chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

基本半導體推出汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6

lhl545545 ? 來源:基本半導體 ? 作者:基本半導體 ? 2022-09-13 15:49 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Pcore6

采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的三相全橋功率模塊系列

產(chǎn)品型號? BMS600R12HWC4

? BMS400R12HWC4

? BMS700R08HWC4

? BMS450R08HWC4

產(chǎn)品型號? BMS600R12HLWC4

? BMS400R12HLWC4

? BMS700R08HLWC4

? BMS450R08HLWC4

汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6是基本半導體基于廣大汽車廠商對核心牽引驅(qū)動器功率器件的高性能、高效率等需求設計并推出的產(chǎn)品。

該產(chǎn)品采用標準HPD(Hybrid Pack Drive)封裝,并在功率模塊內(nèi)部引入了先進的有壓型銀燒結(jié)連接工藝,以及高密度銅線鍵合技術(shù)?;谶@些先進工藝組合的Pcore6系列模塊,可有效降低電動汽車主驅(qū)電控、燃料電池能源管理系統(tǒng)應用中的功率器件溫升,以及在相同芯片溫升情況下,輸出電流增加10%以上。

產(chǎn)品特點

溝槽型、低RDS(on) 碳化硅MOSFET芯片

雙面有壓型銀燒結(jié)

高導熱型納米銀介質(zhì)層

高密度銅線鍵合技術(shù)

DTS(Die Top System)技術(shù)

增強型PinFin散熱針結(jié)構(gòu)

快速動態(tài)響應特性

應用優(yōu)勢

延長器件壽命5倍

提高系統(tǒng)輸出電流能力10%

高功率密度

高阻斷電壓

低導通電阻

低開關(guān)損耗

高可靠性

應用領(lǐng)域

電動汽車、軌道交通、飛行器、航行器等的動力驅(qū)動系統(tǒng)

燃料電池電能系統(tǒng)

移動設備電推進系統(tǒng)

產(chǎn)品列表

48c488c2-3038-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

審核編輯:彭靜
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9429

    瀏覽量

    229698
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    2055

    瀏覽量

    94608
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3319

    瀏覽量

    51728
  • 基本半導體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    102

    瀏覽量

    11215

原文標題:產(chǎn)品速遞 | 應用于新能源汽車的Pcore?6碳化硅三相全橋MOSFET模塊

文章出處:【微信號:基本半導體,微信公眾號:基本半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    傾佳電子市場報告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在碳化硅戶用儲能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

    半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型大方向,分銷代理BASiC基本
    的頭像 發(fā)表于 11-24 04:57 ?142次閱讀
    傾佳電子市場報告:國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件在<b class='flag-5'>全</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>戶用儲能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

    傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動特性與保護機制深度研究報告

    汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型大方向,分銷代理BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC
    的頭像 發(fā)表于 11-23 11:04 ?1502次閱讀
    傾佳電子<b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>驅(qū)動特性與保護機制深度研究報告

    深度解析:移拓撲的演進、技術(shù)瓶頸與SiC碳化硅的應用價值

    傾佳電子深度解析:移拓撲的演進、技術(shù)瓶頸與SiC碳化硅的應用價值 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源
    的頭像 發(fā)表于 11-09 11:02 ?1395次閱讀
    深度解析:移<b class='flag-5'>相</b><b class='flag-5'>全</b><b class='flag-5'>橋</b>拓撲的演進、技術(shù)瓶頸與SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>的應用價值

    高功率密度碳化硅MOSFET軟開關(guān)三相逆變器損耗分析

    MOSFET 逆變器的功率密度,探討了采用軟開關(guān)技術(shù)的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關(guān)頻率下的零電壓開關(guān)三相逆變器及硬開關(guān)三相
    發(fā)表于 10-11 15:32 ?37次下載

    基本半導體1200V工業(yè)碳化硅MOSFET模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導體推出62mm封裝的1200V工業(yè)碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?867次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b>1200V工業(yè)<b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>半<b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b><b class='flag-5'>Pcore</b> 2系列介紹

    基本半導體推出34mm封裝的碳化硅MOSFET模塊

    基本半導體推出34mm封裝的碳化硅MOSFET模塊
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:25 ?1161次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>推出</b>34mm封裝的<b class='flag-5'>全</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>半<b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    EAB450M12XM3碳化硅功率模塊CREE

    EAB450M12XM3碳化硅功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A
    發(fā)表于 06-25 09:13

    基本股份SiC功率模塊的兩電平碳化硅混合逆變器解決方案

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-24 17:26 ?424次閱讀

    基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應用

    。其中,關(guān)斷損耗(Eoff)作為衡量器件開關(guān)性能的重要指標,直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探討其技術(shù)優(yōu)勢及在電力電子領(lǐng)域的廣泛應用。 傾佳電子楊茜致力于推
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?755次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應用

    碳化硅MOSFET模塊在出口型高端逆變焊機中的應用技術(shù)優(yōu)勢

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-09 17:22 ?734次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>全</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>在出口型高端逆變焊機中的應用技術(shù)優(yōu)勢

    基本半導體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應用優(yōu)勢

    BASiC基本股份半導體碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?671次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b>低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應用優(yōu)勢

    式電路中碳化硅MOSFET替換超結(jié)MOSFET技術(shù)注意事項

    楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOS
    的頭像 發(fā)表于 02-11 22:27 ?727次閱讀
    <b class='flag-5'>橋</b>式電路中<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>替換超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)注意事項

    革新電源體驗!基本半導體Pcore?2 E2B工業(yè)碳化硅模塊強勢來襲

    隨著可再生能源、電動汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,傳統(tǒng)硅基半導體的性能瓶頸逐漸顯現(xiàn)。如何在高壓、大功率應用中實現(xiàn)更高效率、更低損耗?答案是碳化硅(SiC)。作為寬禁帶半導體的代表,
    的頭像 發(fā)表于 01-21 16:39 ?787次閱讀
    革新電源體驗!基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>Pcore</b>?2 E2B工業(yè)<b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>半<b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>強勢來襲

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?

    : SOW-18圖片應用方向充電樁中后LLC用SiC MOSFET 方案光伏儲能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案高頻APF,用兩電平的三相
    發(fā)表于 01-04 12:30