來源:晶能光電
近日,在廈門舉辦的國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟(ISA)2025年度大會上,晶能憑借“大尺寸硅襯底GaN Micro LED外延”技術(shù),成功入選“全球半導(dǎo)體照明創(chuàng)新100佳”。這不僅是對晶能技術(shù)實力的高度認可,更彰顯了中國企業(yè)在全球微顯示領(lǐng)域的創(chuàng)新引領(lǐng)能力。

該獎項由國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟(ISA)組織設(shè)立,評審團由全球半導(dǎo)體照明領(lǐng)域的權(quán)威專家組成,旨在推動產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展,鼓勵技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用突破。晶能此次獲獎,標志著其在大尺寸硅襯底GaN 基Micro LED技術(shù)方面的突破已獲得國際權(quán)威機構(gòu)的充分肯定。
大尺寸硅襯底GaN Micro LED技術(shù)被業(yè)界視為實現(xiàn)Micro LED微顯示產(chǎn)業(yè)化的最佳路線之一。它具備襯底成本低、波長一致性高、可兼容CMOS工藝以及便于無損剝離等優(yōu)勢,可以有效借助集成電路的工藝和設(shè)備,實現(xiàn)高良率、高效率、低成本的Micro LED微顯模組制造。目前晶能已實現(xiàn)大尺寸硅襯底GaN Micro LED外延片的批量供貨,為全球眾多企業(yè)和科研院所提供關(guān)鍵技術(shù)支撐,有力推動Micro LED產(chǎn)業(yè)化進程。

值得一提的是,晶能已多次在“全球半導(dǎo)體照明創(chuàng)新100佳”評選中脫穎而出,此前曾憑借“硅襯底薄膜結(jié)構(gòu)高能量密度圓形發(fā)光芯片”、“硅基垂直結(jié)構(gòu)Mini LED藍綠芯片”等技術(shù)斬獲殊榮。連續(xù)獲獎不僅體現(xiàn)了晶能在技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)品迭代上的持續(xù)投入,也展現(xiàn)出其在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域的深厚積累與創(chuàng)新能力。
此次再獲國際認可,既是一份榮譽,更是一份責(zé)任。晶能將堅持創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略,持續(xù)聚焦核心技術(shù)突破,致力于為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與解決方案,助力半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)邁向高質(zhì)量、可持續(xù)發(fā)展新階段。
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原文標題:再獲國際殊榮!大尺寸硅襯底GaN Micro LED外延入選“全球半導(dǎo)體照明創(chuàng)新100佳”
文章出處:【微信號:lattice_power,微信公眾號:LED廠商消息】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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