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Texas Instruments TPS714低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)深度解析

科技觀察員 ? 2025-09-06 10:19 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS714低壓差(LDO線性穩(wěn)壓器是一款低靜態(tài)電流器件,采用微型封裝,具有低功耗運(yùn)行和寬輸入電壓范圍等優(yōu)點(diǎn)。因此,TPS714專為電池供電型應(yīng)用而設(shè)計,可用作低功耗微控制器電源管理附件。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TPS714低壓差(LDO)線性穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊.pdf

TPS714有固定版本和可調(diào)版本可供選擇。為獲得更大的靈活性或更高的輸出電壓,可調(diào)電壓版本使用外部反饋電阻器將輸出電壓設(shè)置為1.205V至8.8V。TPS714 LDO在負(fù)載電流為80mA時支持650mV(典型值)的低壓差。在整個輸出負(fù)載電流范圍內(nèi)(0mA至80mA),低靜態(tài)電流(典型值為3.2μA)均保持穩(wěn)定。TPS714還具有內(nèi)部軟啟動功能,可降低浪涌電流。內(nèi)置過流限制有助于在發(fā)生負(fù)載短路或故障時保護(hù)穩(wěn)壓器。

Texas Instruments TPS714采用適用于高功率耗散應(yīng)用的2mm×2mm封裝以及適用于手持和超便攜應(yīng)用的SC70-5封裝。

特性

  • 2.5 V 到 10 V 的輸入電壓范圍
  • 可用輸出電壓選項
    • 固定:1.8 V至5 V
    • 可調(diào):1.205 V至8.8 V
  • 輸出電流:高達(dá)80mA
  • 80mA負(fù)載電流時IQ 低至:3.2μA
  • 壓差電壓:50mA負(fù)載下為415mV
  • 過流保護(hù)
  • 工作結(jié)溫范圍:–40°C至+125 °C
  • 封裝
    • 2mm×1.25mm SC-70(DCK)
    • 2mm×2mm WSON(DRV)

功能框圖

1.png

Texas Instruments TPS714低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)深度解析

一、產(chǎn)品概述

Texas Instruments TPS714系列是專為低功耗應(yīng)用設(shè)計的低壓差線性穩(wěn)壓器,具有以下核心特性:

  • ?超低靜態(tài)電流?:僅3.2μA(典型值),適用于電池供電設(shè)備
  • ?寬輸入電壓范圍?:2.5V至10V,兼容多種電源方案
  • ?雙版本可選?:固定輸出電壓(1.8V至5V)和可調(diào)輸出電壓(1.205V至8.8V)
  • ?高輸出精度?:±3%輸出電壓精度(固定版本)
  • ?微型封裝?:提供2mm×1.25mm SC-70和2mm×2mm WSON兩種封裝

二、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新

1. 超低功耗設(shè)計

  • 靜態(tài)電流穩(wěn)定在3.2μA(典型值)從空載到滿載(80mA)
  • 采用泄漏歸零控制電路(Leakage Null Control Circuit)
  • 內(nèi)部軟啟動功能(僅新型芯片)限制浪涌電流

2. 先進(jìn)保護(hù)機(jī)制

  • 磚墻式(brick-wall)過流保護(hù)
  • 輸入過壓保護(hù)(最高30V耐受)
  • 熱關(guān)斷保護(hù)

3. 雙代工工藝版本

  • ?傳統(tǒng)芯片?:成熟工藝,穩(wěn)定性驗證
  • ?新型芯片?:優(yōu)化工藝,改進(jìn)特性:
    • 更低的壓差電壓(415mV@50mA)
    • 改善的噪聲性能(425μVrms)
    • 增強(qiáng)的電流限制特性

三、典型應(yīng)用設(shè)計

1. 電池供電MCU系統(tǒng)

典型連接示意圖:
VIN → 0.1μF → TPS714 → 0.47μF → MSP430 MCU

設(shè)計要點(diǎn):

  • 選擇固定輸出版本簡化設(shè)計
  • 最小輸出電容0.47μF確保穩(wěn)定性
  • 輸入電容推薦0.1μF以上抑制電源噪聲

2. 工業(yè)傳感器供電

方案特點(diǎn):

  • 利用可調(diào)版本適應(yīng)不同傳感器電壓需求
  • 反饋電阻選擇:
    • R2=1MΩ(固定)
    • R1根據(jù)Vout=1.205×(1+R1/R2)計算
  • 添加Cff電容(≥10pF)改善瞬態(tài)響應(yīng)

四、性能參數(shù)詳解

1. 電氣特性(典型值)

參數(shù)條件典型值
壓差電壓Iout=80mA415mV
線性調(diào)整率Vin變化4.3-10V5mV
負(fù)載調(diào)整率Iout=1-80mA30mV
PSRR1kHz70dB

2. 溫度特性

  • 工作結(jié)溫范圍:-40°C至+125°C
  • 高溫特性:
    • 125°C時靜態(tài)電流≤4.8μA(新型芯片)
    • 高溫下壓差電壓增加約30%

五、設(shè)計注意事項

1. 布局指南

  • 輸入/輸出電容就近放置
  • 使用寬銅箔連接GND引腳
  • WSON封裝必須焊接散熱焊盤
  • 避免長走線引入寄生電感

2. 熱管理

熱阻參數(shù)(θJA):

  • DCK封裝:253.8°C/W
  • DRV封裝:79.5°C/W

最大功耗計算:
PDmax = (TJmax - TA)/θJA
例如:TA=85°C時,DCK封裝最大功耗約158mW

3. 電容選擇

  • 推薦X7R/X5R陶瓷電容
  • 考慮電壓降額效應(yīng)(有效容量≈標(biāo)稱值50%)
  • 輸出電容ESR不影響穩(wěn)定性

六、選型建議

應(yīng)用場景推薦型號關(guān)鍵優(yōu)勢
便攜設(shè)備TPS71433DCK小尺寸,低IQ
工業(yè)模塊TPS71401DRV可調(diào)輸出,散熱好
高溫環(huán)境TPS714xxM3新型芯片,性能更優(yōu)
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