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東芯半導(dǎo)體首次亮相工博會:用“芯”書寫存儲技術(shù)的工業(yè)創(chuàng)新!

東芯半導(dǎo)體 ? 來源:廠商供稿 ? 2025-09-28 11:20 ? 次閱讀
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工業(yè)新質(zhì)

智造無界

2025中國國際工業(yè)博覽會

9月的上海,秋意漸濃卻擋不住工業(yè)作為工業(yè)技術(shù)的“風(fēng)向標(biāo)”,匯聚國內(nèi)外企業(yè),展示工業(yè)數(shù)字化、智能化的最新成果。在這場“工業(yè)盛宴”中,東芯半導(dǎo)體NAND、NOR、DRAM和MCP四大系列產(chǎn)品矩陣首次亮相2025中國國際博覽會,用自主研發(fā)的存儲芯片產(chǎn)品矩陣,為工業(yè)領(lǐng)域的“智能升級”注入強(qiáng)勁“芯”動力。

首次

亮相5.2H 新一代新信息與技術(shù)展

東芯半導(dǎo)體此次帶來的包含NAND、NOR、DRAM和MCP四大系列產(chǎn)品矩陣,既有針對通用工業(yè)場景的高性能存儲,也有針對細(xì)分領(lǐng)域的定制化解決方案,全面滿足不同工業(yè)客戶對“高可靠性、低功耗、高容量”的需求。

目前,我們SLC NAND Flash/NOR Flash以及我們MCP系列均有產(chǎn)品通過AEC-Q100的驗(yàn)證,實(shí)現(xiàn)寬溫-40℃~105℃/125℃,具備滿足嚴(yán)苛的工業(yè)級以及車規(guī)級應(yīng)用環(huán)境的能力。

同時(shí),我們不同產(chǎn)品系列具備不同性能特點(diǎn),以滿足細(xì)分領(lǐng)域下的不同需求,歡迎溝通了解!

01

SLC NAND Flash:高可靠性

SPI NAND Flash:

單芯片設(shè)計(jì)的串行通信方案,引腳少、封裝尺寸小,且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器,并帶有內(nèi)部ECC模塊,使其在滿足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時(shí),既節(jié)約了空間,又提升了穩(wěn)定性。

PPI NAND Flash:

兼容傳統(tǒng)的并行接口標(biāo)準(zhǔn),高可靠性,滿足不同應(yīng)用場景。在網(wǎng)絡(luò)通信,智能音箱,機(jī)頂盒等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。

02

NOR Flash:低功耗

ETOX工藝,聚焦于大容量低功耗,

容量從64Mb到2Gb,1.8V/3.3V 兩種電壓,

支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四種指令模式、

DTR傳輸模式和多種封裝方式。

03

DRAM:高傳輸

DDR3(L):

具備高傳輸速率以及低工作電壓??商峁?.5V/1.35V兩種電壓模式,是主流的內(nèi)存產(chǎn)品。

LPDDR1/2/4X:

LPDDR1的核心電壓與IO電壓均低至1.8V,LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V,LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V。

04

MCP:高效集成

Flash和DDR均為低電壓的設(shè)計(jì),核心電壓1.8V

可滿足目前移動互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)對低功耗的需求。

其中DDR包含LPDDR1 / 2 / 4X 多種規(guī)格使其選擇更加靈活豐富。產(chǎn)品可將Flash和DDR合二為一進(jìn)行封裝,簡化走線設(shè)計(jì),節(jié)省組裝空間,高效集成電路,提高產(chǎn)品穩(wěn)定性。

作為本土存儲芯片設(shè)計(jì)企業(yè),我們將繼續(xù)強(qiáng)化技術(shù)創(chuàng)新

針對工業(yè)場景的特殊需求開發(fā)專屬存儲解決方案,

深化與工業(yè)設(shè)備廠商的合作,共同推動產(chǎn)業(yè)智能化升級,

為工業(yè)化數(shù)字化轉(zhuǎn)型提供更加堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)基石。

東芯,為日益發(fā)展的存儲需求提供高效可靠的解決方案!

關(guān)于東芯

東芯半導(dǎo)體以卓越的MEMORY設(shè)計(jì)技術(shù),專業(yè)的技術(shù)服務(wù)實(shí)力,通過國內(nèi)外技術(shù)引進(jìn)和合作,致力打造成為中國本土優(yōu)秀的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的存儲芯片設(shè)計(jì)公司。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:東芯半導(dǎo)體首次亮相工博會:用“芯”書寫存儲技術(shù)的工業(yè)創(chuàng)新!

文章出處:【微信號:東芯半導(dǎo)體,微信公眾號:東芯半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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