exas Instruments UCC27624DGNEVM評(píng)估模塊設(shè)計(jì)用于輕松演示UCC27624/UCC27624-Q1雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器。UCC27624DGNEVM旨在根據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)評(píng)估驅(qū)動(dòng)器IC??舍槍?duì)各種容性和電阻性負(fù)載評(píng)估UCC27624/UCC27624-Q1。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments UCC27624DGNEVM評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
TI UCC27624DGNEVM評(píng)估模塊可配置為并聯(lián)驅(qū)動(dòng)器IC的通道,實(shí)現(xiàn)更高的柵極驅(qū)動(dòng)輸出電流。UCC27624DGNEVMEVM的配置適用于評(píng)估采用TO-220封裝的功率晶體管。
特性
- 具有輸入和輸出接口的高性能驅(qū)動(dòng)器
- 能夠測(cè)試大部分?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)
- 可比較具有兼容引腳分配的各種驅(qū)動(dòng)器的性能
- 能夠并聯(lián)OUTx通道
- 占位符采用TO-220封裝的功率晶體管評(píng)估
工作臺(tái)設(shè)置圖和配置
PCB布局
UCC27624DGNEVM評(píng)估模塊技術(shù)解析
一、模塊核心特性
UCC27624DGNEVM是德州儀器(TI)推出的針對(duì)UCC27624低邊柵極驅(qū)動(dòng)器的評(píng)估模塊,具有以下核心特性:
- ?車規(guī)級(jí)評(píng)估平臺(tái)?:支持4.5V至26V工作電壓范圍
- ?高性能驅(qū)動(dòng)能力?:
- 雙通道5A峰值拉電流/灌電流
- 支持-10V負(fù)電壓輸入能力
- 典型傳播延遲匹配<10ns
- ?靈活配置選項(xiàng)?:
- 可評(píng)估容性負(fù)載(標(biāo)配1800pF)和功率器件
- 提供TO-220封裝MOSFET驅(qū)動(dòng)網(wǎng)絡(luò)評(píng)估
- 支持通道并聯(lián)實(shí)現(xiàn)更高脈沖輸出電流
- ?全面測(cè)試接口?:
- 所有關(guān)鍵引腳配置測(cè)試點(diǎn)(INA/INB/ENA/ENB/OUTA/OUTB)
- 獨(dú)立PWM信號(hào)輸入接口
- 使能控制跳線設(shè)置
二、關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)
1. 電源管理設(shè)計(jì)
2. 信號(hào)路徑優(yōu)化
- ?輸入匹配?:49.9Ω串聯(lián)電阻+10pF濾波電容
- ?輸出網(wǎng)絡(luò)?:
- 可選10kΩ上拉電阻
- 1.8nF標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試負(fù)載
- 220nF大容量負(fù)載測(cè)試位
3. 熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 采用2oz銅厚PCB
- 關(guān)鍵功率路徑加寬走線(最小50mil)
- 底部裸露焊盤(EP)大面積鋪銅
三、評(píng)估測(cè)試指南
1. 基本測(cè)試配置
?設(shè)備清單?:
- 電源:Agilent E3634A(12V/50mA)
- 信號(hào)源:Tektronix AFG3252雙通道函數(shù)發(fā)生器
- 示波器:DPO7054(500MHz+)
- 萬用表:Fluke 187
?典型參數(shù)設(shè)置?:
參數(shù) | 通道A | 通道B |
---|---|---|
信號(hào)類型 | 脈沖 | 脈沖 |
頻率 | 100kHz | 100kHz |
脈寬 | 5μs | 5μs |
延遲 | 0μs | 5μs |
幅值 | 5V | 0V |
2. 性能測(cè)試流程
- ?上電驗(yàn)證?:
- 確認(rèn)靜態(tài)電流4.6mA±2mA(1nF負(fù)載)
- 檢查使能引腳功能(ENA/ENB接地時(shí)輸出關(guān)閉)
- ?時(shí)序測(cè)量?:
- 使用短地線探頭測(cè)量傳播延遲
- 典型值(CL=1800pF):
- tPLH: 15ns(最大25ns)
- tPHL: 13ns(最大22ns)
- ?交叉測(cè)試?:
- 通道間延遲匹配<5ns
- 上升/下降時(shí)間匹配<3ns
四、典型應(yīng)用場(chǎng)景
五、PCB布局要點(diǎn)
- ?層疊設(shè)計(jì)?:
- 頂層:信號(hào)走線+測(cè)試點(diǎn)
- 底層:完整地平面
- 關(guān)鍵特性:
- 0.5mm過孔連接EP焊盤
- 測(cè)試點(diǎn)與器件間距>50mil
- ?關(guān)鍵器件布局?:
- VDD去耦電容距芯片<100mil
- 柵極電阻靠近驅(qū)動(dòng)器輸出
- 功率環(huán)路面積最小化
- ?EMI優(yōu)化?:
- 輸入/輸出走線直角避免
- 敏感信號(hào)遠(yuǎn)離功率路徑
- 測(cè)試點(diǎn)添加ESD保護(hù)
-
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