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AMC23C11精密隔離比較器技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-09-09 15:47 ? 次閱讀
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Texas Instruments AMC23C11精密隔離式比較器具有較短的響應(yīng)時(shí)間。漏極開路輸出端與輸入電路之間由一個(gè)抗磁干擾能力極強(qiáng)的隔離屏障隔開。根據(jù)VDE 0884-17和UL1577標(biāo)準(zhǔn),該隔板經(jīng)認(rèn)證可提供高達(dá)5kVRMS 的強(qiáng)化電隔離。它還支持高達(dá)1kV PK 的工作電壓。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments AMC23C11精密隔離比較器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

跳閘閾值通過單個(gè)外部電阻器在低遲滯模式下可以在20mV至450mV范圍內(nèi)調(diào)節(jié),在高遲滯模式下可以在600mV至2.7V范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。該器件上的開漏輸出支持透明模式(鎖存輸入與GND2連接),即輸出跟隨輸入狀態(tài);或鎖存模式,即在鎖存輸入信號(hào)的下降沿清除輸出。Texas Instruments AMC23C11采用8引腳寬體SOIC封裝。它的額定工業(yè)級(jí)工作溫度范圍為–40°C至125°C。

特性

  • 寬高側(cè)電源電壓范圍:3V至27V
  • 低側(cè)電源電壓范圍:2.7V至5.5V
  • 可調(diào)閾值:20mV至2.7V
  • 基準(zhǔn)電流,用于閾值調(diào)整
    • 100 μA,±2%
  • 觸發(fā)閾值為250mV時(shí)的誤差為±1%(最大值)
  • 開漏輸出,可選鎖存模式
  • 傳播延遲:240 ns(典型值)
  • 高CMTI:55V/ns(最小值)
  • 安全相關(guān)認(rèn)證
    • 7000VPK 強(qiáng)化隔離,符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標(biāo)準(zhǔn)
    • 1分鐘內(nèi)可承受5000VRMS 的隔離電壓,符合UL1577標(biāo)準(zhǔn)
  • 在整個(gè)–40°C至+125 °C擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍內(nèi)標(biāo)定的值

功能框圖

1.png

AMC23C11精密隔離比較器技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述

AMC23C11是德州儀器(TI)推出的一款快速響應(yīng)、增強(qiáng)型隔離比較器,采用8引腳寬體SOIC封裝(DWV)。該器件具有以下突出特性:

  • ?寬電壓范圍?:高側(cè)供電3V-27V,低側(cè)供電2.7V-5.5V
  • ?可調(diào)閾值?:20mV至2.7V連續(xù)可調(diào),精度±1%(250mV時(shí))
  • ?快速響應(yīng)?:典型傳播延遲240ns
  • ?高隔離等級(jí)?:
    • 7000VPK增強(qiáng)型隔離(DIN EN IEC 60747-17)
    • 5000VRMS隔離1分鐘(UL1577)
  • ?雙工作模式?:透明模式與鎖存模式可選
  • ?寬溫工作?:-40°C至+125°C工業(yè)溫度范圍

二、核心技術(shù)創(chuàng)新

1. 精密閾值調(diào)節(jié)架構(gòu)

采用100μA(±1%)精密參考電流源,通過單個(gè)外部電阻實(shí)現(xiàn)閾值精確設(shè)置:

  • ?低遲滯模式?:VREF≤450mV時(shí),遲滯4mV
  • ?高遲滯模式?:VREF≥600mV時(shí),遲滯25mV
  • ?動(dòng)態(tài)閾值切換?:內(nèi)置500-600mV模式選擇閾值帶50mV遲滯

2. 增強(qiáng)型隔離設(shè)計(jì)

  • ?SiO2電容隔離?:實(shí)現(xiàn)5.7kVRMS電氣隔離
  • ?超高抗干擾?:150V/ns最小共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)
  • ?長(zhǎng)壽命設(shè)計(jì)?:隔離屏障壽命超過40年
  • ?安全認(rèn)證?:通過VDE0884-17和UL1577認(rèn)證

三、關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)

1. 比較器核心

  • ?輸入阻抗?:1GΩ(典型)
  • ?偏置電流?:0.1nA(典型,0≤VIN≤4V)
  • ?輸入電容?:4pF(典型)
  • ?過驅(qū)動(dòng)響應(yīng)?:10mV過驅(qū)動(dòng)時(shí)延遲240ns(典型)

2. 電源管理

  • ?高側(cè)LDO?:支持3-27V寬輸入
  • ?電源監(jiān)控?:
    • VDD1欠壓閾值:2.9V(下降)/3V(上升)
    • VDD2欠壓閾值:2.1V(下降)/2.7V(上升)
  • ?功耗特性?:
    • 高側(cè):3.7mA最大(5V時(shí))
    • 低側(cè):2.2mA最大(3.3V時(shí))

四、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)

1. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)過流保護(hù)

?設(shè)計(jì)參數(shù)?:

  • 檢測(cè)電阻:10mΩ
  • 過流閾值:30A
  • 對(duì)應(yīng)VREF:296mV

?關(guān)鍵元件選型?:

  • ?RREF?:2.94kΩ(產(chǎn)生296mV閾值)
  • ?CREF?:100nF(參考電壓濾波)
  • ?輸入濾波?:10Ω+1nF RC濾波(增加10ns延遲)
  • ?輸出配置?:4.7kΩ上拉電阻

?PCB布局要點(diǎn)?:

  • 檢測(cè)電阻GND采用開爾文連接
  • CREF盡量靠近REF引腳
  • 保持高低側(cè)地平面分離

2. 電源時(shí)序設(shè)計(jì)

  • ?啟動(dòng)時(shí)序?:
    • 低側(cè)啟動(dòng)時(shí)間(tLS,STA):40μs(典型)
    • 高側(cè)啟動(dòng)時(shí)間(tHS,STA):45μs(典型)
    • 高側(cè)消隱時(shí)間(tHS,BLK):200μs(典型)
  • ?故障響應(yīng)?:
    • 高側(cè)故障檢測(cè)延遲(tHS,FLT):100μs(典型)
    • 欠壓恢復(fù)時(shí)間:tHS,STA+tHS,BLK

五、性能參數(shù)對(duì)比

參數(shù)AMC23C11常規(guī)比較器優(yōu)勢(shì)分析
隔離電壓7000VPK2500VPK提升180%隔離能力
傳播延遲240ns500ns縮短52%響應(yīng)時(shí)間
CMTI150V/ns50V/ns提升200%抗干擾性
閾值精度±1%±3%精度提高3倍

六、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

  1. ?參考電壓設(shè)置?:
    • 避免將VREF設(shè)置在450-600mV臨界區(qū)域
    • VREF>1.6V時(shí)需保證VVDD1-VREF≥1.4V
  2. ?散熱設(shè)計(jì)?:
    • 結(jié)到環(huán)境熱阻(RθJA):102.8°C/W
    • 最大功耗:95mW(雙電源工作時(shí))
    • 建議使用2oz銅厚PCB并添加散熱過孔
  3. ?安全規(guī)范?:
    • 保持≥8.5mm外部爬電距離
    • 污染等級(jí)2,過電壓類別I-III
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