該電源邏輯 8 位可尋址鎖存器控制漏極開路 DMOS 晶體管輸出，專為數(shù)字系統(tǒng)中的通用存儲應用而設計。具體用途包括工作寄存器、串行保持寄存器以及解碼器或解復用器。這是一款多功能器件，能夠將單線數(shù)據(jù)存儲在八個可尋址鎖存器中，具有 3 到 8 個解碼或解復用模式/DMOS 輸出。

通過控制函數(shù)表中列舉的清除 （CLR） 和啟用 （G） 輸入，可以選擇四種不同的作模式。在可尋址鎖存器模式下，數(shù)據(jù)輸入 （D） 端子上的數(shù)據(jù)被寫入尋址鎖存器。尋址的DMOS晶體管輸出反轉數(shù)據(jù)輸入，所有未尋址的DMOS晶體管輸出仍保持在之前的狀態(tài)。在存儲器模式下，所有DMOS晶體管輸出都保持在之前的狀態(tài)，不受數(shù)據(jù)或地址輸入的影響。為了消除在鎖存器中輸入錯誤數(shù)據(jù)的可能性，在地址行更改時，啟用 G 應保持高電平（非活動狀態(tài)）。在3-8解碼或解復用模式下，尋址輸出相對于D輸入反相，所有其他輸出均為高電平。在清除模式下，所有輸出均為高電平，不受地址和數(shù)據(jù)輸入的影響。
*附件：tpic6259.pdf

提供單獨的電源和邏輯電平接地引腳，以促進最大的系統(tǒng)靈活性。引腳 1、10、11 和 20 是內部連接的，每個引腳必須從外部連接到電源系統(tǒng)接地，以最大限度地減少寄生電感。引腳 9 邏輯接地 （LGND） 與引腳 1、10、11 和 20 電源接地 （PGND） 之間的單點連接必須以減少邏輯和負載電路之間串擾的方式進行外部連接。

該TPIC6259的特點是在 -40°C 至 125°C 的工作外殼溫度范圍內工作。

特性

• 低 r DS（開） . . .1.3 典型
• 雪崩能源 . . .75 毫焦
• 八個功率DMOS晶體管輸出，連續(xù)電流為250 mA
• 每個輸出1.5A脈沖電流
• 45 V 時的輸出箝位電壓
• 四種不同的功能模式
• 低功耗

參數(shù)

?1. 產品概述?
TPIC6259是德州儀器（TI）推出的功率邏輯器件，集成了8個開漏DMOS晶體管輸出，專為數(shù)字系統(tǒng)中的通用存儲應用設計。主要特點包括：

• 低導通電阻（1.3Ω典型值）
• 支持250mA連續(xù)電流/1.5A脈沖電流輸出
• 45V輸出鉗位電壓
• 四種工作模式（可尋址鎖存、存儲、3-8解碼/解復用、清除）
• 工作溫度范圍：-40°C至125°C

?2. 關鍵特性?

• ?電氣參數(shù)?：
  • 電源電壓VCC：4.5V~5.5V
  • 靜態(tài)漏源導通電阻：1.3Ω（典型值，ID=250mA時）
  • 傳播延遲時間：625ns（低到高電平）
• ?封裝選項?：
  • DW（SOIC-20）和N（PDIP-20）封裝
  • 熱阻：108°C/W（N封裝）至111°C/W（DW封裝）

? 3. 功能模式（通過CLR和G輸入控制） ?

?4. 應用場景?

• 工作寄存器
• 串行保持寄存器
• 解碼器/解復用器
• 需高電流驅動的數(shù)字控制系統(tǒng)

?5. 設計注意事項?

• 需將邏輯地（LGND，引腳9）與功率地（PGND，引腳1/10/11/20）單點連接以降低串擾。
• 地址線變化期間應保持G輸入為高電平，防止錯誤數(shù)據(jù)寫入。