該電源邏輯 8 位可尋址鎖存器控制漏極開(kāi)路 DMOS 晶體管輸出，專為數(shù)字系統(tǒng)中的通用存儲(chǔ)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。具體用途包括工作寄存器、串行保持寄存器以及解碼器或解復(fù)用器。這是一款多功能器件，能夠?qū)尉€數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在八個(gè)可尋址鎖存器中，具有 3 到 8 個(gè)解碼或解復(fù)用模式/DMOS 輸出。

通過(guò)控制函數(shù)表中列舉的清除 （CLR） 和啟用 （G） 輸入，可以選擇四種不同的作模式。在可尋址鎖存器模式下，數(shù)據(jù)輸入 （D） 端子上的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入尋址鎖存器。尋址的DMOS晶體管輸出反轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)輸入，所有未尋址的DMOS晶體管輸出仍保持在之前的狀態(tài)。在存儲(chǔ)器模式下，所有DMOS晶體管輸出都保持在之前的狀態(tài)，不受數(shù)據(jù)或地址輸入的影響。為了消除在鎖存器中輸入錯(cuò)誤數(shù)據(jù)的可能性，在地址行更改時(shí)，啟用 G 應(yīng)保持高電平（非活動(dòng)狀態(tài)）。在3-8解碼或解復(fù)用模式下，尋址輸出相對(duì)于D輸入反相，所有其他輸出均為高電平。在清除模式下，所有輸出均為高電平，不受地址和數(shù)據(jù)輸入的影響。
*附件：tpic6259.pdf

提供單獨(dú)的電源和邏輯電平接地引腳，以促進(jìn)最大的系統(tǒng)靈活性。引腳 1、10、11 和 20 是內(nèi)部連接的，每個(gè)引腳必須從外部連接到電源系統(tǒng)接地，以最大限度地減少寄生電感。引腳 9 邏輯接地 （LGND） 與引腳 1、10、11 和 20 電源接地 （PGND） 之間的單點(diǎn)連接必須以減少邏輯和負(fù)載電路之間串?dāng)_的方式進(jìn)行外部連接。

該TPIC6259的特點(diǎn)是在 -40°C 至 125°C 的工作外殼溫度范圍內(nèi)工作。

特性

• 低 r DS（開(kāi)） . . .1.3 典型
• 雪崩能源 . . .75 毫焦
• 八個(gè)功率DMOS晶體管輸出，連續(xù)電流為250 mA
• 每個(gè)輸出1.5A脈沖電流
• 45 V 時(shí)的輸出箝位電壓
• 四種不同的功能模式
• 低功耗

參數(shù)

?1. 產(chǎn)品概述?
TPIC6259是德州儀器（TI）推出的功率邏輯器件，集成了8個(gè)開(kāi)漏DMOS晶體管輸出，專為數(shù)字系統(tǒng)中的通用存儲(chǔ)應(yīng)用設(shè)計(jì)。主要特點(diǎn)包括：

• 低導(dǎo)通電阻（1.3Ω典型值）
• 支持250mA連續(xù)電流/1.5A脈沖電流輸出
• 45V輸出鉗位電壓
• 四種工作模式（可尋址鎖存、存儲(chǔ)、3-8解碼/解復(fù)用、清除）
• 工作溫度范圍：-40°C至125°C

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?電氣參數(shù)?：
  • 電源電壓VCC：4.5V~5.5V
  • 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：1.3Ω（典型值，ID=250mA時(shí)）
  • 傳播延遲時(shí)間：625ns（低到高電平）
• ?封裝選項(xiàng)?：
  • DW（SOIC-20）和N（PDIP-20）封裝
  • 熱阻：108°C/W（N封裝）至111°C/W（DW封裝）

? 3. 功能模式（通過(guò)CLR和G輸入控制） ?

?4. 應(yīng)用場(chǎng)景?

• 工作寄存器
• 串行保持寄存器
• 解碼器/解復(fù)用器
• 需高電流驅(qū)動(dòng)的數(shù)字控制系統(tǒng)

?5. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

• 需將邏輯地（LGND，引腳9）與功率地（PGND，引腳1/10/11/20）單點(diǎn)連接以降低串?dāng)_。
• 地址線變化期間應(yīng)保持G輸入為高電平，防止錯(cuò)誤數(shù)據(jù)寫(xiě)入。