該TPSM84538是一款高效、高功率密度、易于使用的同步降壓電源模塊，具有很高的設計靈活性。該TPSM84538的工作輸入電壓范圍為3.8V至28V，專為由5V、12V、24V電源總線軌供電的系統(tǒng)而設計。該器件支持高達 5A 的連續(xù)輸出電流和 98% 的最大占空比。

TPSM84538采用固定頻率峰值電流控制和內部補償，可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應以及良好的線路和負載調節(jié)。通過優(yōu)化的內部環(huán)路補償，該器件無需在寬輸出電壓范圍和開關頻率上進行外部補償。
*附件：tpsm84538.pdf

TPSM84538通過RT/SYNC引腳設置的200kHz – 2.2MHz的寬支持開關頻率，實現(xiàn)了高度的設計靈活性。該器件可選擇脈沖頻率調制 （PFM）、輕負載條件下的強制連續(xù)導通調制 （FCCM） 以及具有不同配置的 MODE 引腳的可調節(jié)軟啟動 （SS） 時間/電源良好 （PG） 指示器。

TPSM84538提供保護功能，包括熱關斷、輸入欠壓鎖定、逐周期電流限制和打嗝短路保護。TPSM84538采用 9 引腳、3.3mm × 4.5mm QFN 封裝，引腳排列可用于單層 PCB 布局。結溫的額定溫度為–40°C至125°C。

特性

• 針對廣泛的應用進行配置
  • 3.8V 至 28V 輸入電壓范圍
  • 0.6V 至 5V 輸出電壓范圍
  • 高達 5A 的連續(xù)輸出電流
  • 0.6V ±1% 基準電壓（–40°C 至 125°C）
  • 28uA的低靜態(tài)電流（典型值）
  • 70ns，114ns 最小導通、關斷時間
  • 8us 最大開關導通時間
  • 98% 最大占空比
• 易于使用和小設計尺寸
  • 帶內部補償?shù)姆逯惦娏骺刂颇Ｊ?/li>
  • 200kHz至2.2MHz可選頻率
  • 可與外部時鐘同步（支持相移）：200kHz至2.2MHz
  • 輕負載條件下可選擇 PFM / FCCM
  • 可選可調軟啟動時間，電源良好指示燈功能
  • 具有良好的 EMI 性能，具有擴頻和優(yōu)化的引腳排列
  • 高側和低側 MOSFET 的打嗝過流 （OC） 限制
  • 非鎖存保護，用于過熱保護 （OTP）、過流保護 （OCP）、過壓保護 （OVP）、欠壓保護 （UVP） 和欠壓鎖定 （UVLO）
  • 集成自舉電容器和電感器，支持輕松的 PCB 布局
  • 工作結溫為 –40°C 至 125°C
  • 3.3mm × 4.5mm × 2mm QFN 封裝

參數(shù)

方框圖

?1. 產品概述?
TPSM84538是德州儀器（TI）推出的高效、高功率密度同步降壓電源模塊，具有以下核心特性：

• ?輸入電壓范圍?：3.8V至28V，適用于5V/12V/24V電源總線系統(tǒng)。
• ?輸出能力?：0.6V至5V可調輸出電壓，連續(xù)輸出電流高達5A，最大占空比98%。
• ?控制模式?：峰值電流控制模式，內置補償，簡化外部電路設計。

?2. 關鍵特性?

• ?高效能?：輕載時支持PFM（脈沖頻率調制）或FCCM（強制連續(xù)導通模式），典型靜態(tài)電流28μA（PFM模式）。
• ?靈活配置?：
  • 開關頻率可編程（200kHz至2.2MHz），支持外部時鐘同步。
  • MODE引腳可選PFM/FCCM模式、軟啟動時間調整或電源良好（PG）指示功能。
• ?保護功能?：過溫保護（OTP）、過流保護（OCP）、過壓保護（OVP）、欠壓保護（UVP）及短路保護（hiccup模式）。

?3. 封裝與設計支持?

• ?封裝?：3.3mm × 4.5mm QFN封裝，集成電感和自舉電容，支持單層PCB布局。
• ?設計工具?：可通過WEBENCH? Power Designer定制設計。

?4. 典型應用?

• 醫(yī)療設備、測試儀器、樓宇自動化
• 有線/無線網(wǎng)絡基礎設施、分布式電源系統(tǒng)

?5. 功能詳解?

• ?電壓設置?：通過外部電阻分壓器（如RFBB=10kΩ）調節(jié)FB引腳電壓，實現(xiàn)精確輸出。
• ?軟啟動?：SS/PG引腳外接電容控制啟動時間（公式：tSS = CSS × 0.6V / 5.5μA）。
• ?使能與UVLO?：EN引腳支持浮動啟用或外部電阻分壓調整輸入欠壓鎖定閾值。
• ?相位同步?：多模塊并聯(lián)時，可通過MODE引腳電容配置相位偏移（如47pF對應90°），降低輸入紋波。

?6. 電氣參數(shù)?

• ?效率?：12V輸入時，5V輸出效率可達98%（典型值）。
• ?工作溫度?：-40°C至125°C（結溫），熱阻55.2°C/W（結到環(huán)境）。

?7. 保護機制?

• ?故障響應?：過壓觸發(fā)時關閉高邊MOSFET，欠壓時進入hiccup模式（256μs延遲后重啟）。
• ?熱關斷?：結溫超過165°C時關閉，滯后30°C恢復。

?8. 文檔結構?
技術手冊包含特性、引腳功能、電氣規(guī)格、典型曲線、應用電路及布局建議，共10章節(jié)，涵蓋設計全流程支持。