2025年8月27至28日，第五屆全球xEV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會(huì)在上海松江成功舉辦。作為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，宏微科技受邀參會(huì)，并集中展示了其在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的多項(xiàng)創(chuàng)新產(chǎn)品與系統(tǒng)解決方案，成為會(huì)場(chǎng)關(guān)注焦點(diǎn)。

宏微科技在本次展會(huì)帶來(lái)了多款車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊，包括應(yīng)用于800V系統(tǒng)的SiC主驅(qū)模塊、400V系統(tǒng)的IGBT主驅(qū)模塊，以及應(yīng)用于800V系統(tǒng)的IGBT主驅(qū)模塊。此外，宏微科技控股子公司芯動(dòng)能也帶來(lái)了多款塑封SiC/IGBT模塊，可滿足從乘用車(chē)到商用車(chē)等不同車(chē)型及電驅(qū)系統(tǒng)的多樣化需求。

其中，宏微科技最新推出的GVE系列三相六單元拓?fù)淠K(500A/770A/880A)尤其引人注目。該系列模塊基于宏微新一代M7i+芯片技術(shù)打造，對(duì)比上一代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)顯著性能提升：在高負(fù)載工況下總損耗降低約15%，最高工作結(jié)溫由175℃提升至185℃，整體熱性能與能效水平再上新臺(tái)階。此外，GVE模塊采用耐溫性能更強(qiáng)的封裝材料，在體積較前代GV系列縮小20%的前提下，保持相同電流輸出能力，實(shí)現(xiàn)了更高功率密度與更具競(jìng)爭(zhēng)力的系統(tǒng)成本。同時(shí)，該封裝可支持SiC芯片，具備6并、4并，2并的規(guī)格，采用第三代平面柵SiC芯片，納米銀燒結(jié)和DTS工藝，進(jìn)一步提升功率器件的性能。

芯動(dòng)能于去年年底成功下線第100萬(wàn)只車(chē)規(guī)級(jí)電驅(qū)雙面散熱塑封模塊。目前，芯動(dòng)能開(kāi)發(fā)出以塑封DSC雙面散熱模塊為主，結(jié)合SSC、DCM、TPAK、SMPD、三電平NPC、3in1塑封

全橋模塊等滿足不同市場(chǎng)需求的系列化功率模塊產(chǎn)品。

未來(lái)，宏微科技將持續(xù)加大在車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)與制造投入，攜手產(chǎn)業(yè)鏈伙伴共同推進(jìn)國(guó)產(chǎn)電驅(qū)系統(tǒng)向高效、節(jié)能與智能化方向發(fā)展。

關(guān)于宏微

江蘇宏微科技股份有限公司(英文名MACMIC)成立于2006年，主營(yíng)業(yè)務(wù)為功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造及銷(xiāo)售，主要產(chǎn)品包括 IGBT、MOSFET、FRD、SiC 等芯片、分立器件、模塊等功率半導(dǎo)體器件。公司自產(chǎn) IGBT、FRD、SiC 芯片技術(shù)已達(dá)國(guó)際先進(jìn)、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，打破國(guó)外壟斷，填補(bǔ)了多項(xiàng)國(guó)內(nèi)空白。宏微科技是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)之一, 2021年，成功登陸科創(chuàng)板，股票代碼 688711。