Pcore2

采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列

產(chǎn)品型號(hào)

?BMF600R12MCC4

? BMF400R12MCC4

汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車(chē)等大型車(chē)輛客戶(hù)對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專(zhuān)門(mén)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品。

該產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線(xiàn)鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB陶瓷板，可適配標(biāo)準(zhǔn)CAV應(yīng)用型封裝，可有效降低新能源商用車(chē)主驅(qū)電控、燃料電池能源管理系統(tǒng)應(yīng)用中的功率器件溫升和損耗。

Pcore2系列產(chǎn)品具有低開(kāi)關(guān)損耗、可高速開(kāi)關(guān)、低溫度依賴(lài)性、高可靠性等特點(diǎn)，工作結(jié)溫可達(dá)175℃，與傳統(tǒng)硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上替代相同封裝的IGBT模塊，從而幫助客戶(hù)有效縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期，提高工作效率。

產(chǎn)品特點(diǎn)

溝槽型、低RDS(on) 碳化硅MOSFET芯片

雙面有壓型銀燒結(jié)

高性能Si3N4AMB陶瓷板

高導(dǎo)熱型納米銀介質(zhì)層

高密度銅線(xiàn)鍵合技術(shù)

DTS（Die Top System）技術(shù)

直接銅底板散熱結(jié)構(gòu)

適配標(biāo)準(zhǔn)CAV應(yīng)用型封裝

應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

延長(zhǎng)器件壽命5倍

低開(kāi)關(guān)損耗

低導(dǎo)通電阻

可高速開(kāi)關(guān)

低溫度依賴(lài)性

工作結(jié)溫可達(dá)175℃

高可靠性

應(yīng)用領(lǐng)域

新能源商用車(chē)的動(dòng)力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

燃料電池電能系統(tǒng)

移動(dòng)設(shè)備電推進(jìn)系統(tǒng)

光伏及儲(chǔ)能逆變系統(tǒng)

產(chǎn)品列表