Texas Instruments DEM-FDA-DGN-EVM放大器評估模塊 (EVM) 是一款未插裝評估模塊，用于采用DGN (HVSSOP) 封裝的全差分放大器 (FDA)。該評估模塊的設(shè)計(jì)符合高速性能規(guī)范和Texas Instruments FDA，具有輸出共模 (Vocm) 控制和斷電 (PD) 功能。該模塊支持使用實(shí)驗(yàn)室設(shè)備配的50Ω SMA連接器對TI高速FDA進(jìn)行快速有效的實(shí)驗(yàn)室測試。該示意圖考慮了執(zhí)行實(shí)驗(yàn)室測量所需的所有連接器，包括電源和信號的連接器。該評估模塊根據(jù)原理圖進(jìn)行插配時配置為單端輸入和單端輸出；該模塊可適應(yīng)采用適當(dāng)配置的全差分行為。輸出變壓器支持單端輸出，可輕松連接測試設(shè)備，另外還設(shè)有用于輸出共模和掉電控制的外部SMA連接器。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments DEM-FDA-DGN-EVM放大器評估模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 分離式或單電源配置
• 可配置增益和反饋網(wǎng)絡(luò)，帶可選補(bǔ)償電容器
• 支持單端或差分輸入
• 設(shè)計(jì)用于輕松連接標(biāo)準(zhǔn)的50Ω輸入端和輸出端阻抗實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
• 輸入、輸出和控制信號均包括SMA連接器，用于高速運(yùn)行

板布局

德州儀器DEM-FDA-DGN-EVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用實(shí)踐?

?一、模塊核心特性與設(shè)計(jì)架構(gòu)?

1. ?靈活供電配置?
   • 支持雙電源（±VCC）或單電源（VCC+/GND）模式，通過跳線切換適應(yīng)不同測試場景。
   • 電源層采用獨(dú)立PCB分層設(shè)計(jì)（見圖4-3），降低高頻噪聲耦合。
2. ?高速信號接口優(yōu)化?
   • 全差分放大器（FDA）搭配50Ω SMA連接器，支持單端/差分輸入輸出切換。
   • 輸入阻抗平衡技術(shù)：通過R4/R14電阻網(wǎng)絡(luò)匹配測試設(shè)備阻抗（典型值26.1Ω），減少信號反射。
3. ?關(guān)鍵功能擴(kuò)展?
   • ? 輸出共?？刂疲╒ocm） ?：支持外部驅(qū)動或電阻分壓設(shè)置，C3電容可替換為50Ω電阻實(shí)現(xiàn)信號源終端匹配。
   • ? 低功耗模式（PD） ?：通過跳線或SMA接口控制放大器關(guān)斷，靜態(tài)電流可降至μA級。

?二、典型應(yīng)用電路設(shè)計(jì)?

?案例：THS4130放大器單端轉(zhuǎn)差分配置?

• ?拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?（見圖3-1）：
  • 單端輸入信號經(jīng)R4（56Ω）匹配后進(jìn)入FDA，差分輸出通過變壓器T1轉(zhuǎn)換為單端信號。
  • 反饋網(wǎng)絡(luò)（R6/R7=383Ω）與補(bǔ)償電容（C4/C7=220pF）協(xié)同穩(wěn)定增益帶寬積（GBW）。
• ?PCB布局要點(diǎn)?：
  • 第二層為完整地平面（圖4-2），提供低阻抗回流路徑；
  • 關(guān)鍵信號走線（如VIN+/VIN-）采用對稱布線以抑制共模干擾。

?三、工程調(diào)試經(jīng)驗(yàn)總結(jié)?

1. ?阻抗匹配校準(zhǔn)?
   • 差分輸出時需移除R11/R15，并在T1變壓器引腳1-6、3-4間添加短路電阻；
   • 若輸出阻抗非50Ω，需調(diào)整R8/R12/R14組成的負(fù)載網(wǎng)絡(luò)。
2. ?常見問題排查?
   • ?輸出失真?：檢查Vocm引腳電壓是否偏離中值（建議通過R1/R2=10.2kΩ設(shè)為半壓）；
   • ?高頻振蕩?：驗(yàn)證補(bǔ)償電容（C6=100pF）是否貼近放大器電源引腳。

?四、行業(yè)應(yīng)用前景?

該EVM模塊在5G基站（射頻信號鏈）、醫(yī)療成像（高精度ADC驅(qū)動）等領(lǐng)域具潛力，未來可結(jié)合軟件定義硬件（SDH）技術(shù)實(shí)現(xiàn)動態(tài)參數(shù)配置。