格羅方德2025年度技術峰會（GlobalFoundries Technology Summit 2025, GTS 2025）北美站于8月28日在美國加利福尼亞州圣克拉拉市成功舉辦。本次峰會期間，格羅方德宣布了一系列令人矚目的技術成果與戰(zhàn)略合作進展，包括：

攜手芯科科技（Silicon Labs）推動Wi-Fi連接技術規(guī)?；l(fā)展

推出公司迄今為止性能最高的鍺硅平臺——130納米互補雙極型CMOS（CBIC）平臺

發(fā)布配備電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術的22FDX+平臺

格羅方德正以強大的技術實力和前瞻性的戰(zhàn)略布局打造差異化的核心芯片，助力半導體行業(yè)的創(chuàng)新生態(tài)發(fā)展。

攜手芯科科技推動行業(yè)領先

Wi-Fi連接技術規(guī)?；l(fā)展

格羅方德與低功耗無線技術領軍企業(yè)芯科科技宣布，雙方基于40納米工藝技術的合作取得重大里程碑——采用格羅方德40LP平臺制造的芯科科技Wi-Fi芯片累計出貨量已突破1000萬顆。此次在40LP平臺上實現無線系統(tǒng)級芯片（SoC）的大規(guī)模量產，其中包括芯科科技的SiWX917 Wi-Fi 6芯片，為下一代高性能、高能效的聯網設備奠定了基礎。

此次合作的核心在于格羅方德豐富多樣且性價比高、功能強大的CMOS解決方案組合，這些方案為下一代邊緣設備提供了恰到好處的功能特性。格羅方德經過硅驗證的40LP制程技術，在待機模式下具有低漏電特性，能夠支持低功耗、持續(xù)在線的智能設備。40LP平臺是格羅方德先進傳感技術產品組合中的關鍵組成部分，可提供出色的信噪比，確保實時監(jiān)測時數據的精準捕獲。

推出面向高性能智能移動設備、通信及工業(yè)應用的130CBIC 鍺硅（SiGe）平臺

格羅方德宣布其130納米互補雙極型CMOS（CBIC）平臺正式投入生產，這是公司迄今為止性能最高的鍺硅技術。目前，該平臺已提供工藝設計套件（PDK）供設計使用。130CBIC平臺憑借NPN晶體管ft/fmax超過400 GHz、PNP晶體管超過200 GHz的卓越性能，成為唯一能夠滿足智能手機、無線基礎設施、光網絡、衛(wèi)星通信和工業(yè)物聯網等多個關鍵市場需求的高性能鍺硅平臺。

130CBIC平臺將由格羅方德位于佛蒙特州伯靈頓的工廠研發(fā)并制造，該平臺經過優(yōu)化，可在降低成本的同時，突破連接應用中射頻（RF）性能的極限。對于蜂窩智能手機而言，該平臺支持的低噪聲放大器（LNA）能夠在保持超低噪聲系數的同時，降低電流消耗，從而有助于減少電池電量損耗。在數據中心領域，該平臺的高性能PNP晶體管支持創(chuàng)新的放大器拓撲結構，能夠在較低功耗下實現高增益帶寬，適用于高速模擬和光網絡。此外，該平臺還支持頻率超過100GHz的先進毫米波（mmWave）工業(yè)雷達應用，能夠在更小的封裝尺寸內實現高分辨率傳感和距離測量。

發(fā)布適用于無線連接與人工智能應用的22FDX+ RRAM技術

格羅方德推出配備RRAM技術的22FDX+平臺，這標志著公司在嵌入式非易失性存儲器（eNVM）解決方案領域取得了重大進展。全新的RRAM技術與高性能、超低功耗的22FDX平臺相結合，為無線微控制器和人工智能物聯網（AI IoT）應用的代碼存儲提供了安全、低延遲、高密度的嵌入式存儲器。

格羅方德的嵌入式RRAM采用行業(yè)驗證的氧化鉿電阻式隨機存取存儲器（OxRAM）技術設計，具備低成本、低功耗讀寫、高耐久性和出色的數據保持能力等優(yōu)勢。與格羅方德增強型22FDX平臺實現片上集成后，可提升數據保留能力、可靠性和安全性，同時提高電源效率，打造出緊湊型SoC解決方案。

格羅方德此次公布的一系列技術成果彰顯了格羅方德在技術研發(fā)與創(chuàng)新方面的卓越能力。