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德州儀器TPS1211-Q1智能高邊驅(qū)動器評估模塊技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-08-29 10:41 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS1211Q1EVM驅(qū)動器評估模塊 (EVM) 支持TI的TPS12110-Q1控制器參考電路評估。Texas Instruments TPS12110-Q1是一款3.5V至40V智能高側(cè)控制器,具有兩級可調(diào)過流保護(hù)功能。還包括可調(diào)斷路器定時器、快速短路保護(hù)、精確模擬電流監(jiān)控器輸出和遠(yuǎn)程過熱保護(hù)特性。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TPS1211Q1EVM驅(qū)動器評估模塊 (EVM)數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

  • 工作電壓范圍:3.5V至40V
  • 使用板載跳線提供5A至50A可調(diào)過流保護(hù)
  • 編程斷路器定時器
  • 模擬電流監(jiān)控輸出
  • LED狀態(tài)指示,用于過流和過熱故障

板布局

1.png

德州儀器TPS1211-Q1智能高邊驅(qū)動器評估模塊技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述與核心特性

TPS1211-Q1是德州儀器(TI)推出的汽車級智能高邊驅(qū)動器,其評估模塊(EVM)為工程師提供了完整的參考設(shè)計平臺。該EVM具有以下顯著特性:

  • ?寬電壓工作范圍?:支持3.5V至36V(典型)工作電壓
  • ?強大驅(qū)動能力?:4A柵極驅(qū)動強度,可并聯(lián)驅(qū)動多個MOSFET
  • ?先進(jìn)保護(hù)機制?:
    • 兩級可調(diào)過流保護(hù)(5A至50A)
    • 可編程斷路器定時器
    • 輸入反極性保護(hù)
    • 遠(yuǎn)程過溫保護(hù)
  • ?診斷功能?:
    • 精確模擬電流監(jiān)控輸出
    • LED狀態(tài)指示(過流和過溫故障)
    • 自動重試和鎖存選項可編程

二、評估模塊硬件設(shè)計

2.1 關(guān)鍵電路模塊

  1. ?功率輸入部分?:
  2. ?MOSFET驅(qū)動電路?:
    • 采用BUK7S0R5-40HJ N溝道MOSFET(40V/500A)
    • 柵極驅(qū)動電阻2.21Ω(RC0603FR-072R21L)
    • 集成自舉二極管和100nF自舉電容
  3. ?電流檢測?:
    • 使用500μΩ金屬條電阻(WSL3921L5000FEA)
    • 電流監(jiān)控輸出通過41.2kΩ和20kΩ電阻分壓

2.2 保護(hù)電路設(shè)計

  • ?過流保護(hù)配置?:
    • 通過J3跳線選擇保護(hù)閾值(5A/15A/50A)
    • 使用475kΩ、158kΩ和47kΩ電阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)置比較器閾值
  • ?定時器設(shè)置?:
    • J1跳線選擇1ms/10ms延遲或鎖斷模式
    • 68nF和680nF電容決定時間常數(shù)
  • ?反極性保護(hù)?:
    • 采用Q3、D7(12V齊納二極管)和10kΩ電阻組成保護(hù)電路

三、典型測試配置與方法

3.1 默認(rèn)跳線設(shè)置

跳線默認(rèn)位置功能
J11-2設(shè)置1ms故障延遲
J21-2電流監(jiān)控比例0.09V/A
J33-45A過流保護(hù)閾值

3.2 關(guān)鍵測試項目

  1. ?啟動特性測試?:
    • EN/UVLO從低到高切換時觀察BST、GATE和SRC波形
    • 不同INP狀態(tài)(GND/HIGH)下的啟動曲線對比
  2. ?開關(guān)響應(yīng)測試?:
    • INP輸入從低到高切換測量開啟響應(yīng)時間
    • INP從高到低切換測量關(guān)斷響應(yīng)時間
  3. ?保護(hù)功能驗證?:
    • 輸入反極性測試(12V反向連接)
    • 過載測試(逐步增加負(fù)載至觸發(fā)保護(hù))
    • 輸出短路測試(直接短路VOUT到GND)

四、PCB布局與散熱設(shè)計

4.1 板層結(jié)構(gòu)

  • ?頂層?:功率器件布局,包含MOSFET、電流檢測電阻和輸出端子
  • ?底層?:控制電路和小信號元件
  • ?內(nèi)層1?:信號布線層
  • ?內(nèi)層2?:電源分布層

4.2 熱管理要點

  1. ?關(guān)鍵發(fā)熱元件?:
    • 功率MOSFET(BUK7S0R5-40HJ)
    • 電流檢測電阻(WSL3921L5000FEA)
    • 驅(qū)動芯片(TPS12110-Q1)
  2. ?散熱措施?:
    • 大面積銅箔用于功率地(PGND)
    • 多個散熱過孔連接至內(nèi)層平面
    • MOSFET采用LFPAK88封裝優(yōu)化散熱

五、應(yīng)用場景與設(shè)計建議

5.1 典型應(yīng)用

5.2 設(shè)計注意事項

  1. ?布局建議?:
    • 保持功率回路面積最小化
    • 輸入/輸出端子使用粗短線連接
    • 敏感模擬信號遠(yuǎn)離功率走線
  2. ?元件選擇?:
    • 輸入電容至少1μF陶瓷+10μF電解組合
    • 柵極驅(qū)動電阻根據(jù)開關(guān)速度要求調(diào)整
    • 電流檢測電阻功率等級需滿足最大負(fù)載
  3. ?調(diào)試技巧?:
    • 先以低壓(如12V)和小負(fù)載驗證功能
    • 逐步增加負(fù)載觀察熱性能
    • 使用示波器監(jiān)控關(guān)鍵節(jié)點波形
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