shù)要求備注
柵極電阻1-10Ω根據(jù)開關(guān)速度需求調(diào)整
DESAT二極管快恢復(fù)型串聯(lián)1-10Ω限流電阻
電源去耦VDD:10μF+100nFVCC:1μF+100nF低ESR陶瓷電容

?PCB布局要點?:

  • COM引腳采用開爾文連接至功率器件源極
  • 柵極環(huán)路面積<20mm2
  • 輸入/輸出側(cè)地平面分離

2. 溫度監(jiān)測實現(xiàn)

輸出特性:

  • 400kHz固定頻率PWM
  • 0.6-4.5V輸入對應(yīng)10%-88%占空比
  • ±3%精度(單點校準(zhǔn)后±1%)

四、關(guān)鍵電路設(shè)計

1. DESAT保護(hù)電路

?推薦配置?:

  • 高壓二極管:US1J(1000V/1A)
  • 空白電容:CBLK=100pF-1nF
  • 保護(hù)電路:
    • 串聯(lián)電阻:1-10Ω
    • 肖特基二極管:防止負(fù)壓
    • 齊納二極管:限制正壓

2. 增強(qiáng)驅(qū)動方案

對于>15A驅(qū)動需求:

  • 推薦緩沖器:MJD44H11/MJD45H11對管
  • 軟關(guān)斷配置:
    CSTO = (0.4A×tSTO)/(VDD-VEE)
    RSTO ≥ (VDD-VEE)/10

五、熱設(shè)計與可靠性

1. 熱特性參數(shù)

  • 結(jié)到環(huán)境熱阻:68.3°C/W
  • 最大功耗:1.22W@Ta=25°C
  • 安全工作溫度:150°C結(jié)溫

2. 降額曲線

  • VDD=15V/VEE=-5V時:
    • 125°C環(huán)境溫度下最大61mA安全電流
  • VDD=20V/VEE=-5V時:
    • 125°C環(huán)境溫度下最大49mA安全電流

六、應(yīng)用場景

  1. ?新能源汽車?:
  2. ?工業(yè)電力?:
    • 電機(jī)驅(qū)動
    • 太陽能逆變器
    • 工業(yè)電源
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