TLC6C5912-Q1 是一款單片、中壓、低電流功率 12 位移位寄存器 設(shè)計(jì)用于需要相對中等負(fù)載功率的系統(tǒng)，例如 LED。

該器件包含一個(gè) 12 位串行輸入并行輸出移位寄存器，可為 12 位饋電 D型存儲寄存器。通過移位寄存器和存儲寄存器進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸 移位寄存器時(shí)鐘 （SRCK） 和寄存器時(shí)鐘 （RCK） 的邊沿。存儲 寄存器在移位寄存器清除 （CLR） 時(shí)將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器 很高。CLR 的低電平會清除設(shè)備中的所有寄存器。保持輸出 使能 （G） 高電平使輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)保持為低電平，所有漏極 輸出關(guān)閉。將 G 保持為低電平，使存儲寄存器中的數(shù)據(jù) 對輸出緩沖區(qū)透明。
*附件：tlc6c5912-q1.pdf

當(dāng)輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)為低電平時(shí)，DMOS晶體管輸出關(guān)閉。當(dāng)數(shù)據(jù)是 高電平時(shí)，DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。串行輸出 （SER OUT） 時(shí)鐘 在 SRCK 的下降沿從器件中取出，為級聯(lián)提供額外的保持時(shí)間 應(yīng)用。這為時(shí)鐘信號可能 傾斜、設(shè)備彼此不靠近，或者系統(tǒng)必須耐受電磁 干擾。該設(shè)備包含內(nèi)置的熱關(guān)斷保護(hù)。

輸出為低側(cè)開漏 DMOS 晶體管，輸出額定值為 40 V 和 50 mA 當(dāng) V CC = 5 伏。電流限制 隨著結(jié)溫的升高而降低，以提供額外的器件保護(hù)。該設(shè)備還 使用人體模型進(jìn)行測試時(shí)提供高達(dá) 2000 V 的 ESD 保護(hù)，在測試時(shí)提供高達(dá) 200 V 的 ESD 保護(hù) 使用機(jī)器模型進(jìn)行測試。

TLC6C5912-Q1 特性適用于在工作環(huán)境溫度下工作 范圍為 ?40°C 至 125°C。

特性

• 符合汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)
• 寬 VCC范圍為 3 V 至 5.5 V
• 輸出最大額定值為 40 V
• 12 個(gè)功率 DMOS 晶體管輸出，50 mA 連續(xù)電流，V CC = 5 伏
• 熱關(guān)斷保護(hù)
• 增強(qiáng)多級級聯(lián)
• 所有寄存器均通過單輸入清除
• 低功耗
• 開關(guān)時(shí)間慢（tr和 t f ），這有助于顯著降低 EMI
• 20引腳TSSOP-PW封裝
• 20引腳DW封裝

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?

• 型號：TLC6C5912-Q1
• 類型：汽車級12通道移位寄存器LED驅(qū)動器
• 特性：支持3V-5.5V寬電壓，12路50mA恒流輸出（VCC=5V時(shí)），40V耐壓，具備熱關(guān)斷保護(hù)和級聯(lián)功能
• 封裝：20引腳TSSOP-PW和DW封裝

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?電氣參數(shù)?：
  • 工作溫度：-40°C至125°C
  • 輸出導(dǎo)通電阻：典型值8.6Ω（單通道，VCC=5V）
  • ESD防護(hù)：2000V（人體模型）
• ?功能控制?：
  • 串行輸入（SER IN）、移位時(shí)鐘（SRCK）、寄存器時(shí)鐘（RCK）
  • 全局使能（G?）和清零（CLR）引腳

?3. 應(yīng)用設(shè)計(jì)?

• ?典型電路?：支持多器件級聯(lián)，通過SER OUT實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)鏈?zhǔn)絺鬏?/li>
• ?布局建議?：需在VCC引腳附近放置0.1μF去耦電容，PCB需最大化覆銅面積以優(yōu)化散熱
• ?熱管理?：內(nèi)置175°C熱關(guān)斷保護(hù)，觸發(fā)后需降溫至160°C以下恢復(fù)

?4. 文檔結(jié)構(gòu)?

• 包含完整的技術(shù)參數(shù)、時(shí)序圖、典型應(yīng)用電路和封裝信息
• 版本歷史顯示2016年7月更新（Rev.C），修訂了導(dǎo)通電阻測試條件等關(guān)鍵參數(shù)

?5. 安全提示?

• 絕對最大額定值：VCC≤8V，VDS≤42V
• 建議工作電壓：3V-5.5V，超出范圍可能影響可靠性

該文檔適用于汽車儀表盤、指示燈等LED驅(qū)動場景，需配合MCU進(jìn)行寄存器配置和時(shí)序控制。