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如何解決NB模塊時(shí)間不準(zhǔn)問題

愛普生電子元器件 ? 來源:愛普生電子元器件 ? 2025-09-24 10:58 ? 次閱讀
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常見問題

產(chǎn)品不良率非常高,發(fā)現(xiàn)時(shí)間偏移巨大,每天有15s之多,無法滿足NB應(yīng)用要求。

應(yīng)用:物聯(lián)網(wǎng)-NB模組

如何解決此類時(shí)間偏移巨大的問題呢?

簡單:首先把基本信息羅列,結(jié)合實(shí)際測試,適當(dāng)修改晶體的負(fù)載電容。

干貨分享

主芯片:是一款低功耗應(yīng)用的NB-IoT Cat-NB2 SoC通訊芯片;

時(shí)鐘回路使用的晶振:32.768KHz 12.5pf +-20ppm晶振

fb10c110-8fa5-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

圖:32KHz時(shí)鐘回路原理圖

原理圖中,可以看到,此設(shè)計(jì)使用兩個(gè)10pf外接電容,而且布線緊湊。

我們大致可以推斷出,兩個(gè)10pf的外接電容,其電容串聯(lián)+寄生電容2pf左右,整體負(fù)載電容約為7pf,與32.768KHz的12.5pf條件不符,相差太多。

實(shí)際測試:

fb6c22f8-8fa5-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

當(dāng)前使用兩個(gè)10pf,輸出誤差達(dá)到+170ppm之多,1ppm誤差對應(yīng)0.0864s/day,+170ppm約為每天偏差14s,與反饋一致,這顯然是不可行的。

根據(jù)外接電容與輸出頻率的反比關(guān)系,此時(shí)增加C1和C2的電容值才行,但是電容的增加,會(huì)使其起振性能下降,功耗也會(huì)增加,不適合當(dāng)前的模塊(NB)應(yīng)用。并且當(dāng)前的起振能力僅有370K歐姆,如果增加大量電容值,晶體回路必然會(huì)存在不起振的風(fēng)險(xiǎn)。

此時(shí)需要更換小負(fù)載電容值,內(nèi)阻更低的晶振才行。

解決思路

選用Epson 32.768KHz晶振:

FC2012AN 7pf +-20ppm

其特點(diǎn)是低內(nèi)阻,僅有60K歐姆(同類型的晶振一般是90K歐姆,內(nèi)阻越低,功耗越低)。

2.0*1.2mm的小封裝,整體非常適合低功耗、小封裝應(yīng)用。

fc77c152-8fa5-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

圖:FC2012AN官網(wǎng)截圖

實(shí)際測試:

fcd88d70-8fa5-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

可以看到,如果改用FC2012AN7pf晶體,回路的輸出頻率誤差僅有11.2ppm,起振余量是370K歐姆,大于5倍的ESR(60K歐姆*5=300K)值。

我們看一下誤差是多少:

0.0864s/day*11.2=0.96768s/day 即每天不到1s。

總結(jié):

時(shí)間不準(zhǔn),需要調(diào)整外接的兩個(gè)電容;

低內(nèi)阻意味著功耗更低,否則有起振的風(fēng)險(xiǎn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:CE常見問題干貨分享丨NB模塊時(shí)間不準(zhǔn),如何調(diào)整晶振回路

文章出處:【微信號:epson-ed,微信公眾號:愛普生電子元器件】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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