Texas Instruments TPS4811-Q1高側驅動器是具有保護和診斷功能的100V AEC-Q100智能驅動器。這些驅動器的工作輸入電壓范圍為3.5V至80V（100V絕對最大值）。TPS4811-Q1驅動器提供精確的電流檢測 (±2%) 輸出 (I MON )，支持用于能量管理的系統(tǒng)設計。這些驅動器采用19引腳VSSOP封裝，在相鄰的高壓和低壓引腳之間移除了一個引腳，提供0.8毫米的間隙。TPS4811-Q1驅動器具有3.7A強上拉和4A下拉柵極驅動器。這些器件非常適合用于配電箱、車身控制模塊、直流/直流轉換器和電池管理系統(tǒng)。TPS4811-Q1驅動器符合汽車應用類AEC-Q100認證。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments TPS4811-Q1高側驅動器數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 下列性能符合AEC-Q100標準：
  • 器件溫度1級：
    • 環(huán)境工作溫度范圍：-40°C至+125°C
• 支持功能安全：
  • 來輔助功能安全系統(tǒng)設計的文檔
• 輸入電壓范圍：3.5V至80V（100V絕對最大值）
• 輸出反極性保護低至-30V
• 集成12V電荷泵，具有100μA容量
• 1.6μA低關斷電流（EN/UVLO = 低）
• 強大的3.7A上拉和4A下拉柵極驅動器
• 驅動外部背對背N溝道MOSFET
• 具有集成預充電開關驅動器 (TPS48111-Q1) 的型號，用于驅動容性負載
• 兩級可調過流保護（IWRN和ISCP），帶可調節(jié)斷路器定時器 (TMR) 和故障標志輸出 (FLT_I)
• 快速短路保護：
  • 1.2μs (TPS48111-Q1)
  • 4μs (TPS48110-Q1)
• 精確模擬電流監(jiān)控器輸出 (I MON ) ±2%（30mV VSNS時）
• <±2%精度、可調欠壓閉鎖 (UVLO) 和過壓保護 (OV)
• 遠程過熱檢測 (DIODE) 和保護，帶故障標記輸出 (FLT_T)

框圖

TPS4811-Q1 汽車級智能高側驅動器技術解析與應用指南

一、產(chǎn)品概述

TPS4811-Q1是德州儀器(TI)推出的100V汽車級智能高側驅動器，具有全面的保護與診斷功能。該器件通過AEC-Q100 Grade 1認證，工作溫度范圍-40°C至+125°C，專為12V/24V/48V汽車系統(tǒng)設計。

?核心特性?：

• ?寬電壓范圍?：3.5V至80V工作電壓(絕對最大值100V)
• ?反向極性保護?：支持-30V輸出反向電壓
• ?集成12V電荷泵?：100μA驅動能力
• ?強驅動能力?：3.7A峰值源電流(PU)和4A峰值灌電流(PD)
• ?兩級過流保護?：可調警告閾值(IWRN)和短路閾值(ISCP)
• ?精確電流監(jiān)測?：±2%精度的模擬輸出(IMON)
• ?遠程溫度保護?：通過外部BJT實現(xiàn)溫度監(jiān)控(FLT_T)

二、關鍵技術創(chuàng)新

1. 智能柵極驅動架構

• 集成電荷泵提供12V柵極驅動電壓
• 支持背對背N溝道MOSFET配置
• 可配置的柵極導通/關斷速率控制
• TPS48111-Q1變體集成預充電驅動器(G)

2. 先進保護機制

• 兩級可調過流保護(IWRN/ISCP)
• 1.2μs(TPS48111-Q1)/4μs(TPS48110-Q1)短路響應時間
• 精確的欠壓鎖定(UVLO)和過壓保護(OV)
• 遠程溫度監(jiān)測(DIODE引腳)

3. 診斷功能

• 故障標志輸出(FLT_I/FLT_T)
• 可配置自動重試或鎖存關斷
• 電流鏡像輸出(IMON)實現(xiàn)能耗監(jiān)控

三、電氣特性詳解

1. 極限參數(shù)

2. 典型性能(VS=48V)

• ?靜態(tài)電流?：613μA(工作模式)，1.6μA(關斷模式)
• ?電荷泵電壓?：11.7V-12.3V(典型值)
• ?保護閾值精度?：
  • 過壓保護：<±2%
  • 電流監(jiān)測：±2%@30mV VSNS
• ?溫度傳感范圍?：-40°C至150°C(使用MMBT3904)

四、行業(yè)應用方案

1. 汽車配電系統(tǒng)

• 車身控制模塊(BCM)
• 電池管理系統(tǒng)(BMS)
• HVAC PTC加熱器驅動

2. 工業(yè)控制系統(tǒng)

• 電機驅動電路
• 電源分配單元
• 大容量電容負載預充電

3. 特殊應用設計

• 雙向功率開關(背對背MOSFET)
• 高邊電流檢測電路
• 帶預充電的容性負載驅動

五、設計注意事項

1. ?PCB布局要點?：
   • 保持電流檢測路徑短且對稱
   • 功率地和信號地單點連接
   • BST電容盡量靠近器件引腳
2. ?熱管理?：
   • θJA=87°C/W(DGX封裝)
   • 高功率應用需增加散熱措施
3. ?EMI優(yōu)化?：
   • 柵極串聯(lián)電阻控制開關速率
   • 敏感信號遠離功率路徑

六、選型對比