Texas Instruments TPS7H2201-SP單通道負(fù)載開關(guān)具有可配置上升時間，可最大限度地降低反向電流和浪涌電流保護(hù)。該器件包含一個可在1.5V至7V輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的P溝道MOSFET，最大支持6A持續(xù)電流。該開關(guān)由開/關(guān)輸入 (EN) 控制。該選項(xiàng)使得該器件能夠直接連接低壓控制信號。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments TPS7H2201-SP單通道負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊.pdf

Texas Instruments TPS7H2201-SP采用陶瓷封裝，集成散熱焊盤，可實(shí)現(xiàn)高功率耗散。該器件的自由大氣溫度范圍為：-55°C至+125°C。

特性

• 輻射性能
  • 輻射硬度保證 (RHA) 高達(dá)TID 100 krad(Si)
  • 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子?xùn)糯?(SEGR)，不受LET=75MeVcm2/mg的影響
  • SEFI/SET特色toLET = 75MeVcm2/mg
• 集成單通道負(fù)載開關(guān)
• 輸入電壓范圍：1.5 V-7 V
• 低導(dǎo)通電阻（ RON ）：35mΩ（最大值，25°C、VIN =5V時）
• 最大連續(xù)開關(guān)電流：6 A
• 低控制輸入閾值支持使用1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯
• 可配置上升時間（軟啟動）
• 反向電流保護(hù)
• 可編程和內(nèi)部電流限制（快速跳閘）
• 可編程故障定時器（電流限制和重試模式）
• 熱關(guān)斷
• 帶散熱焊盤的陶瓷封裝

功能框圖

TPS7H2201-SP/SEP 輻射硬化型eFuse負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述

Texas Instruments的TPS7H2201-SP/SEP是一款專為嚴(yán)苛環(huán)境設(shè)計的單通道eFuse負(fù)載開關(guān)，具有以下顯著特性：

• ?輻射硬化設(shè)計?：滿足100krad(Si)總電離劑量(TID)要求，對單粒子閂鎖(SEL)、單粒子燒毀(SEB)和單粒子?xùn)艙舸?SEGR)具有免疫力
• ?寬電壓范圍?：1.5V至7V輸入電壓范圍，支持6A最大連續(xù)開關(guān)電流
• ?低導(dǎo)通電阻?：35mΩ（CFP/KGD封裝）和23mΩ（HTSSOP封裝）@25°C/VIN=5V
• ?多邏輯兼容?：支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯電平控制輸入

二、關(guān)鍵特性詳解

1. 輻射性能

• ? 總電離劑量(TID) ?：100krad(Si)保證
• ?單粒子效應(yīng)防護(hù)?：LET=75MeV-cm2/mg下對SEL/SEB/SEGR免疫
• ? 單粒子功能中斷(SEFI) ?：在LET=75MeV-cm2/mg下完成特性測試

2. 保護(hù)特性

• ?可編程電流限制?：通過外部電阻設(shè)置，精度±20%
• ?反向電流保護(hù)?：防止VOUT向VIN反向供電
• ? 過壓保護(hù)(OVP) ?：可配置觸發(fā)閾值
• ?熱關(guān)斷?：175°C典型觸發(fā)點(diǎn)，20°C滯后

3. 封裝選項(xiàng)

三、空間應(yīng)用設(shè)計考量

1. 冗余設(shè)計

在衛(wèi)星電源系統(tǒng)中，可采用雙路TPS7H2201實(shí)現(xiàn)主備冗余：

• 主備電源通過EN信號切換
• 反向電流保護(hù)防止備用電源反灌
• 典型配置在POL穩(wěn)壓器前端

2. SEL敏感負(fù)載保護(hù)

對于易發(fā)生單粒子閂鎖的器件：

• 將eFuse置于POL穩(wěn)壓器輸出端
• 快速響應(yīng)SEL事件（μs級）
• 自動恢復(fù)功能（通過RTIMER配置）

四、布局指南

1. ?關(guān)鍵元件放置?：
   • 輸入/輸出電容盡量靠近器件引腳
   • 電流檢測電阻路徑盡量短
2. ?布線要求?：
   • VIN/VOUT使用寬走線（≥50mil）
   • 敏感信號（EN/OVP）遠(yuǎn)離功率路徑
3. ?熱管理?：
   • 熱焊盤下方放置4×4過孔陣列
   • 建議使用2oz銅厚
4. ?輻射加固措施?：
   • 關(guān)鍵信號線采用保護(hù)走線
   • 避免長非屏蔽走線

五、選型建議